被蚀刻加工材料制造技术

一种被蚀刻加工材料(1)，在基材(11)上具备有：具有图案宽度2μm以下、纵横比0.1～5.0的图案的掩模层(12)。此外，被放置在蚀刻加工时使用的承载构件(2)上时的整体热阻值在6.79×10‑3(m2·K/W)以下。在这里，整体热阻值指的是，承载构件(2)中被蚀刻加工材料(1)的放置区域(X)内的承载构件(2)的热阻值及基材(11)的热阻值、以及当承载构件(2)上存在被蚀刻加工材料(1)以外的其他构件时其他构件的热阻值之和，各热阻值为各构件的厚度除以构成各构件的材料的热导率λ所得的值。通过隔着掩模层(12)蚀刻被蚀刻加工材料(1)，在基材(11)上形成期望的微细凹凸结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及至少在表面存在微细图案掩模的被蚀刻加工材料。
技术介绍
以往，作为LSI制造中的微细图案加工技术，多使用光刻技术。光刻技术中，存在难以加工出图案尺寸小于曝光使用的光的波长的问题。此外，作为其他的微细图案加工技术，还有通过电子束描绘装置进行的掩模图案描绘技术(EB法)。EB法中，由于通过电子束直接绘制掩模图案，因此存在描绘图案越多描绘时间越长、至图案形成为止产量大幅下降的问题。此外，由于光刻法用曝光装置中的掩模位置的高精度控制、EB法用曝光装置中的电子束描绘装置的大型化等，这些方法还存在装置成本增加等问题。作为可以解决这些问题的微细图案加工技术，已知的有纳米压印技术。纳米压印技术，是通过将形成有微细图案的模具，按压在形成于被加工材料表面的抗蚀膜上，从而将形成在模具上的微细图案转印至抗蚀膜，以该抗蚀膜为掩模，对被加工材料进行干蚀刻，由此在被加工材料上形成微细凹凸结构的技术。该纳米压印法中，由于可以容易地调整抗蚀膜的厚度，因此即使图案微细，通过使抗蚀膜变厚，也可以容易地形成比使用光刻技术时更高纵横比的微细图案，由此可以在被加工材料表面形成微细图案掩模。现提出有如下技术：将通过此种方法得到的形成有微细凹凸结构的被加工材料用作半导体发光元件的基材，通过改变光的导波方向提高光提取效率(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2003-318441号公报
技术实现思路
但是，即使通过此种方法形成了微细且高纵横比的图案掩模，由于其微细且纵横比高，会因被加工材料干蚀刻时产生的热造成刻蚀损伤，因此有时微细图案掩模会变形，被加工材料中的微细凹凸结构无法形成理想的形状。除此以外，干蚀刻被加工材料时，为了同时处理多个而提高产量，工业上大多必须使用诸如输送托盘等的载物台。因此，即使干蚀刻装置上具有冷却结构，由于被加工材料与冷却结构之间存在载物台，因此冷却效果会下降，无法充分冷却干蚀刻时产生的热，被加工材料中的微细凹凸结构无法形成理想的形状。本专利技术鉴于此点，目的是提供可以形成期望的微细凹凸结构的被蚀刻加工材料。本专利技术者为了解决上述课题而反复深入研究后发现，将在基材上具备有具有微细凹凸结构的掩模层的被蚀刻加工材料，放置在蚀刻加工时使用的承载构件上时的整体热阻值满足特定条件时，可以减少蚀刻加工时产生的热所造成的刻蚀损伤，通过蚀刻可以在基材上形成理想的微细凹凸结构。即，首先，本专利技术的被蚀刻加工材料，是在基材上具备有掩模层的被蚀刻加工材料，该掩模层具有图案宽度2μm以下、纵横比0.1～5.0的图案。并且，本专利技术的被蚀刻加工材料，是在基材上具备有掩模层的被蚀刻加工材料，该掩模层具有图案宽度2μm以下、纵横比0.1～5.0的图案，优选所述被蚀刻加工材料放置在蚀刻加工时使用的承载构件上时，整体热阻值在6.79×10-3(m2·K/W)以下。(整体热阻值指的是，所述承载构件中的所述被蚀刻加工材料放置区域内的所述承载构件的热阻值及所述基材的热阻值、以及当所述承载构件上存在所述被蚀刻加工材料以外的其他构件时所述其他构件的热阻值之和，各热阻值为各构件的厚度除以构成所述各构件的材料的热导率λ的值。)本专利技术的被蚀刻加工材料中，当所述承载构件由多种材料构成时，优选所述承载构件的热阻值为，构成所述承载构件的每个材料所求得的热阻值中最小的热阻值。本专利技术的被蚀刻加工材料中，优选整体热阻值在3.04×10-3(m2·K/W)以下。本专利技术的被蚀刻加工材料中，优选整体热阻值在1.21×10-3(m2·K/W)以下。本专利技术的被蚀刻加工材料中，优选承载构件部分或全部由1种以上的以下材料的材料构成：硅(Si)、石英(SiO2)、铝(Al)、碳化硅(SiC)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氧化锆(ZrO2)、氧化钇(Y2O3)以及覆盖有它们中的任意1种以上的无机构件。本专利技术的被蚀刻加工材料中，优选作为所述承载构件的热阻值而进行计算的厚度在0.001m以上、0.05m以下。本专利技术的蚀刻方法，其特征在于，具备有：在基材上形成具有图案宽度2μm以下、纵横比0.1～5.0的图案的掩模层而得到被蚀刻加工材料的工序；以及在将所述被蚀刻加工材料放置在承载构件上、整体热阻值在6.79×10-3(m2·K/W)以下的状态下，将所述掩模层作为掩模，蚀刻所述基材的工序。(整体热阻值指的是，所述承载构件中的所述被蚀刻加工材料放置区域内的所述承载构件的热阻值及所述基材的热阻值、以及所述承载构件上存在所述被蚀刻加工材料以外的其他构件时所述其他构件的热阻值之和，各热阻值为各构件的厚度除以构成所述各构件的材料的热导率λ所得的值。)本专利技术的半导体发光元件，其特征在于，具备：具有蚀刻上述被蚀刻加工材料而得到的微细凹凸结构的基板、以及形成在所述基板上的半导体发光层。根据本专利技术，可以形成理想的微细凹凸结构，即均匀的图案形状(图案宽度和线条形状均匀)。附图说明[图1]显示本专利技术的实施方式涉及的被蚀刻加工材料的一例的图。[图2]显示承载构件的其他例子的图。[图3]显示纳米压印法的一例的图。[图4]显示纳米压印法使用的模具的一例的图。具体实施方式以下参照附图详细说明本专利技术的一个实施方式(以下简称为“实施方式”)。另外，本专利技术不限定于以下的实施方式，可在其主旨范围内进行变更而实施。本实施方式的被蚀刻加工材料，是在基材上具备有掩模层的被蚀刻加工材料，该掩模层具有图案宽度2μm以下、纵横比0.1～5.0的图案。此外，优选将所述被蚀刻加工材料放置在蚀刻加工时使用的承载构件上时，整体热阻值在6.79×10-3(m2·K/W)以下。(整体热阻值指的是，所述承载构件中的所述被蚀刻加工材料放置区域内的所述承载构件的热阻值及所述基材的热阻值、以及所述承载构件上存在所述被蚀刻加工材料以外的其他构件时所述其他构件的热阻值之和，各热阻值为各构件的厚度除以构成所述各构件的材料的热导率λ所得的值。)通过该构成，将具有高纵横比微细凹凸图案的掩模层作为掩模时，也可以减少蚀刻加工时产生的热造成的刻蚀损伤，通过蚀刻可以在基材上形成理想的微细凹凸结构。此外，通过将作为该被蚀刻加工材料的构成要素的承载构件用作运送构件，可以提升干蚀刻工序中的产量。图1是显示将被蚀刻加工材料放置在承载构件上的状态的图。图1所示的被蚀刻加工材料1具备有基材11和形成在基材11上的掩模层12。掩模层12的图案宽度(W)在2μm以下，掩模层12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种被蚀刻加工材料，其特征在于，在基材上具备有掩模层，该掩模层具有图案宽度2μm以下、纵横比0.1～5.0的图案。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.05.08 JP 2013-098809;2014.03.19 JP 2014-056841.一种被蚀刻加工材料，其特征在于，在基材上具备有掩模层，该掩模层具有图案宽度
2μm以下、纵横比0.1～5.0的图案。
2.根据权利要求1所述的被蚀刻加工材料，其特征在于，所述被蚀刻加工材料放置在蚀
刻加工时使用的承载构件上时，整体热阻值在6.79×10-3以下，该热阻值的单位为m2·K/W；
整体热阻值指的是以下热阻值之和：所述承载构件中所述被蚀刻加工材料的放置区域
内的所述承载构件的热阻值及所述基材的热阻值、以及当所述承载构件上存在所述被蚀刻
加工材料以外的其他构件时所述其他构件的热阻值；各热阻值为各构件的厚度除以构成所
述各构件的材料的热导率λ所得的值。
3.根据权利要求2所述的被蚀刻加工材料，其特征在于，当所述承载构件由多种材料构
成时，所述承载构件的热阻值...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂田勇男，
申请(专利权)人：旭化成株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP