发光器件、具有发光器件的发光器件封装及其照明系统技术方案

本发明专利技术涉及发光器件、具有发光器件的发光器件封装及其照明系统。本发明专利技术提供一种发光器件。发光器件包括衬底；衬底上的包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层的发光结构；在第一导电半导体层上的第一电极；以及肖特基导环，该肖特基导环围绕第一电极并且直接地连接第一导电半导体层。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及发光器件、包括发光器件的发光器件封装以及照明系统。
技术介绍
发光二极管(LED)包括具有将电能转换成光能的特性的P-N结二极管，并且可以使用周期表上的III-V族元素的化合物半导体形成。另外，LED可以呈现通过调节化合物半导体的组成比率实现的各种颜色。当正向电压被施加到LED时，随着N层的电子与P层的空穴相组合，通过在导带和价带之间的能隙发散能量。在LED的情况下，以光的形式发散能量。由于优异的热稳定性和宽带隙能，在光学器件和高功率的电子设备的领域中氮化物半导体已经被备受关注。特别地，采用氮化物半导体的蓝、绿以及紫外(UV)发光器件已经被商业化并且被广泛地使用。最近，随着LED的技术快速地前进，对于超出LED的传统限制使用将LED应用于诸如光学通信、一般照明、或者显示器的各种领域进行努力。对LED的可靠性施加影响的因素之一是允许LED耐受静电放电(ESD)。ESD是由于周围介质的介电击穿或者与接地主体的接触而从被电气充电的物体立即排放能量的现象。为了解决上述问题，用作保护ESD冲击的装置的齐纳二极管与LED一起被安装在封装中。然而，制造封装的成本可能增加，制造工艺可能复杂化，并且光吸收可能出现。
技术实现思路
实施例提供一种包括用于免受ESD冲击的保护的肖特基导环的发光器件、发光器件封装、以及照明系统。根据实施例，提供一种发光器件，包括：衬底；衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；第一导电半导体层上的第一电极；以及肖特基导环，该肖特基导环围绕第一电极并且与第一导电半导体层直接地连接。如上所述，根据实施例，通过包括肖特基导环能够保护有源层免受ESD冲击。另外，根据实施例，能够降低电流集中现象和电场的强度。另外，根据实施例，由于齐纳二极管被省略，所以能够改进发光器件封装的光效率。附图说明图1是示出根据实施例的发光器件的截面图。图2是示出根据另一实施例的发光器件的截面图。图3是示出根据又一实施例的发光器件的截面图。图4是示出根据又一实施例的发光器件的截面图。图5是示出根据又一实施例的发光器件的截面图。图6至图8是示出根据实施例的包括发光器件的照明系统的实施例的分解透视图。具体实施方式在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案、或者结构被称为是在另一衬底、另一层(或者膜)、另一区域、另一焊盘、或者另一图案“上”或者“下”时，其能够“直接地”或者“间接的”在另一衬底、层(或者膜)、区域、焊盘、或者图案上，或者也可以存在一个或者多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。为了描述或者澄清起见，可以夸大、省略或者示意地绘制在附图中示出的每个层的厚度和大小。另外，元件的大小没有真实地反映实际大小。图1是示出根据实施例的发光器件的截面图。参考图1，根据实施例的发光器件100可以包括：衬底110；在衬底110上的包括第一导电半导体层120、有源层130、以及第二导电半导体层140的发光结构150；在第二导电半导体层140上的欧姆接触层165；在欧姆接触层165上的第二电极160；第一导电半导体层120上的第一电极170；覆盖发光结构150、第一电极170、以及欧姆接触层165的绝缘层180；以及肖特基导环190，该肖特基导环190穿过绝缘层190形成同时被形成在绝缘层180上。衬底110可以是由具有优异的导热性的材料形成并且可以包括导电衬底或者绝缘衬底。例如，衬底110可以包括蓝宝石(Al2O3)、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP、Ge、以及Ga2O3中的至少一个。硅(Si)衬底可以在该实施例中被使用。凹凸结构可以被形成在衬底110上，并且可以具有环形、椭圆形、或者多边形的截面，但是实施例不限于此。在这样的情况下，缓冲层(未示出)可以被形成在衬底110上以减少在发光结构的材料和衬底110之间的晶格错配。缓冲层的材料可以包括III-V族化合物半导体中的至少一个，诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、以及AlInN。发光结构150可以被设置在衬底110上。发光结构150可以包括第一导电半导体层120、有源层130、以及第二导电半导体层140。使用被掺杂有第一导电掺杂物的III-V族化合物半导体实现第一导电半导体层120，并且第一导电半导体层120具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式。例如，第一导电半导体层120可以包括层的层压结构，层包括化合物半导体中的至少一个，诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP。第一导电半导体层120是N型半导体层。第一导电掺杂物包括用作N型掺杂物的Si、Ge、Sn、Se、或者Te。电极可以进一步被设置在第一导电半导体层120上。通过第一导电半导体层120注入的电子(或者空穴)与通过第二导电半导体层140注入的空穴(或者电子)的组合，由于在组成有源层130的材料之间的能带隙的差，有源层12发射光。有源层130可以具有单量子阱(SQW)结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构、以及量子线结构中的一个，但是实施例不限于此。第二导电半导体层140包括被掺杂有第二导电掺杂物的半导体，并且具有例如InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式。第二导电半导体层140可以包括诸如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP的化合物半导体中的一个。第二导电半导体层140是P型半导体层，并且第二导电掺杂物可以包括用作P型掺杂物的Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba。第二导电半导体层140可以包括超晶格结构。超晶格结构可以包括InGaN/GaN超晶格结构或者AlGaN/GaN超晶格结构。第二导电半导体层140的超晶格结构异常地扩展电压的电流以保护有源层。根据实施例，发光结构150可以被设置有相对的导电层。例如，第一导电半导体层120可以被设置有用作P型半导体层的第一导电半导体层和用作N型半导体层的第二导电半导体层140。具有与第二导...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：衬底；在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；所述第一导电半导体层上的第一电极；以及肖特基导环，所述肖特基导环围绕所述第一电极并且与所述第一导电半导体层直接地连接。

【技术特征摘要】
2015.01.26 KR 10-2015-00118471.一种发光器件，包括：
衬底；
在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、
有源层、以及第二导电半导体层；
所述第一导电半导体层上的第一电极；以及
肖特基导环，所述肖特基导环围绕所述第一电极并且与所述第一
导电半导体层直接地连接。
2.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第一电极
和所述肖特基导环之间的绝缘层。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述肖特基导环包括：
在所述绝缘层上的第一肖特基导环；和
穿过所述绝缘层设置的第二肖特基导环和第三肖特基导环。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一肖特基导环
包括第一金属层和第二金属层，所述第一金属层包括银(Ag)和铝(Al)
中的至少一个，并且所述第二金属层包括镍(Ni)。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中，所述第一金属层具有
处于200nm至300nm的范围的厚度，并且所述第二金属层具有0.5nm
至2nm的范围的厚度。
6.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述肖特基导环在其
两侧处具有突起。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其中，各个突起具有处于2μm
至3μm的范围的宽度。
8.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第二肖特基导环
和所述第三肖特基导环具有处于0.7μm至1μm的范围的高度。
9.根据权利要求3所述的发光器件，其中，在所述第一电极和所
述第二肖特基导环之间的间隔等于在所述第一电极和所述第三肖特基
导环之间的间隔。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其中，在所述第一电极和
所述第二肖特基导环之间的间隔以及在所述第一电极和所述第三肖特
基导环之间的间隔是0.5μm或者更小。
11.根据权利要求3所述的发光器件，进一步包括第四肖特基导

【专利技术属性】
技术研发人员：郑圣达，李宗燮，宋炫暾，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR