存储器器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种存储器器件，其特征在于，包括：用于携载供给电压的供给电压节点；电可编程及可擦除只读存储器单元；以及写入周期控制器，被配置为在所述供给电压减小的情况下增大写入周期的持续时间。本实用新型专利技术能够以有效率的方式操作的EEPROM类型的存储器。

【技术实现步骤摘要】

本技术的实施方式和实施例的各方式涉及存储器，特别是电可擦除可编程(EEPROM)类型的非易失性存储器，并且更特别的是涉及它们写入周期的控制。
技术介绍
EEPROM类型的存储器槽通常包括具有允许数据项的存储的浮置栅极、驱动栅极、源极区域和漏极区域的晶体管。这样的存储器槽使用在晶体管的浮置栅极上的电荷的非易失性存储的原理。传统地，用于写入数据项的操作或周期包括擦除步骤，其后是编程步骤。编程通过使用具有高值(通常在13至15伏的数量级)的电压脉冲、将电子从浮置栅极通过隧道效应注入到漏极的福勒-诺德海姆(Fowler-Nordheim)效应而被实现。擦除也通过福勒-诺德海姆效应而被实现，电子通过隧道效应从漏极被注入到浮置栅极，并且也通过使用与编程脉冲类似的擦除脉冲而被执行。编程和擦除脉冲习惯上通过常规包括一个或多个电荷泵级的脉冲生成器、以斜坡之后是平台的形式而被生成。然而，特别是由于供给电压太低以及由于电流泄漏，电荷泵的扇出(fan-out)不足以获得对于福勒-诺德海姆效应所必要的电压水平是可能的。这转变为写入错误和对数据的损害。电荷泵将必须提供的在写入操作期间消耗的电流可以被表示为连续成分(DC)和动态成分(AC)。消耗的电流的连续成分大致上源于在写入操作期间接收高电压的晶体管内部的泄漏电流，并且如果合适的话源于这些晶体管处于其中的井。消耗的电流的动态成分源于各种寄生电容的电荷，该各种寄生电容源于在写入操作期间接收高电压的硬件部件与互连。实际中，可能的是根据等式(1)表达由电荷泵消耗的电流：Ip＝(Ic+Ctot.dV/dt).(Vpp/Vdd).1/Eff(1)其中Ip表示消耗的电流，Ic是该消耗的电流的连续成分，Ctot是接收高电压的电路的节点的等效电容，dV/dt表示斜坡的斜率，Vpp表示输出高电压，Vdd表示供给电压，并且Eff表示电荷泵的效率。关于在低供给电压(例如大致1.6伏特)处的EEPROM类型的存储器存在操作需要，特别是在诸如举例为计算机鼠标或键盘或助听假体之类的“无线”系统中。实际中，在低供给电压Vdd处的操作通常也需要低供应电流。电流Ip的高消耗因此有损于供给电压低的系统。现在，依据等式(1)，消耗的电流愈发可观，项Vpp/Vdd越大，并且因此供给电压Vdd越小。而且，特别在高密度存储器系统中，存在关于EEPROM类型存储器在高频上或短时间(例如每次写入周期大致1ms)内写入的需要。现在，依据等式(1)，消耗的电流愈发可观，项dV/dt越大，并且因此所提供的写入时间越短。最终，经常需要的是一个以及相同的存储器能够在宽范围的供给电压上操作，通常从1.6伏特到5.5伏特。现在，根据在例如1.6V的低压处的短写入时间大小被调整为可靠的脉冲生成器随后在以通常在2.5伏特之上的高电压操作时被过量调整大小。它们因此在生成可观的、潜在有害的电流尖峰时在高电压处缺乏效率并且需要可观的区域。
技术实现思路
本技术解决的问题在于如何提出一种能够以有效率的方式操作的EEPROM类型的存储器，特别是关于电荷泵，在供给电压的宽范围上，例如1.6伏特至5.5伏特。根据一个方面，提出了一种存储器器件，包括：用于携载供给电压的供给电压节点；电可编程及可擦除只读存储器单元；以及写入周期控制器，被配置为在所述供给电压减小的情况下增大写入周期的持续时间。在一个实施例中，所述写入周期控制器被配置为以与比标称值低的所述供给电压的至少一个步长值各自对应的至少一个步长增大所述写入周期的所述持续时间。在一个实施例中，所述写入周期控制器包括比较器，所述比较器被配置为比较所述供给电压的当前值与所述至少一个步长值。在一个实施例中，所述比较器被配置为在所述写入周期已经开始之前进行比较。在一个实施例中，进一步包括写入电路，所述写入电路包括脉冲生成器，所述脉冲生成器被配置为生成包括擦除脉冲或编程脉冲的脉冲，其中所述写入周期控制器被配置为通过增大所述脉冲的所述持续时间而增大所述写入周期的所述持续时间。在一个实施例中，所述脉冲生成器被配置为生成擦除脉冲以及之后的编程脉冲，并且其中所述写入周期控制器被配置为通过增大所述擦除脉冲和所述编程脉冲的所述持续时间而增大所述写入周期的所述持续时间。在一个实施例中，所述脉冲包括电压斜坡以及之后的平台，并且其中所述写入周期控制器被配置为通过增大所述电压斜坡的所述持续时间而增大所述脉冲的所述持续时间。在一个实施例中，所述脉冲包括电压斜坡以及之后的平台，并且其中所述写入周期控制器被配置为通过增大所述平台的所述持续时间而增大所述脉冲的所述持续时间。在一个实施例中，所述写入周期控制器被配置为当所述平台的所述持续时间被增大时以减小的值生成所述平台。在一个实施例中，所述写入周期控制器被配置为以与比标称值低的所述供给电压的至少一个步长值各自对应的至少一个步长增大所述写入周期的所述持续时间；所述写入周期控制器包括比较器，所述比较器被配置为比较所述供给电压的当前值与所述至少一个步长值；所述存储器器件进一步包括写入电路，所述写入电路包括脉冲生成器，所述脉冲生成器被配置为生成包括擦除脉冲或编程脉冲的脉冲，其中所述写入周期控制器被配置为通过增大所述脉冲的所述持续时间而增大所述写入周期的所述持续时间；所述脉冲包括电压斜坡以及之后的平台，并且其中所述写入周期控制器被配置为通过增大所述电压斜坡的所述持续时间而增大所述脉冲的所述持续时间；以及所述写入周期控制器被配置为如果所述供电电压大于所述步长值则针对固定在标称持续时间的持续时间生成所述电压斜坡以及如果所述供给电压小于所述步长值则针对比所述标称持续时间大的持续时间生成所述电压斜坡。在一个实施例中，所述供给电压落在大约1.6V与大约5.5V之间，并且所述步长值是大约2.5V。提出的解决方案包括作为供给电压的函数的写入时间的受控调配，由此允许存储器的脉冲生成器、特别是电荷泵以既在低压也在高压处的有效率的方式操作，而没有电荷泵的过量调整大小，这在空间上转移到增益。附图说明本技术的其它优点和特征将在检查实施方案和实施例和附图中的全部非限制性方式的详细描述中变得显而易见，在附图中：图1至图5示例性地图示了本技术的实施方式和实施例的各种方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器器件，其特征在于，包括：用于携载供给电压的供给电压节点；电可编程及可擦除只读存储器单元；以及写入周期控制器，被配置为在所述供给电压减小的情况下增大写入周期的持续时间。

【技术特征摘要】
2015.09.24 FR 15590171.一种存储器器件，其特征在于，包括：
用于携载供给电压的供给电压节点；
电可编程及可擦除只读存储器单元；以及
写入周期控制器，被配置为在所述供给电压减小的情况下增大写
入周期的持续时间。
2.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，所述写入
周期控制器被配置为以与比标称值低的所述供给电压的至少一个步
长值各自对应的至少一个步长增大所述写入周期的所述持续时间。
3.根据权利要求2所述的存储器器件，其特征在于，所述写入
周期控制器包括比较器，所述比较器被配置为比较所述供给电压的当
前值与所述至少一个步长值。
4.根据权利要求3所述的存储器器件，其特征在于，所述比较
器被配置为在所述写入周期已经开始之前进行比较。
5.根据权利要求1所述的存储器器件，其特征在于，进一步包
括写入电路，所述写入电路包括脉冲生成器，所述脉冲生成器被配置
为生成包括擦除脉冲或编程脉冲的脉冲，其中所述写入周期控制器被
配置为通过增大所述脉冲的所述持续时间而增大所述写入周期的所
述持续时间。
6.根据权利要求5所述的存储器器件，其特征在于，所述脉冲
生成器被配置为生成擦除脉冲以及之后的编程脉冲，并且其中所述写
入周期控制器被配置为通过增大所述擦除脉冲和所述编程脉冲的所
述持续时间而增大所述写入周期的所述持续时间。
7.根据权利要求5所述的存储器器件，其特征在于，所述脉冲
包括电压斜坡以及之后的平台，并且其中所述写入周期控制器被配置
为通过增大所述电压斜坡的所述持续时间而增大所述脉冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·塔耶，M·巴蒂斯塔，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：新型
国别省市：法国;FR