【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种同轴馈电低阻侧壁阶跃阻抗的三极化半槽天线，其特征在于该天线包括三个相互垂直放置的单极化的金属侧壁阶跃阻抗天线(13)；每个单极化的金属侧壁阶跃阻抗天线(13)包括介质基板(1)、设置在介质基板(1)上的金属地(2)和辐射槽缝(3)、同轴馈线(4)；介质基板(1)的一面是金属地(2)，同轴馈线(4)的外导体(5)与金属地(2)相贴连接；金属地(2)上有辐射槽缝(3)，辐射槽缝(3)的形状是矩形，辐射槽缝(3)位于金属地(2)的中心；辐射槽缝(3)的一端短路，另一端(6)开路；在辐射槽缝(3)靠近开路端的部分，其槽缝的两个边缘，有两条金属化侧壁(7)，使得辐射槽缝(3)靠近开路端的部分的特性阻抗变低，形成低阻槽缝(8)；辐射槽缝(3)的其余部分是高阻槽缝(9)，高阻槽缝(9)和低阻槽缝(8)一起构成阶跃阻抗辐射槽缝(3)，产生一个频率较低的低频工作频带和一个频率较高的高频工作频带；金属化侧壁(7)穿越介质基板(1)，一头与金属地(2)相连，另一头在介质基板(1)的另一面；同轴馈线(4)的一端是天线的端口(10)，同轴馈线(4)另一端的内导体(12)跨过高阻槽缝(9)，在高阻槽缝(9)的...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李玉福，殷晓星，赵洪新，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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