采样电阻校正电路、电流检测电路及驱动电路制造技术

一种采样电阻校正电路、电流检测电路及驱动电路，采样电阻校正电路包括：第一预设铜箔，用作采样电阻；分压电路，包括第二预设铜箔，其中，所述第一预设铜箔和第二预设铜箔布设于电路板上控制单元，与所述第二预设铜箔连接，所述控制单元检测所述分压电路输出的分压电压，根据所述分压电压得到所述待校正参数，并以所述待校正参数计算并校正预存储的所述第一预设铜箔的电阻值。采用低成本的布线铜箔做电流采样也可以做到较高的采样精度，并利用整块电路板作为散热，使得采样铜箔发热量低。

【技术实现步骤摘要】


本技术涉及电流采样技术，特别是涉及一种采样电阻校正电路、电流检测电路及驱动电路。

技术介绍

传统的电流采样电路，如果要做到较高精度，一般都是采样无感电阻来进行采样。例如变频空调控制电路中的PFC(PowerFactorCorrection，功率因数校正电路)电路，通过检查无感电阻上的电压来计算电流，从而控制PFC的开关从而使直流母线电压处于动态稳定状态。
用无感电阻做电流采样可以做到较高的采样精度，但无感电阻成本较高，且无感电阻发热较大，在布局上必须考虑对周围器件的温度影响。

技术实现思路

本技术目的在于提供一种采样电阻校正电路，旨在解决无感电阻成本较高，且无感电阻发热较大的问题。
本技术提供了一种采样电阻校正电路，包括：
第一预设铜箔，连接于主电路中，用作该主电路的采样电阻；
分压电路，包括第二预设铜箔，其中，所述第一预设铜箔和第二预设铜箔布设于电路板上，两者的长度、宽度和厚度中有一个相同的待校正参数；
控制单元，与所述第二预设铜箔连接，预存储所述第一预设铜箔和第二预设铜箔的长度、宽度和厚度中除所述待校正参数外的参数，所述控制单元检测所述分压电路输出的分压电压，根据所述分压电压得到所述第二预设铜箔的电阻值，并根据所述第二预设铜箔的电阻值得到所述待校正参数，并以所述待校正参数计算并校正预存储的所述第一预设铜箔的电阻值。
本技术还提供了一种电流检测电路，与主电路连接，包括上述的采样电阻校正电路。
本技术还提供了一种驱动电路，包括主电路、驱动芯片和检测电路，还包括上述的采样电阻校正电路，其中：
所述检测电路两检测端分别与所述第一预设铜箔两端相连，输出端与所述控制单元连接，所述检测电路向所述控制单元输入检测信号，所述驱动芯片连接在所述主电路与所述控制单元之间；
所述控制单元根据所述检测信号及校正后的所述第一预设铜箔的电阻值，发出控制信号控制所述驱动芯片驱动所述主电路改变工作状态。
上述的采样电阻校正电路、电流检测电路及驱动电路采用低成本的布线铜箔做电流采样也可以做到较高的采样精度，并利用整块电路板作为散热，使得采样铜箔发热量低，主电路或系统可以利用校正后的采样电阻的电阻值进行运行，使得电路设备的可靠性、稳定性高。
附图说明
图1为本技术较佳实施例中采样电阻校正电路的结构示意图；
图2为本技术较佳实施例中驱动电路的结构示意图。
具体实施方式
为了使本技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
请参阅图1，本技术较佳实施例中采样电阻校正电路，包括第一预设铜箔10、分压电路20及控制单元30，其中，分压电路20包括第二预设铜箔21。第一预设铜箔10和第二预设铜箔21布设于电路板上，其中可以是同一块电路板上，也可以是不同的电路板上。控制单元30为控制芯片，如单片机、DSP芯片等。
第一预设铜箔10连接于主电路100中，用作该主电路100的采样电阻。具体地，主电路100指的是设备电路中的任意应用电路，如电流检测电路、升压电路或降压电路。本实施例中示出的是升压电路(buck电路)。
第一预设铜箔10和第二预设铜箔21中两者布线的长度、宽度和厚度中有一个相同的待校正参数。控制单元30与第二预设铜箔21连接，预存储第一预设铜箔10和第二预设铜箔21布线的长度、宽度和厚度中除待校正参数外的参数，控制单元30检测分压电路20输出的分压电压，根据分压电压得到第二预设铜箔21的电阻值，并根据第二预设铜箔21的电阻值得到待校正参数，并以待校正参数计算并校正预存储的第一预设铜箔10的电阻值。
如此，采用布线铜箔做电流采样也可以做到较高的采样精度，并利用整块电路板作为散热，使得采样铜箔发热量低，主电路100或系统可以利用校正后的采样电阻的电阻值进行运行，使得电路设备的可靠性、稳定性高。
分压电路20包括第二预设铜箔21和一电阻器22；第二预设铜箔21的第一端通过电阻器22接高电位，第二端接低电位；或，第二预设铜箔21的第一端通过电阻器22接低电位，第二端接高电位；另外，分压电压为第二预设铜箔21的第一端的电压。本实施方式中，高电位为电源VDD，地电位为地。在其他实施方式中，高电位可以为相对大地电势比地电位高的点位节点。
本实施例中，以第一预设铜箔10和第二预设铜箔21设置于厚度相同的电路板上，或设置于同一块电路板上为例，而电路板的铜箔厚度与加工工艺有关，当同一块电路板生产出来后，其铜箔厚度基本相同。更具体地，以第一预设铜箔10和第二预设铜箔21的厚度为待校正参数，其他为可测量的已知参数。
请参阅图1和图2，无感电阻等效铜箔阻(第一预设铜箔10)的具体电阻值进行校正的实现步骤如下：
第一步，通过控制单元30计算出电路板上铜箔的实际厚度。定义第二预设铜箔21的电阻值为Rs，它与电阻器22构成分压电路20，控制单元30再对第二预设铜箔21的分压进行采样，可以计算出Rs的具体值，再通过铜箔电阻率与电阻值的关系：
R = ρ L S ]]>其中，ρ为铜箔电阻率，L为第二预设铜箔21设计的长度，S为第二预设铜箔21的截面积。由第二预设铜箔21设计宽度D，则有S＝D*d，由此可以计算出电路板上铜箔的实际厚度d。
第二步，计算第一预设铜箔10的阻值Rw。由第一步计算出电路板实际铜箔厚度d后，根据铜箔电阻率、第一预设铜箔10设计的宽度和长度，可以计算出Rw的具体值，即可用于电流采样计算。
在更加具体的实施例中，用铜箔替代无感电阻进行电流采样，设计第一预设铜箔10长度为L1，宽度为D1，厚度为d1，其等效电阻值为Rw，铜箔电阻率常数为ρ，则有：
R w = ρ L 1 D 1 * d 1 ]]>又根据电路板的制作工艺，不同电路板上的铜厚一般有差异，但同一块电路板上的铜厚相同，故设定无感电阻的第一预设铜箔10厚度为d，则有：
R w = ρ L 1 D 1 * d - - - ( 1 ) ]]>另外，设定第二预设铜箔21的等效电阻值为Rs，且与第一预设铜箔10设计与同一块电路板上；电源VDD为控制单元30以及分压电路20供电；电阻器22与第二预设铜箔21构成分压电路20，并利控制单元30进行电压采样。设计第二预设铜箔21长度为L2，宽度为D2，则有：
R s = ρ 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采样电阻校正电路，其特征在于，包括：第一预设铜箔，连接于主电路中，用作该主电路的采样电阻；分压电路，包括第二预设铜箔，其中，所述第一预设铜箔和第二预设铜箔布设于电路板上，两者的长度、宽度和厚度中有一个相同的待校正参数；控制单元，与所述第二预设铜箔连接，预存储所述第一预设铜箔和第二预设铜箔的长度、宽度和厚度中除所述待校正参数外的参数，所述控制单元检测所述分压电路输出的分压电压，根据所述分压电压得到所述第二预设铜箔的电阻值，并根据所述第二预设铜箔的电阻值得到所述待校正参数，并以所述待校正参数计算并校正预存储的所述第一预设铜箔的电阻值。

【技术特征摘要】
1.一种采样电阻校正电路，其特征在于，包括：
第一预设铜箔，连接于主电路中，用作该主电路的采样电阻；
分压电路，包括第二预设铜箔，其中，所述第一预设铜箔和第二预设铜箔布设于电路板上，两者的长度、宽度和厚度中有一个相同的待校正参数；
控制单元，与所述第二预设铜箔连接，预存储所述第一预设铜箔和第二预设铜箔的长度、宽度和厚度中除所述待校正参数外的参数，所述控制单元检测所述分压电路输出的分压电压，根据所述分压电压得到所述第二预设铜箔的电阻值，并根据所述第二预设铜箔的电阻值得到所述待校正参数，并以所述待校正参数计算并校正预存储的所述第一预设铜箔的电阻值。
2.如权利要求1所述的采样电阻校正电路，其特征在于，所述第一预设铜箔和第二预设铜箔布设于同一电路板上。
3.如权利要求2所述的采样电阻校正电路，其特征在于，所述第一预设铜箔和第二预设铜箔在所述电路板上的布线采用同一个基准点。
4.如权利要求1、2或3所述的采样电阻校正电路，其特征在于，所述第一预设铜箔在比本身长的布线铜箔中选取于其中一段。
5.如权利要求1、2或3所述的采样电阻校正电路，其特征在于，所述第一预设铜箔的宽度大于所述第二预设铜箔的宽度。
6.如权利要求1、2或3所述的采样电阻校正电路，其特征在于，所述第一预设铜箔为直线布线，所述第二预设铜...

【专利技术属性】
技术研发人员：李明松，
申请(专利权)人：美的集团武汉制冷设备有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42