一种半导体器件及其制备方法、电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有接触孔开口；步骤S2：对所述接触孔开口进行预清洗；步骤S3：分别选用硫酸双氧水混合试剂和一号标准清洗试剂进行湿法剥离，以去除接触孔开口中的蚀刻聚合物。本发明专利技术所述方法中在形成接触孔开口之后，首先执行预清洗的步骤，例如选用水或者双氧水等进行预清洗，然后选用SPM和SC1进行湿法剥离，以去除所述接触孔开口中的蚀刻聚合物，由于执行了预清洗步骤，能够容易将粘度较大的硫酸双氧水混合试剂(SPM)滴入到所述接触孔开口中，使硫酸双氧水混合试剂(SPM)与蚀刻聚合物充分的反应，以更容易的去除所述蚀刻聚合物，避免接触孔缺失的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。
技术介绍
随着集成电路技术的持续发展，芯片上将集成更多器件，芯片也将具有更快的速度。在这些要求的推进下，器件的几何尺寸将不断缩小，在芯片的制造工艺中不断采用新材料、新技术和新的制造工艺。目前半导体器件的制备工艺逐渐成熟。在半导体器件制备过程中通常需要使用接触孔进行电连接，在接触孔的制备过程中，通常先蚀刻以形成接触孔开口，然后在所述接触孔开口中填充导电材料并进行平坦化，以形成接触孔。随着半导体器件尺寸的不断缩小，半导体器件的稳定性成为影响器件性能的重要因素，目前通过上述方法制备得到的接触孔通常会发生接触孔缺失或者连接不稳定的情况，影响了半导体器件的性能和良率。因此需要对目前所述接触孔的制备方法作进一步的改进，以便消除上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了克服目前存在问题，提供了一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有接触孔开口；步骤S2：对所述接触孔开口进行预清洗；步骤S3：分别选用硫酸双氧水混合试剂和一号标准清洗试剂进行湿法剥离，以去除所述接触孔开口中的蚀刻聚合物。可选地，在所述步骤S2中，选用去离子水或H2O2对所述接触孔开口进行预清洗。可选地，在所述步骤S3中，所述硫酸双氧水混合试剂中硫酸与双氧水的浓度比为H2SO4:H2O＝1:1～6:1。可选地，在所述步骤S3中，选用所述硫酸双氧水混合试剂进行所述湿法剥离的时间大于60s。可选地，在所述步骤S3中，选用所述硫酸双氧水混合试剂进行所述湿法剥离的温度为110℃～210℃。可选地，在所述步骤S3中，所述一号标准清洗试剂中各组分的浓度比为NH4OH:H2O:H2O2＝1:2:100～1:1:5。可选地，在所述步骤S3中，选用所述一号标准清洗试剂进行所述湿法剥离的时间大于60s。可选地，在所述步骤S3中，选用所述一号标准清洗试剂进行所述湿法剥离的温度为25℃～50℃。可选地，在所述步骤S3之后，所述方法还进一步包括：步骤S4：选用导电材料填充所述接触孔开口，以形成接触孔。可选地，所述方法用于制备28nm以及以下的半导体器件。本专利技术还提供了一种基于上述的方法制备得到的半导体器件。本专利技术还提供了一种电子装置，包括上述的半导体器件。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种半导体器件的制备方法，在所述方法中在形成接触孔开口之后，首先执行预清洗的步骤，例如选用水或者双氧水等进行预清洗，然后选用SPM和SC1进行湿法剥离，以去除所述接触孔开口中的蚀刻聚合物，由于执行了预清洗步骤，能够容易将粘度较大的硫酸双氧水混合试剂(SPM)滴入到所述接触孔开口中，使硫酸双氧水混合试剂(SPM)与蚀刻聚合物充分的反应，以更容易的去除所述蚀刻聚合物，避免接触孔缺失的问题。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中，图1a-1b为本专利技术一具体地实施中所述半导体器件的制备过程示意图；图2a-2b分别为没有执行预清洗和执行预清洗步骤制备得到的接触孔的SEM示意图；图3为本专利技术一具体地实施中所述半导体器件的制备的工艺流程图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制备方法，包括：步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有接触孔开口；步骤S2：对所述接触孔开口进行预清洗；步骤S3：分别选用硫酸双氧水混合试剂和一号标准清洗试剂进行湿法剥离，以去除所述接触孔开口中的蚀刻聚合物。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有接触孔开口；
步骤S2：对所述接触孔开口进行预清洗；
步骤S3：分别选用硫酸双氧水混合试剂和一号标准清洗试剂进行湿法剥
离，以去除所述接触孔开口中的蚀刻聚合物。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，选用
去离子水或H2O2对所述接触孔开口进行预清洗。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，所述
硫酸双氧水混合试剂中硫酸与双氧水的浓度比为H2SO4:H2O＝1:1～6:1。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，选用
所述硫酸双氧水混合试剂进行所述湿法剥离的时间大于60s。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，选用
所述硫酸双氧水混合试剂进行所述湿法剥离的温度为110℃～210℃。
6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁海慧，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31