液体处理方法和液体处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对基板的处理液的涂敷状态的均匀性。涂敷单元(U1)包括：使晶片(W)旋转的旋转保持部(20)；向晶片(W)的表面(Wa)上供给处理液(R)的喷嘴(32)；和控制喷嘴(32)相对于晶片(W)的位置的控制部(60)。液体处理方法使晶片(W)以第一转速(ω1)旋转，同时在从晶片(W)的旋转中心(CL1)偏离的位置开始对晶片(W)的表面(Wa)供给处理液(R)，使处理液(R)的供给位置向旋转中心(CL1)侧移动，在处理液(R)的供给位置到达旋转中心(CL1)之后，以比第一转速(ω1)大的第二转速(ω2)使晶片(W)旋转，由此使处理液(R)在晶片(W)的外周侧涂敷扩展。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液体处理方法、液体处理装置和记录介质。
技术介绍
例如在半导体的制造工艺中，对基板实施各种各样的液体处理。在液体处理中，存在对基板涂敷的处理液中混入了气泡的情况。作为用于除去混入在处理液中的气泡的装置，例如在专利文献1中，公开有在供给处理液的供给配管中设置有去泡用配管的液体处理装置。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2－119929号公报
技术实现思路
专利技术想要解决的技术问题但是，通过专利文献1记载的液体处理装置，即使除去处理液中的气泡，也存在处理液到达基板时气泡混入到处理液中的情况。当该气泡残留在基板上时，基板上的处理液的涂敷状态有可能变得不均匀。本公开的目的在于提供一种液体处理方法、液体处理装置和液体处理用记录介质，能够提高对于基板的处理液的涂敷状态的均匀性。用于解决技术问题的技术方案本专利技术的液体处理方法包括：使基板以第一转速旋转，同时在偏离基板的旋转中心的位置开始向基板的表面供给处理液，并使处理液的供给位置向所述旋转中心侧移动；和在处理液的供给位置到达旋转中心后，通过使基板以比所述第一转速大的第二转速旋转，将处理液涂敷扩展到基板的外周侧。向处理液中的气泡的混入有在处理液到达基板时容易发生的倾向。对此，在本专利技术的公开中，通过在从旋转中心偏离的位置开始向基板的表面供给处理液，由此供给开始时的气泡的混入在从旋转中心偏离的位置发生。在以第二转速涂敷扩展处理液时，在从旋转中心偏离的位置产生的离心力比在旋转中心附近产生的离心力大。另外，从旋转中心偏离的位置直至基板的周缘的距离比自旋转中心到基板的周缘的距离短。因此，供给开始时混入的气泡容易到达基板的周缘，所以难以残留在基板的表面。另外，在处理液的供给开始后，在基板旋转的状态下，供给位置向旋转中心侧移动，因此在基板的表面，处理液呈螺旋状地被涂敷。直至处理液的供给位置达到旋转中心的基板的转速是比将处理液涂敷扩展时的第二转速小的第一转速。因此，能够抑制螺旋状地涂敷时的处理液的扩散。由此，在以第二转速涂敷扩展处理液之前，形成大致圆形的处理液的液积存。由此，在使基板以第二转速旋转时，处理液容易在基板整周均匀地扩散。如上所述，基板上的气泡的残留被抑制，并且由于处理液容易在基板的整周扩散，所以能够提高处理液的涂敷状态的均匀性。还包括：在基板的表面中，在比处理液的供给开始位置靠外周侧的区域中，涂敷促进处理液向外周侧的扩散的液体。在涂敷有促进处理也的扩散的液体的区域中，处理液容易在基板的表面上扩散。因此，上述气泡更容易到达基板的周缘。因此，能够进一步抑制基板上的气泡的残留。在距旋转中心的距离相对于基板的半径为大于0％且小于等于40％的位置开始处理液的供给。如上所述，在从旋转中心偏离的位置开始处理液的供给，由此，供给开始时混入的气泡容易到达基板的周缘。另一方面，当使供给位置与旋转中心过于疏远(远离)时，以第一转速形成液积存时需要长时间，直至完成涂敷的处理时间变长。与此不同，通过使处理液的供给开始位置在相对于基板的半径为大于0％且小于等于40％的位置，能够将处理时间保持在容许范围内，并且能够抑制气泡的残留。当使基板以第一转速旋转时，与使基板以第二转速旋转时相比，使每单位时间向基板的表面供给的处理液的供给量减少。在该情况下，能够抑制在液积存的形成中的气泡的混入。因此，能够进一步抑制基板上的气泡的残留。当开始处理液的供给时，与向旋转中心侧移动时供给的处理液的供给量相比，使每单位时间向基板的表面供给的处理液的供给量减少。在该情况下，能够进一步抑制供给开始时的气泡的混入。因此，能够进一步抑制气泡的残留。在开始处理液的供给之后，在将处理液的供给位置向旋转中心侧移动前，使基板至少旋转一周。在该情况下，在基板的表面螺旋状地涂敷处理液之后，在其内侧螺旋状地涂敷处理液。因此，液积存的形状更接近圆形。由此，能够抑制处理液的液积存在周向上变得不均匀，因此，在使基板以第二转速旋转时，处理液容易相对于基板整周更均匀地扩散。随着处理液的供给位置靠近旋转中心，使处理液的供给位置的移动速度提高。在该情况下，上述液积存中的液体的厚度的均匀性提高，因此在使基板以第二转速旋转时，处理液更加容易扩散。随着处理液的供给位置靠近旋转中心，使基板的转速提高。在该情况下，上述液积存中的液体的厚度的均匀性提高，因此在使基板以第二转速旋转时，处理液更加容易扩散。当使基板以第二转速旋转时，与使基板以第一转速旋转时相比，缩短向基板的处理液的排出口与基板的所述表面的距离。当使基板的转速从第一转速提高到第二转速时，从排出口到基板的处理液的液柱被基板的旋转拖拉而倾斜，由此存在基板的表面的处理液的涂敷状态变得不均匀的情况。与此不同，当使基板以第二转速旋转时，处理液的排出口与基板的表面的距离缩短，由此上述液柱的倾斜消失，因此能够进一步提高基板上的处理液的涂敷状态的均匀性。本专利技术公开的液体处理装置包括：保持基板并使其旋转的旋转保持部；配置在基板的上方的喷嘴；移动喷嘴的喷嘴移动部；向喷嘴供给处理液的处理液供给部；和控制部，该控制部执行：控制旋转保持部使基板以第一转速旋转，控制喷嘴移动部使喷嘴移动到从基板的旋转中心偏离的位置，控制处理液供给部，在从基板的旋转中心偏离的位置向基板的表面开始供给处理液，控制喷嘴移动部，使处理液的供给位置向旋转中心侧移动；和在处理液的供给位置到达旋转中心后，控制旋转保持部，使基板以比第一转速大的第二转速旋转，由此涂敷扩展处理液。本专利技术公开一种记录介质，记录有用于使上述的液体处理方法在装置中执行的程序。专利技术效果根据本专利技术的公开，能够提高处理液对基板的涂敷状态的均匀性。附图说明图1是表示本实施方式的基板处理系统的概略机构的立体图。图2是沿图1中的Ⅱ-Ⅱ线的截面图。图3是沿图2中的Ⅲ-Ⅲ线的截面图。图4是表示涂敷单元的概略结构的示意图。图5是表示液体处理方法的执行步骤的流程图。图6是示意性表示在基板的表面涂敷处理液的状况的侧视图。图7是示意性表示在基板的表面涂敷处理液的状况的侧视图。图8是示意性表示在基板的表面涂敷处理液的状况的侧视图。图9是示意性表示在基板的表面涂敷处理液的状况的侧视图。图10是示意性表示在基板的表面涂敷处理液的状况的侧视图。图11是表示基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液体处理方法，其特征在于，包括：使基板以第一转速旋转，同时在从所述基板的旋转中心偏离的位置开始向所述基板的表面供给处理液，并使所述处理液的供给位置向所述旋转中心侧移动；和在所述处理液的供给位置到达所述旋转中心后，使所述基板以比所述第一转速大的第二转速旋转，由此使所述处理液涂敷扩展到所述基板的外周侧。

【技术特征摘要】
2015.01.15 JP 2015-0060321.一种液体处理方法，其特征在于，包括：
使基板以第一转速旋转，同时在从所述基板的旋转中心偏离的位
置开始向所述基板的表面供给处理液，并使所述处理液的供给位置向
所述旋转中心侧移动；和
在所述处理液的供给位置到达所述旋转中心后，使所述基板以比
所述第一转速大的第二转速旋转，由此使所述处理液涂敷扩展到所述
基板的外周侧。
2.如权利要求1所述的液体处理方法，其特征在于,还包括：
在所述基板的表面中，在比所述处理液的供给开始位置靠所述基
板的外周侧的区域中，涂敷促进所述处理液的扩散的液体。
3.如权利要求1或2所述的液体处理方法，其特征在于：
在距所述旋转中心的距离相对于所述基板的半径为大于0％且小
于等于40％的位置开始所述处理液的供给。
4.如权利要求1～3中任一项所述的液体处理方法，其特征在于：
当使所述基板以所述第一转速旋转时，与使所述基板以所述第二
转速旋转时相比，使每单位时间向所述基板的表面供给的所述处理液
的供给量减少。
5.如权利要求1～4中任一项所述的液体处理方法，其特征在于：
当开始所述处理液的供给时，与向所述旋转中心侧移动时相比，
使每单位时间向所述基板的表面供给的所述处理液的供给量减少。
6.如权利要求1～5中任一项所述的液体处理方法，其特征在于：
在开始所述处理液的供给...

【专利技术属性】
技术研发人员：桥本崇史，畠山真一，柴田直树，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP