本实用新型专利技术涉及一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，它包括磁芯，所述的磁芯的外部缠绕有绕组，所述的绕组包括有初级绕组A、初级绕组B、次级绕组，所述的初级绕组A和次级绕组之间设置有绝缘层A，所述的初级绕组B与次级绕组之间设置有绝缘层B，所述的初级绕组A、初级绕组B上下两层初级绕组相对中间次级绕组错开的位移均为d，所述的初级绕组A、初级绕组B与中间的次级绕组同轴上下排列，所述的初级绕组A、初级绕组B与次级绕组之间的间距均为h；总的本实用新型专利技术具有低损耗、漏感少、分布电容有效抑制、结构合理、设计科学的优点。
【技术实现步骤摘要】
本技术属于电气安全领域，具体涉及一种平面变压器的绕组结构，特别涉及一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计。
技术介绍
平面变压器具有:低造型、低损耗性、低漏感、高频特性好、适合规模生产的特点；设计高频平面变压器的关键是要求对高频平面变压器的漏感和分布电容进行有效的抑制，也就是减少高频效应产生的漏感能及分布电容电场能，达到高频平面变压器的总损耗最小；因此研发一种低损耗、漏感少、分布电容有效抑制、结构合理、设计科学的低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构很有实用意义。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服现有技术的不足，而提供一种低损耗、漏感少、分布电容有效抑制、结构合理、设计科学的低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构。本技术的目的是这样实现的:一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，它包括磁芯，所述的磁芯的外部缠绕有绕组，所述的绕组包括有初级绕组A、初级绕组B、次级绕组，所述的初级绕组A和次级绕组之间设置有绝缘层A，所述的初级绕组B与次级绕组之间设置有绝缘层B，所述的初级绕组A、初级绕组B上下两层初级绕组相对中间次级绕组错开的位移均为d，所述的初级绕组A、初级绕组B与中间的次级绕组同轴上下排列，所述的初级绕组A、初级绕组B与次级绕组之间的间距均为h。所述的初级绕组A和初级绕组B的结构相同。所述的位移d为初级绕组A宽度的一半。所述的磁芯为EI磁芯结构。所述的绝缘层A和绝缘层B均设置有RF4基板。本技术的有益效果:本技术的高频平面变压器，即使有小的漏电感，它也很容易产生比较大的漏阻抗，因此，磁芯使用封闭EI型方型结构，它的漏感小，因为封闭式铁芯的磁通基本上都集中在磁芯内，不管外面干扰的磁场从哪个方向侵入产生的干扰都会互相抵消，因为外面的干扰磁场都在磁芯中分为两个方向通过;高频平面变压器分布电容除了与初级绕组A、初级绕组B的表面积成正比，还与绕组层间距h成反比，当位移d为初级绕组A宽度的一半，动态电容为零，此时，高频平面变压器的窗口填充系数接近为壹;总的本技术具有低损耗、漏感少、分布电容有效抑制、结构合理、设计科学的优点。【附图说明】图1是本技术的结构示意图。图中:1、磁芯2、初级绕组A 3、初级绕组B 4、次级绕组5、绝缘层A 6、绝缘层B。【具体实施方式】下面结合附图对本技术做进一步的说明。实施例1如图1所示，一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，它包括磁芯I，所述的磁芯I的外部缠绕有绕组，所述的绕组包括有初级绕组A2、初级绕组B3、次级绕组4，所述的初级绕组A2和次级绕组4之间设置有绝缘层A5，所述的初级绕组B3与次级绕组4之间设置有绝缘层B6，所述的初级绕组A2、初级绕组B3上下两层初级绕组相对中间次级绕组4错开的位移均为d，所述的初级绕组A2、初级绕组B3与中间的次级绕组4同轴上下排列，所述的初级绕组A2、初级绕组B3与次级绕组4之间的间距均为h。本技术具体实施时:本技术的高频平面变压器分布电容除了与初级绕组A、初级绕组B的表面积成正比，还与绕组层间距h成反比，当位移d为初级绕组A宽度的一半，动态电容为零，此时，高频平面变压器的窗口填充系数接近为壹;总的本技术具有低损耗、漏感少、分布电容有效抑制、结构合理、设计科学的优点。实施例2如图1所示，一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，它包括磁芯I，所述的磁芯I的外部缠绕有绕组，所述的绕组包括有初级绕组A2、初级绕组B3、次级绕组4，所述的初级绕组A2和次级绕组4之间设置有绝缘层A5，所述的初级绕组B3与次级绕组4之间设置有绝缘层B6，所述的初级绕组A2、初级绕组B3上下两层初级绕组相对中间次级绕组4错开的位移均为d，所述的初级绕组A2、初级绕组B3与中间的次级绕组4同轴上下排列，所述的初级绕组A2、初级绕组B3与次级绕组4之间的间距均为h，所述的初级绕组A2和初级绕组B3的结构相同，所述的位移d为初级绕组A2宽度的一半，所述的磁芯I为EI磁芯结构，所述的绝缘层A5和绝缘层B6均设置有RF4基板。本技术具体实施时:本技术的高频平面变压器，即使有小的漏电感，它也很容易产生比较大的漏阻抗，因此，磁芯使用封闭EI型方型结构，它的漏感小，因为封闭式铁芯的磁通基本上都集中在磁芯内，不管外面干扰的磁场从哪个方向侵入产生的干扰都会互相抵消，因为外面的干扰磁场都在磁芯中分为两个方向通过;高频平面变压器分布电容除了与初级绕组A、初级绕组B的表面积成正比，还与绕组层间距h成反比，当位移d为初级绕组A宽度的一半，动态电容为零，此时，高频平面变压器的窗口填充系数接近为壹;总的本技术具有低损耗、漏感少、分布电容有效抑制、结构合理、设计科学的优点。【主权项】1.一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，它包括磁芯，其特征在于:所述的磁芯的外部缠绕有绕组，所述的绕组包括有初级绕组A、初级绕组B、次级绕组，所述的初级绕组A和次级绕组之间设置有绝缘层A，所述的初级绕组B与次级绕组之间设置有绝缘层B，所述的初级绕组A、初级绕组B上下两层初级绕组相对中间次级绕组错开的位移均为d，所述的初级绕组A、初级绕组B与中间的次级绕组同轴上下排列，所述的初级绕组A、初级绕组B与次级绕组之间的间距均为h。2.根据权利要求1所述的一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，其特征在于:所述的初级绕组A和初级绕组B的结构相同。3.根据权利要求1所述的一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，其特征在于:所述的位移d为初级绕组A宽度的一半。4.根据权利要求1所述的一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，其特征在于:所述的磁芯为EI磁芯结构。5.根据权利要求1所述的一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，其特征在于:所述的绝缘层A和绝缘层B均设置有RF4基板。【专利摘要】本技术涉及一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，它包括磁芯，所述的磁芯的外部缠绕有绕组，所述的绕组包括有初级绕组A、初级绕组B、次级绕组，所述的初级绕组A和次级绕组之间设置有绝缘层A，所述的初级绕组B与次级绕组之间设置有绝缘层B，所述的初级绕组A、初级绕组B上下两层初级绕组相对中间次级绕组错开的位移均为d，所述的初级绕组A、初级绕组B与中间的次级绕组同轴上下排列，所述的初级绕组A、初级绕组B与次级绕组之间的间距均为h；总的本技术具有低损耗、漏感少、分布电容有效抑制、结构合理、设计科学的优点。【IPC分类】H01F27/30, H01F27/32【公开号】CN205335047【申请号】CN201620070715【专利技术人】省同良 【申请人】河南省三禾电气有限公司【公开日】2016年6月22日【申请日】2016年1月26日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低损耗高频平面卷铁芯变压器的绕组结构设计，它包括磁芯，其特征在于：所述的磁芯的外部缠绕有绕组，所述的绕组包括有初级绕组A、初级绕组B、次级绕组，所述的初级绕组A和次级绕组之间设置有绝缘层A，所述的初级绕组B与次级绕组之间设置有绝缘层B，所述的初级绕组A、初级绕组B上下两层初级绕组相对中间次级绕组错开的位移均为d，所述的初级绕组A、初级绕组B与中间的次级绕组同轴上下排列，所述的初级绕组A、初级绕组B与次级绕组之间的间距均为h。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：省同良，
申请(专利权)人：河南省三禾电气有限公司，
类型：新型
国别省市：河南;41
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