本实用新型专利技术涉及一种球形半导体激光器，包括基座、荧光层及玻璃层，所述基座上方设置有栅极一、栅极二，所述栅极一、栅极二之间设置有发射枪一、发射枪二，所述发射枪一、发射枪二之间设置有发射极安装座，所述安装座上设置有发射极，所述基座与荧光层及玻璃层形成封闭结构。本实用新型专利技术结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种球形半导体激光器。
技术介绍
场发射电极理论最早是在1928年由R.H.Eowler与L.W.Nordheim共同提出，不过真正以半导体制程技术研发出场发射电极元件，开启运用场发射电子做为显示器技术，则是在1968年由C.A.Spindt提出，随后吸引后续的研究者投入研发。目前，半导体激光器取代传统阴极发射管成为必然趋势，但是半导体激光器仍然面临诸多问题，例如结构复杂、封装困难、制造成本高、发射率低、亮度不均匀等问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀的半导体激光器。本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种球形半导体激光器，包括基座、荧光层及玻璃层，所述基座上方设置有栅极一、栅极二，所述栅极一、栅极二之间设置有发射枪一、发射枪二，所述发射枪一、发射枪二之间设置有发射极安装座，所述安装座上设置有发射极，所述基座与荧光层及玻璃层形成封闭结构。外部给半导体激光器施加高压，促使激光器内部栅极与发射极之间形成高压电场，所述高压电场激发发射枪产生高能电子束，所述高能电子束打在荧光层上，使得电子、空穴发生高速碰撞产生荧光效应。在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进。进一步，所述荧光层及玻璃层之间设置有真空层，所述真空层中填充有氮气，用于防止空气进入激光器内，在高温条件下产生氧化损坏荧光层及其他内部器件。进一步，所述发射枪为两个或以上，所述多个发射枪有助于缩短半导体激光器内激发时间，提高发射率。进一步，所述基座为绝缘材料制成，用于栅极及发射极之间的绝缘。进一步，所述荧光层为银/氧化锌复合层，由于氧化锌层具有均匀的纳米结构，因此与银复合作为荧光层，可提升银中电子、空穴碰撞几率，从而提高银的荧光效应强度。本技术的有益效果是:结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。【附图说明】图1为本技术一种球形半导体激光器装置结构示意图；附图中，各标号所代表的部件列表如下:1、基座，2、玻璃层，3、荧光层，4、真空层，5、栅极一，6、发射枪一，7、发射极安装座，8、发射枪二，9、栅极二。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。如图1所示，一种球形半导体激光器，包括基座1、荧光层3及玻璃层2，所述基座I上方设置有栅极一 5、栅极二 9，所述栅极一 5、栅极二 9之间设置有发射枪一 6、发射枪二 8，所述发射枪一 6、发射枪二 8之间设置有发射极安装座7，所述安装座7上设置有发射极10，所述基座I与荧光层3及玻璃层2形成封闭结构。外部给半导体激光器施加高压，促使激光器内部栅极与发射极10之间形成高压电场，所述高压电场激发发射枪产生高能电子束，所述高能电子束打在荧光层3上，使得电子、空穴发生高速碰撞产生荧光效应。所述荧光层3及玻璃层2之间设置有真空层4，所述真空层4中填充有氮气，用于防止空气进入激光器内，在高温条件下产生氧化损坏荧光层3及其他内部器件。所述发射枪为两个或以上，所述多个发射枪有助于缩短半导体激光器内激发时间，提高发射率。所述基座I为绝缘材料制成，用于栅极及发射极10之间的绝缘。所述荧光层3为银/氧化锌复合层，由于氧化锌层具有均匀的纳米结构，因此与银复合作为荧光层3，可提升银中电子、空穴碰撞几率，从而提高银的荧光效应强度。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。【主权项】1.一种球形半导体激光器，其特征在于，包括基座、荧光层及玻璃层，所述基座上方设置有栅极一、栅极二，所述栅极一、栅极二之间设置有发射枪一、发射枪二，所述发射枪一、发射枪二之间设置有发射极安装座，所述安装座上设置有发射极，所述基座与荧光层及玻璃层形成封闭结构。2.根据权利要求1所述一种球形半导体激光器，其特征在于，所述荧光层及玻璃层之间设置有真空层。3.根据权利要求2所述一种球形半导体激光器，其特征在于，所述真空层中填充有氮Ho4.根据权利要求1所述一种球形半导体激光器，其特征在于，所述发射枪为两个或以上。5.根据权利要求1所述一种球形半导体激光器，其特征在于，所述基座为绝缘材料制成。6.根据权利要求1所述一种球形半导体激光器，其特征在于，所述荧光层为银/氧化锌复合层。【专利摘要】本技术涉及一种球形半导体激光器，包括基座、荧光层及玻璃层，所述基座上方设置有栅极一、栅极二，所述栅极一、栅极二之间设置有发射枪一、发射枪二，所述发射枪一、发射枪二之间设置有发射极安装座，所述安装座上设置有发射极，所述基座与荧光层及玻璃层形成封闭结构。本技术结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。【IPC分类】H01S5/00, H01S5/022, H01S5/02【公开号】CN205335621【申请号】CN201620015774【专利技术人】不公告专利技术人 【申请人】重庆三零三科技有限公司【公开日】2016年6月22日【申请日】2016年1月10日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种球形半导体激光器，其特征在于，包括基座、荧光层及玻璃层，所述基座上方设置有栅极一、栅极二，所述栅极一、栅极二之间设置有发射枪一、发射枪二，所述发射枪一、发射枪二之间设置有发射极安装座，所述安装座上设置有发射极，所述基座与荧光层及玻璃层形成封闭结构。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：重庆三零三科技有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆;85
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