刻蚀方法技术

本发明专利技术提供一种刻蚀方法，所述刻蚀方法包括：步骤1：在基片上形成金属材料层；步骤2：对所述金属材料层进行构图工艺以形成第一图形；步骤3：以具有所述第一图形的金属材料层为掩膜，对所述基片进行干法刻蚀；步骤4：去除所述基片上剩余的所述金属材料层。在本发明专利技术所提供的刻蚀方法中，利用金属材料制成对基片进行刻蚀时所需的掩膜，与惯用的光刻胶掩膜层相比，金属掩膜层具有较大的硬度，因此，所述第一图形与所述基片之间具有较大的刻蚀选择比，从而使得具有所述第一图形的金属材料层不容易被刻蚀气体刻蚀掉，因此，本发明专利技术所提供的刻蚀方法更适于在基片上刻蚀深度较大的沟槽。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：步骤1：在基片上形成金属材料层；步骤2：对所述金属材料层进行构图工艺以形成第一图形；步骤3：以具有所述第一图形的金属材料层为掩膜，对所述基片进行干法刻蚀；步骤4：去除所述基片上剩余的所述金属材料层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周娜，苏子铎，袁仁志，谢秋实，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11