点测机故障判别方法技术

本发明专利技术公开了一种点测机故障判别方法，用来检测晶圆上的多个晶粒，包含：(a)设定晶粒合格条件以及亮度梯度差标准值；(b)使点测机沿着第一维度按序检测多个晶粒；(c)若多个晶粒其中一个正在被检测的晶粒符合晶粒合格条件，则即时测量并计算正在被检测的晶粒在第一维度上的第一维亮度梯度差计算值；以及(d)判断第一维亮度梯度差计算值的绝对值是否超出亮度梯度差标准值，若否，则继续执行步骤(b)。本发明专利技术的点测机故障判别方法在晶粒通过一般性检测之后，可再进一步对正在被检测的晶粒进行亮度检测，借以精确地判断是否有异物积卡于探针的状况发生，并解决此状况造成第一阶段检测结果不准确的问题。

【技术实现步骤摘要】
点测机故障判别方法
本专利技术涉及一种点测机故障判别方法，特别涉及一种用来检测晶圆上的晶粒的点测机的故障判别方法。
技术介绍
随着发光二极管产业的快速成长，除了发光二极管本身具有的高亮度、高功率、较长寿命等优点，要如何维持发光二极管的品质亦相当重要。因此，发光二极管制造完成后，必须检测发光二极管的发光特性，以判断发光二极管的品质是否良好。发光二极管在制造时会先成长于晶圆之上，再利用激光切割形成多个LED晶粒于晶圆上。在进行LED晶粒的检测程序时，是以点测机(prober)的探针(probe)按序接触每一LED晶粒的两个电极，不仅可检测每一LED晶粒的电性，还可同时使受检测的LED晶粒发光，并透过收光机构(未图示)感测LED晶粒的发光特性。在点测的过程当中，由于探针在使用一段时间之后，会在探针的外周缘积卡尘埃或污物，进而影响测试的可靠度，并使得产品的品质降低。为了解决此问题，目前现有的一种点测机的故障判别方法包含下列步骤：步骤1：订定一标准值范围，及一预定判断机制。步骤2：点测晶圆上预定数量的晶粒，并获得一组检测值。步骤3：点测晶圆上预定数量且相邻已检测后晶粒的其它晶粒，并获得另一组检测值。步骤4：比对二组检测值，并以二组检测值的差产生一组核校值。步骤5：统计前述核校值超出该标准值范围的数量。步骤6：当前述数量符合该判断机制时，进行点测机故障排除的工作。然而，上述公知技术会有设定值(即超出该标准值范围的数量)不容易设定的问题。如果设定值定的太小，在实际测试时，连续发生有设定值数量的晶粒测试为不合格，就会有“需要清针”的需求，但实际上可能只是判断错误，其实并不需要清针，因此将导致测试晶粒时间的延长。如果设定值定的太大，在实际测试晶粒时，可能在连续发生有设定值数量的晶粒测试为不合格的期间，探针上面沾粘的尘埃或污物自动掉落，也不需要清针。由此可知，上述超出该标准值范围的数量的设定值并不易拿捏。因此，如何解决上述公知技术的问题，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种点测机故障判别方法，从而克服现有技术的上述缺陷。本专利技术提供一种点测机故障判别方法，应用至用来检测晶圆上的多个晶粒的点测机。点测机故障判别方法包含：(a)设定晶粒合格条件以及亮度梯度差标准值；(b)使点测机沿着第一维度按序检测多个晶粒；(c)若多个晶粒其中一个正在被检测的晶粒符合晶粒合格条件，则即时测量并计算正在被检测的晶粒在第一维度上的第一维亮度梯度差计算值；以及(d)判断第一维亮度梯度差计算值的绝对值是否超出亮度梯度差标准值，若否，则继续执行步骤(b)。优选地，上述技术方案中，步骤(c)包含：(c1)若正在被检测的晶粒符合晶粒合格条件，则即时测量并计算正在被检测的晶粒在第二维度上的第二维亮度梯度差计算值，其中步骤(d)包含：(d1)判断第一维亮度梯度差计算值的绝对值与第二维亮度梯度差计算值的绝对值是否皆超出亮度梯度差标准值，若否，则继续执行步骤(b)。优选地，上述技术方案中，步骤(d1)包含：(d2)若判断结果为是，则执行步骤(e)；以及(e)对点测机进行异物排除和机台错误诊断工作，其中在步骤(e)之后，点测机故障判别方法还包含：(f)重新测量并计算第一维亮度梯度差计算值与第二维亮度梯度差计算值；(g)判断重新测量并计算的第一维亮度梯度差计算值的绝对值与第二维亮度梯度差计算值的绝对值是否仍超出亮度梯度差标准值，若是，则执行步骤(h)，若否，则继续执行步骤(b)；以及(h)判定点测机发生异常情况，并停止点测机以进行异常排除。优选地，上述技术方案中，步骤(b)包含：(b1)使点测机根据弓字型路径沿着第一维度按序检测多个晶粒，并沿着第二维度换排检测多个晶粒。优选地，上述技术方案中，第一维亮度梯度差计算值由正在被检测的晶粒以及其在第一维度上至少前一个被检测的晶粒的第一维亮度比值所计算，并且第二维亮度梯度差计算值由正在被检测的晶粒以及其在第二维度上至少前一个被检测的晶粒的第二维亮度比值所计算。优选地，上述技术方案中，正在被检测的晶粒的所述第一维亮度比值为Lx3_ratio＝Lx3/Lx2，正在被检测的晶粒在第一维度上的前一个被检测的晶粒的第一维亮度比值为Lx2_ratio＝Lx2/Lx1，Lx3、Lx2以及Lx1分别为正在被检测的晶粒以及其在第一维度上前两个被检测的晶粒的亮度值，则第一维亮度梯度差计算值Ratio_X＝(Lx3_ratio/Lx2_ratio)–1，正在被检测的晶粒的第二维亮度比值为Ly3_ratio＝Ly3/Ly2，正在被检测的晶粒在第二维度上的前一个被检测的所述晶粒的第二维亮度比值为Ly2_ratio＝Ly2/Ly1，Ly3、Ly2以及Ly1分别为正在被检测的晶粒以及其在所述第二维度上前两个被检测的晶粒的亮度值，则第二维亮度梯度差计算值Ratio_Y＝(Ly3_ratio/Ly2_ratio)–1。优选地，上述技术方案中，亮度梯度差标准值为2％～4％。与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：本专利技术的点测机故障判别方法在晶粒通过一般性检测之后，可再进一步对正在被检测的晶粒进行亮度检测，借以精确地判断是否有异物积卡于探针的状况发生，并解决此状况造成第一阶段检测结果不准确的问题。并且，相较于公知技术，本专利技术的点测机故障判别方法可在检测到异常时即时对探针做清针工作。此外，本专利技术的点测机故障判别方法是借由判断对正在被检测的晶粒所计算的亮度梯度差计算值(而非单纯判断亮度值或亮度比值)是否过大，来判断探针是否有异物积卡，因此可以消除在晶圆上的不同区域的待测晶粒因工艺而产生的差异。也就是说，本专利技术的点测机故障判别方法中所预设的亮度梯度差标准值可通用至晶圆上的不同区域的待测晶粒，因此并不会产生不容易设定的问题。附图说明图1为本专利技术一实施方式的点测机故障判别方法的示意图。图2为以本专利技术一实施方式的点测机故障判别方法检测晶圆上的晶粒的局部示意图。具体实施方式以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多具体的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些具体的细节不应用来限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些具体的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式表示。请先参阅图1以及图2。图1为本专利技术一实施方式的点测机故障判别方法的示意图。图2为以本专利技术一实施方式的点测机故障判别方法检测晶圆W上的晶粒的局部示意图。如图1与图2所示，在本实施方式中，点测机故障判别方法主要是应用至用来检测晶圆W上的晶粒的点测机(未图示)。点测机故障判别方法包含步骤S100～S114，如下所示。步骤S100：设定晶粒合格条件以及亮度梯度差标准值。上述的晶粒合格条件即针对晶粒的电压、亮度及波长所设定的预设范围，而上述的亮度梯度差标准值为2％～4％，优选为3％，但本专利技术并不以此为限，可依据实际需求而弹性地调整。步骤S102：使点测机根据弓字型路径P沿着第一维度D1按序检测多个晶粒，并沿着第二维度D2换排检测多个晶粒。如图2所示，仅就晶圆W上的25个晶粒A09～E13做说明。在本实施方式中，第一维度D1为X维度，而第二维度D2为Y维度。当点测机的探针根据上述的弓字型路径本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种点测机故障判别方法，用来检测晶圆上的多个晶粒，其特征在于，所述点测机故障判别方法包含：(a)设定晶粒合格条件以及亮度梯度差标准值；(b)使点测机沿着第一维度按序检测所述多个晶粒；(c)若所述多个晶粒其中一个正在被检测的晶粒符合所述晶粒合格条件，则即时测量并计算正在被检测的所述晶粒在所述第一维度上的第一维亮度梯度差计算值；以及(d)判断所述第一维亮度梯度差计算值的绝对值是否超出所述亮度梯度差标准值，若否，则继续执行步骤(b)。

【技术特征摘要】
1.一种点测机故障判别方法，用来检测晶圆上的多个晶粒，其特征在于，所述点测机故障判别方法包含：(a)设定晶粒合格条件以及亮度梯度差标准值；(b)使点测机沿着第一维度按序检测所述多个晶粒；(c)若所述多个晶粒其中一个正在被检测的晶粒符合所述晶粒合格条件，则即时测量并计算正在被检测的所述晶粒在所述第一维度上的第一维亮度梯度差计算值以及在第二维度上的第二维亮度梯度差计算值；以及(d)判断所述第一维亮度梯度差计算值的绝对值与该第二维亮度梯度差计算值的绝对值是否皆超出所述亮度梯度差标准值，若否，则继续执行步骤(b)；其中所述第一维亮度梯度差计算值由正在被检测的所述晶粒以及其在所述第一维度上至少前一个被检测的所述晶粒的第一维亮度比值所计算，并且所述第二维亮度梯度差计算值由正在被检测的所述晶粒以及其在所述第二维度上至少前一个被检测的所述晶粒的第二维亮度比值所计算；其中正在被检测的所述晶粒的所述第一维亮度比值为Lx3_ratio＝Lx3/Lx2，正在被检测的所述晶粒在所述第一维度上的前一个被检测的所述晶粒的所述第一维亮度比值为Lx2_ratio＝Lx2/Lx1，Lx3、Lx2以及Lx1分别为正在被检测的所述晶粒以及其在所述第一维度上前两个被检测的所述晶粒的亮度值，则所述第一维亮度梯度差计算值Ratio_X＝(Lx3_ratio/Lx2_ratio)–1，正在被检测的所述晶粒的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴秉颖，陈秋旺，
申请(专利权)人：旺矽科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71