钠硫电池中陶瓷与金属的封接工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种钠硫电池中陶瓷与金属的封接工艺，步骤为：采用4J33铁镍合金经渗铬处理；钎焊处理，钎料采用5B05铝合金，升温至600℃保温；升温至630℃‑650℃，采用真空微压钎焊处理，炉冷至300℃；充氮气快速冷却，至室温出炉。本发明专利技术的钠硫电池中陶瓷与金属的封接工艺，可解决目前生产率低，无法产业化的问题，封接综合性能好，成品率高。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种钠硫电池中陶瓷与金属的封接工艺，其特征在于步骤如下：S1.金属采用4J33铁镍合金，经渗铬处理；S2.真空钎焊处理，钎料采用5B05铝合金，进行真空钎焊处理；真空钎焊的步骤包括：S201.随炉升温至600℃，保温；S202.升温至630℃‑650℃；S203.进行真空微压钎焊处理，钎焊温度控制在630℃‑650℃；S204.炉冷至300℃；S205.充气快速冷却，至室温出炉。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：卢军，王琦，王静，沈育伟，孙维超，沈正元，倪慧，朱青，
申请(专利权)人：上海市机械制造工艺研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31