一种阻变存储器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种阻变存储器及其制作方法。该阻变存储器包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的Al2O3-x阻变存储层，其中0.6＜x＜2.4。其制作方法包括以下步骤：(1)衬底的清洗；(2)采用磁控溅射法在衬底上形成底电极；(3)采用磁控溅射法在底电极上沉积Al2O3-x阻变存储层；(4)采用磁控溅射法在Al2O3-x阻变存储层上形成顶电极。本发明专利技术采用磁控溅射法沉积底电极、顶电极以及阻变存储功能层材料，解决了现有阻变存储器制作成本高的问题，同时该阻变存储器的制作工艺简单，与传统的CMOS工艺兼容性好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种阻变存储器，其特征在于，该阻变存储器包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的Al2O3‑x阻变存储层，其中0.6＜x＜2.4。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：赵鸿滨，屠海令，
申请(专利权)人：北京有色金属研究总院，
类型：发明
国别省市：北京;11