双向DC/DC变换器电路和双向DC/DC变换装置制造方法及图纸

技术编号:13419947 阅读:62 留言:0更新日期:2016-07-27 20:41
本发明专利技术公开了一种双向DC/DC变换器电路,包括:双向DC/DC变换器和缓冲电路;其中:双向DC/DC变换器包括第一直流正端、第一直流负端、第二直流正端、第二直流负端,第一直流负端和第二直流负端相连且与缓冲电路的第一端相连;第一直流正端和缓冲电路的第二端分别连接第一直流电压的正、负端,第二直流正端和所述缓冲电路的第二端分别用于连接第二直流电压的正、负端。本发明专利技术采用一路缓冲电路即可实现对双向DC/DC变换器的保护,减少了器件的使用个数,降低了成本。本发明专利技术还公开了一种双向DC/DC变换装置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及DC/DC变换器
,尤其涉及一种双向DC/DC变换器电路和双向DC/DC变换装置
技术介绍
能源是人类赖以生存和社会发展进步的基础,当今经济的飞速发展使得对能源的需求日益增长;但是煤炭、石油和天然气等化石能源逐渐枯竭,而且其在使用过程中对环境造成了非常严重的污染和破坏,使得能源和环境问题成为了21世纪人类迫切需要解决的两大问题。近年来,随着世界各国的努力开发和研究,人类在可再生能源的应用领域取得了巨大的进步。双向DC/DC变换器,能将一种直流电能转换成另一种形式的直流电能,主要对电压、电流实现变换。它在可再生能源、电力系统、交通、航天航空、计算机和通讯、家用电器、国防军工、工业控制等领域得到了广泛的应用。现有技术中,为了对双向DC/DC变换器进行保护,在其两端的直流侧均加上缓冲电路,由此可以看出,现有的这种保护方式需要用到两路缓冲电路,存在使用器件多、成本高等问题。
技术实现思路
本专利技术提供了一种双向DC/DC变换器电路,采用一路缓冲电路即可实现对双向DC/DC变换器的保护,减少了器件的使用个数,降低了成本。本专利技术提供了一种双向DC/DC变换器电路,包括:双向DC/DC变换器和缓冲电路;其中:所述双向DC/DC变换器包括第一直流正端、第一直流负端、第二直流正端、第二直流负端,所述第一直流负端和所述第二直流负端相连且与缓冲电路的第一端相连;所述第一直流正端和所述缓冲电路的第二端分别连接第一直流电压的正、负端,所述第二直流正端和所述缓冲电路的第二端分别用于连接第二直流电压的正、负端。优选地,所述双向DC/DC变换器包括:第一IGBT管、第二IGBT管、第一二极管、第二二极管、第一电容、第二电容和电感,其中:所述第一IGBT管的集电极与所述第一直流正端相连,第一IGBT管的发射极与所述第二IGBT管的集电极相连,第二IGBT管的发射极分别与所述第一直流负端和所述第二直流负端相连,所述第二二极管的阳极与所述第二IGBT管的发射极相连,所述第二二极管的阴极与所述第二IGBT管的集电极相连,所述第一二极管的阳极与所述第一IGBT管的发射极相连,所述第一二极管的阴极与所述第一IGBT管的集电极相连;所述第一电容的两端分别与所述第一直流正端和所述第一直流负端相连,所述第二电容的两端分别与所述第二直流正端和所述第二直流负端相连;所述电感的一端与所述第一IGBT管的发射极相连,所述电感的另一端与所述第二直流正端相连。优选地,所述双向DC/DC变换器包括:第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管、第四IGBT管、第五IGBT管、第六IGBT管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第一电容、第二电容、第一电感、第二电感和第三电感,其中:所述第一IGBT管的集电极与所述第一直流正端相连,第一IGBT管的发射极与所述第二IGBT管的集电极相连,第二IGBT管的发射极分别与所述第一直流负端和所述第二直流负端相连;所述第一二极管的阳极与所述第一IGBT管的发射极相连,所述第一二极管的阴极与所述第一IGBT管的集电极相连;所述第二二极管的阳极与所述第二IGBT管的发射极相连,所述第二二极管的阴极与所述第二IGBT管的集电极相连;所述第一电感的一端与所述第一IGBT管的发射极相连,所述第一电感的另一端与所述第二直流正端相连;所述第一电容的两端分别与所述第一直流正端和所述第一直流负端相连,所述第二电容的两端分别与所述第二直流正端和所述第二直流负端相连;所述第三IGBT管的集电极与所述第一直流正端相连,第三IGBT管的发射极与所述第四IGBT管的集电极相连,第四IGBT管的发射极分别与所述第一直流负端和所述第二直流负端相连;所述第三二极管的阳极与所述第三IGBT管的发射极相连,所述第三二极管的阴极与所述第三IGBT管的集电极相连;所述第四二极管的阳极与所述第四IGBT管的发射极相连,所述第四二极管的阴极与所述第四IGBT管的集电极相连;所述第二电感的一端与所述第三IGBT管的发射极相连,所述第二电感的另一端与所述第二直流正端相连;所述第五IGBT管的集电极与所述第一直流正端相连,第五IGBT管的发射极与所述第六IGBT管的集电极相连,第六IGBT管的发射极分别与所述第一直流负端和所述第二直流负端相连;所述第五二极管的阳极与所述第五IGBT管的发射极相连,所述第五二极管的阴极与所述第五IGBT管的集电极相连;所述第六二极管的阳极与所述第六IGBT管的发射极相连,所述第六二极管的阴极与所述第六IGBT管的集电极相连;所述第三电感的一端与所述第五IGBT管的发射极相连,所述第三电感的另一端与所述第二直流正端相连。优选地,所述缓冲电路包括:可控开关和限流电阻;其中所述限流电阻并联在所述可控开关两端。优选地,所述可控开关为接触器。优选地,所述可控开关为继电器。优选地,所述可控开关为可控硅。一种双向DC/DC变换装置,包括:双向DC/DC变换器电路。由上述方案可知,本专利技术提供的一种双向DC/DC变换器电路,包括双向DC/DC变换器和缓冲电路,双向DC/DC变换器包括第一直流正端、第一直流负端、第二直流正端、第二直流负端,第一直流负端和所述第二直流负端相连且与缓冲电路的第一端相连;第一直流正端和所述缓冲电路的第二端分别连接第一直流电压的正、负端,第二直流正端和所述缓冲电路的第二端分别用于连接第二直流电压的正、负端。通过采用一路缓冲电路就可以实现对双向DC/DC变换器的保护,减少了器件的使用个数,降低了成本。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一公开的一种双向DC/DC变换器电路的示意图;图2为本专利技术实施例二公开的一种双向DC/DC变换器电路的示意图;图3为本专利技术实施例三公开的一种双向DC/DC变换器电路的示意图;图4为本专利技术实施例四公开的一种双向DC/DC变换装置的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向DC/DC变换器电路,其特征在于,包括:双向DC/DC变换器和缓冲电路;其中:所述双向DC/DC变换器包括第一直流正端、第一直流负端、第二直流正端、第二直流负端,所述第一直流负端和所述第二直流负端相连且与缓冲电路的第一端相连;所述第一直流正端和所述缓冲电路的第二端分别连接第一直流电压的正、负端,所述第二直流正端和所述缓冲电路的第二端分别用于连接第二直流电压的正、负端。

【技术特征摘要】
1.一种双向DC/DC变换器电路,其特征在于,包括:双向DC/DC变换
器和缓冲电路;其中:
所述双向DC/DC变换器包括第一直流正端、第一直流负端、第二直流正
端、第二直流负端,所述第一直流负端和所述第二直流负端相连且与缓冲电
路的第一端相连;
所述第一直流正端和所述缓冲电路的第二端分别连接第一直流电压的
正、负端,所述第二直流正端和所述缓冲电路的第二端分别用于连接第二直
流电压的正、负端。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述双向DC/DC变换器
包括:第一IGBT管、第二IGBT管、第一二极管、第二二极管、第一电容、
第二电容和电感,其中:
所述第一IGBT管的集电极与所述第一直流正端相连,第一IGBT管的发
射极与所述第二IGBT管的集电极相连,第二IGBT管的发射极分别与所述第
一直流负端和所述第二直流负端相连,所述第二二极管的阳极与所述第二
IGBT管的发射极相连,所述第二二极管的阴极与所述第二IGBT管的集电极
相连,所述第一二极管的阳极与所述第一IGBT管的发射极相连,所述第一二
极管的阴极与所述第一IGBT管的集电极相连;
所述第一电容的两端分别与所述第一直流正端和所述第一直流负端相
连,所述第二电容的两端分别与所述第二直流正端和所述第二直流负端相连;
所述电感的一端与所述第一IGBT管的发射极相连,所述电感的另一端与
所述第二直流正端相连。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述双向DC/DC变换器
包括:第一IGBT管、第二IGBT管、第三IGBT管、第四IGBT管、第五IGBT
管、第六IGBT管、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第
五二极管、第六二极管、第一电容、第二电容、第一电感、第二电感和第三
电感,其中:
所述第一IGBT管的集电极与所述第一直流正端相连,第一IGBT管的发
射极与所述第二IGBT管的集电极相连,第二IGBT管的发射极分别与所述第

\t一直流负端和所述第二直流负端相连;所述第一二极管的阳极与所述第一
IGBT管的发射极相连,所述第一二极管的阴极与所述第一IGBT...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈高辉
申请(专利权)人:苏州英威腾电力电子有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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