基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路制造技术

本发明专利技术提出了一种基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路，其包括功率单元模块(1)和电流补偿模块(2)。电流补偿模块连接在功率单元模块的输入端，用于控制功率单元模块的输入电流；功率单元模块由磷化铟异质结双极晶体管Q1组成，电流补偿模块由倒向偏置的磷化铟异质结双极晶体管Q2、直流电压源DC和电阻R组成。Q2的基极与Q1的基极相连接，电阻R作为控制开关，连接在Q2的集电极和地之间，直流电压源DC的正极与Q2的发射极相连，负极接地。本发明专利技术根据负反馈补偿原理，补偿了InP异质结双极晶体管自热效应，稳定了直流工作点，改善了晶体管输出的线性度，可用于指导射频和微波电路的直流偏置设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电路设计
，特别涉及一种基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路，用于改善InP异质结双极晶体管的自热效应，指导射频和微波电路的直流偏置设计。
技术介绍
磷化铟异质结双极晶体管InPHBT具有超高的频率特性，较大的功率密度和良好的线性度，被广泛应用在微波毫米波以及更高频率的电路中。但是，InPHBT的高功率密度容易导致器件及电路的工作温度不断升高。增加的器件结温会直接影响器件的电学性能，加重自热效应，导致器件失效，影响电路可靠性。因此，改善InPHBT的自热效应对于提高电路稳定性具有重要意义。对于工作在正向放大区的InPHBT，自热效应以及它对器件电学特性的影响如下述表达式所示：Tj＝TA+RthVCEIC I C = I S exp { q ηκT A [ V B E + φ ( T j - T A ) ]

【技术保护点】
一种基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路，包括功率单元模块(1)，该功率单元模块(1)采用InP异质结双极晶体管Q1组成，其特征在于，在功率单元模块(1)的输入端连接有电流补偿模块(2)，用于控制功率单元模块(1)的输入电流大小；所述电流补偿模块(2)，由倒向偏置的InP异质结双极晶体管Q2、一个电阻R和一个直流电压源DC组成，该Q2的基极与Q1的基极相连接，电阻R作为控制开关，其一端连接在Q2的集电极，另一端接地，直流电压源DC的正极与Q2的发射极相连，负极接地。

【技术特征摘要】
1.一种基于倒向偏置补偿的InP异质结双极晶体管电路，包括功率单元模块(1)，该功
率单元模块(1)采用InP异质结双极晶体管Q1组成，其特征在于，在功率单元模块(1)的输入
端连接有电流补偿模块(2)，用于控制功率单元模块(1)的输入电流大小；
所述电流补偿模块(2)，由倒向偏置的InP异质结双极晶体管Q2、一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕红亮，武岳，朱莉，张义门，张玉明，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61