处理半导体衬底的方法和半导体芯片技术

技术编号:13420027 阅读:81 留言:0更新日期:2016-07-27 20:54
本发明专利技术涉及处理半导体衬底的方法以及半导体芯片。提供了一种处理半导体衬底的方法。方法可以包含:在半导体衬底的第一侧之上形成膜;在半导体衬底中在半导体衬底的第一区段与第二区段之间形成至少一个分离区段;将半导体衬底布置在断裂装置上,其中断裂装置包括断裂边缘,并且其中半导体衬底被布置成所述膜面向断裂装置并且位于其中至少一个分离区段与断裂边缘对齐的至少一个对齐位置中;以及迫使半导体衬底在断裂边缘之上关于第二区段弯曲第一区段直到所述膜在断裂边缘与至少一个分离区段之间分离。

【技术实现步骤摘要】

各种实施例通常涉及处理半导体衬底的方法并且涉及半导体芯片。
技术介绍
半导体装置,例如半导体芯片(也称为管芯),可以例如在其背侧上包含用于将半导体装置附着到载体上(例如到引线框架上)的膜。所述膜可以称为管芯附着膜(DAF)。所述膜可以是电介质。替选地,它可以是电传导的,在这种情况下,它可以称为传导的管芯附着膜(C-DAF)。所述膜,例如管芯附着膜,可以包含各种材料,例如环氧树脂和/或银。在使用锯切刀片的晶片的分离过程(这可以称为晶片的锯切或切割)期间,这些材料可以损害锯切刀片,例如包含镍粘结剂的锯切刀片。锯切质量可以因此快速恶化。这可以导致在半导体装置的侧壁上的划痕和/或所谓的切屑(从半导体装置,例如从其背侧,脱落的半导体材料的小碎片)。划痕和/或切屑可以削弱半导体装置的功能性和/或抗断性。
技术实现思路
提供了处理半导体衬底的方法。所述方法可以包含:在半导体衬底的第一侧之上形成膜;在半导体衬底中在半导体衬底的第一区段与第二区段之间形成至少一个分离区段;将半导体衬底布置在断裂装置上。所述断裂装置包含断裂边缘,并且半导体衬底被布置成所述膜面向所述断裂装置并且位于其中所述至少一个分离区段与断裂边缘对齐的至少一个对齐位置中。所述方法可以进一步包含迫使半导体衬底在断裂边缘之上关于第二区段使第一区段弯曲直到所述膜在断裂边缘与所述至少一个分离区段之间分离。附图说明在附图中,贯穿不同的视图,同样的参考字符通常指代相同的部分。附图未必成比例,重点反而通常被放在图解本专利技术的原理上。在下面的描述中,参考下面的附图描述了本专利技术的各种实施例,在所述附图中:图1A至1C作为横截面视图示出根据各种实施例的处理半导体衬底的方法的各种阶段和/或过程;图2A至2D作为横截面视图示出根据各种实施例的处理半导体衬底的方法的各种阶段和/或过程;以及图3A至3E作为透视示意视图3A至3C以及横截面示意视图3D和3E示出根据各种实施例的处理半导体衬底的方法的各种阶段和/或过程;图4A至4E使根据各种实施例的处理半导体衬底的方法的不同方面可视化;图5示出根据各种实施例的处理半导体衬底的方法的示意图;图6示出根据各种实施例的处理半导体衬底的方法的示意图;图7示出根据各种实施例的处理半导体衬底的方法的方面的示意图;以及图8示出根据各种实施例的半导体芯片的横截面视图。具体实施方式下面的具体描述涉及经由图解示出在其中可以实践本专利技术的特定细节和实施例的附图。词语“示例性”在本文中用于意指“用作示例、例子或图解”。在本文中描述为“示例性”的任何实施例或设计未必将被解释为比起其他实施例或设计是优选的或有益的。关于“在侧或表面之上形成的沉积的材料”所使用的词语“在...之上”在本文中可以用于意指所述沉积的材料可以“直接在暗指的侧或表面上”形成,例如直接与暗指的侧或表面接触而形成。关于“在侧或表面之上形成的沉积的材料”所使用的词语“在...之上”在本文中可以用于意指所述沉积的材料可以“间接在暗指的侧或表面上”形成,其中一个或多个附加的层被布置在暗指的侧或表面与沉积的材料之间。词语“切割”在本文中可以用于意指把半导体衬底(例如,晶片)分成多个个别的部分(例如,芯片)的通常的过程。词语“切割”在本文中可以用于意指通过锯切把半导体衬底(例如,晶片)分成多个个别的部分(例如,芯片)的过程。可以从分别的上下文得出分别的过程是否可以受限于切割或者是否可以使用任何适合的分离过程。为装置提供本公开的各种方面,并且为方法提供本公开的各种方面。将理解的是装置的基本属性也适用于方法,并且反之亦然。因此,为简洁起见,这样的属性的重复描述可以被省略。在各种实施例中,可以提供处理半导体衬底的方法,该方法可以包含用于将半导体衬底与形成在半导体衬底上的膜(例如,被配置为将半导体衬底附着到载体(例如,到引线框架)的膜(也被称为管芯附着膜(DAF)))分离的两部分过程。在两部分过程的第一部分期间,可以(例如通过至少部分移除半导体衬底或者通过使其弱化用于稍后将其分离)处理半导体衬底用于将其分离。在两部分过程的第二部分期间,可以使用具有断裂边缘的断裂装置来分离所述膜。所述膜例如可以通过在所述断裂边缘之上将所述膜弯曲直到其在半导体衬底的处理的区段与断裂边缘之间断裂而被分离。因此,半导体衬底的以及例如个别半导体装置(例如半导体衬底可以被分离成的半导体芯片(也被称为管芯))的例如通过刮划和/或切屑的损害可以被避免。在各种实施例中,个别的半导体装置的功能性、断裂强度和/或可靠性可以因此被改善。图1A至1C作为横截面视图示出根据各种实施例的处理半导体衬底102的方法的各种阶段和/或过程。如在图1A中所示出的那样,半导体衬底102可以包含第一表面102S1和与第一表面102S1相对的第二表面102S2。半导体衬底102可以包含从第二表面102S2延伸到半导体衬底102中的至少一个有源区段(未示出),其可以包含至少一个电子装置。第二表面102S2可以因此还被称为有源表面102。第二表面102S2可以被布置在半导体衬底102的第二侧上。第一表面102S1还可以被称为背表面102S1。第一表面102S1可以被布置在半导体衬底102的第一侧上。在各种实施例中,半导体衬底102可以包含以下材料或者基本上由以下材料组成:任何类型的半导体材料,例如一般用于形成集成电路的半导体材料,例如硅、锗、像砷化镓或碳化硅的半导体化合物等。在各种实施例中,半导体衬底102可以是晶片,例如硅晶片。包含在晶片中的至少一个有源区段可以是多个有源区段。晶片可以被配置为被分离成多个个别的芯片,芯片中的每个可以包含至少一个有源区段。在各种实施例中,半导体衬底102可以具有厚度102T。半导体衬底102的厚度102T可以在从大约50μm至大约2mm的范围内,例如晶片的典型的厚度(例如约675μm、约725μm、约775μm等)或者例如通过对晶片减薄(例如通过减薄到在从大约50μm至大约400μm的范围内的厚度)而得到的不同的厚度。处理半导体衬底102的方法可以包含在半导体衬底102中形成至少一个分离区段108。分离区段108可以被形成在半导体衬底102的第一区段1021与第二区段1022之间。至少一个分离区段108可以横向临近第一区段1021并且临近第二区段1022。至少一个分离区段108可以例如作为基本上直的区段在半导体衬底102中横向延伸,例如从半导体衬底102的圆周表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理半导体衬底的方法,所述方法包括:在半导体衬底的第一侧之上形成膜;在半导体衬底中在半导体衬底的第一区段与第二区段之间形成至少一个分离区段;将半导体衬底布置在断裂装置上,其中断裂装置包括断裂边缘,并且其中半导体衬底被布置成所述膜面向断裂装置并且位于其中至少一个分离区段与断裂边缘对齐的至少一个对齐位置中;以及迫使半导体衬底在断裂边缘之上关于第二区段使第一区段弯曲,直到所述膜在断裂边缘与至少一个分离区段之间分离。

【技术特征摘要】
2015.01.21 DE 102015100827.01.一种处理半导体衬底的方法,所述方法包括:
在半导体衬底的第一侧之上形成膜;
在半导体衬底中在半导体衬底的第一区段与第二区段之间形成至少一个分离区段;
将半导体衬底布置在断裂装置上,其中断裂装置包括断裂边缘,并且其中半导体衬底
被布置成所述膜面向断裂装置并且位于其中至少一个分离区段与断裂边缘对齐的至少一
个对齐位置中;以及
迫使半导体衬底在断裂边缘之上关于第二区段使第一区段弯曲,直到所述膜在断裂边
缘与至少一个分离区段之间分离。
2.根据权利要求1所述的方法,
其中,所述膜至少在迫使半导体衬底在断裂边缘之上关于第二区段使第一区段弯曲直
到所述膜在断裂边缘与至少一个分离区段之间分离期间是刚性的。
3.根据权利要求1或2所述的方法,
其中所述膜是管芯附着膜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,
其中迫使半导体衬底关于第二区段使第一区段弯曲包括施加真空抽吸力到半导体衬
底。
5.根据权利要求4所述的方法,
其中断裂装置进一步包括在断裂边缘处联接的第一表面和第二表面,并且
其中真空抽吸力被提供在断裂边缘处以朝着第一表面抽吸第一区段和朝着第二表面
抽吸第二区段。
6.根据权利要求5所述的方法,
其中第一表面从第二表面的平面凹进。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,
其中半导体衬底是晶片。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法,
其中将半导体衬底布置在断裂装置上在至少一个对齐位置中包括将半导体衬底放置
在断裂装置上并且将半导体衬底和断裂装置相对于彼此移动到至少一个对齐位置。
9.根据权利要求8所述的方法,
其中将半导体衬底和断裂装置相对于...

【专利技术属性】
技术研发人员:K卡斯帕尔F马里亚尼
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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