支持多通道主控并发的CE NAND Flash的页模型构建方法及页模型技术

本发明专利技术公开了一种支持多通道主控并发的CE NAND Flash的页模型构建方法及页模型，利用下述关系式构建页模型：FPageTempS=FPage \ TCC；FPageTempY=FPage ‑ FPageTempS * TCC；ACe=FPageTempY \ TCh；ACh=FPageTempY ‑ ACe * TCh；其中，FPageTempY为中间变量；ACe表示当前操作的片选通道；ACh表示当前操作的通道；FPageTempS表示当前操作的物理页；FPage为当前操作的逻辑页；TCC为所有通道的片选通道总数；TCh为通道数量；\表示取商。本发明专利技术可以对各个通道内的读、写、擦进行并发处理，同时对各个物理页进行读、写、擦操作，从而大大节省了操作时间，有效提高了主控的吞吐量和存储设备的读写速度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及存储介质，具体为一种支持多通道主控并发的CENANDFlash的页模型构建方法及页模型。
技术介绍
现有的存储介质空间需求越来越大，要求运行速度越来越快，多通道主控与多CE的存储介质的出现是时代的必然。在多通道并发情况下，NANDFlash的擦除、编程、读操并非瞬间就完成了，都需要一定的时间，而现有技术是先处理完一个通道的读、写、擦操作后，再处理下一个通道的读、写、擦操作，浪费了处理过程中的等待时间，降低了主控的吞吐量和存储设备的读写速度。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，针对现有技术不足，提供一种支持多通道主控并发的CENANDFlash的页模型构建方法及页模型。为解决上述技术问题，本专利技术所采用的技术方案是：一种支持多通道主控并发的CENANDFlash的页模型构建方法，利用下述关系式构建页模型：FPageTempS=FPage\\TCC；FPageTempY=FPage-FPageTempS*TCC；ACe=FPageTempY\\TCh；ACh=FPageTempY-ACe*TCh；其中，FPageTempY为中间变量；ACe表示当前操作的片选通道；ACh表示当前操作的通道；FPageTempS表示当前操作的物理页；FPage为当前操作的逻辑页；TCC为所有通道的片选通道总数；TCh为通道数量；\\表示取商。本专利技术还提供了一种利用上述方法构建的支持多通道主控并发的CENANDFlash的页模型，包括多个通道和多个物理页；每个通道内包括多个片选通道；对于第一物理页，第一通道的第一片选通道对应的逻辑页、第二通道的第一片选通道对应的逻辑页…第n通道的第一片选通道对应的逻辑页序号从小到大依次排列，分别为0、1、2…n-1；第一通道的第二片选通道对应的逻辑页、第二通道的第二片选通道对应的逻辑页…第n通道的第二片选通道对应的逻辑页序号从小到大依次排列，分别为n、n+1…n+n-1；依此类推，第一物理页其余所有逻辑页的序号按照上述规则排列；设第一物理页最后一个逻辑页的序号为i，则对于第二物理页，其所有逻辑页的从序号i+1开始按照上述规则排列；依此类推，确定最后一个物理页的最后一个逻辑页的序号。与现有技术相比，本专利技术所具有的有益效果为：本专利技术可以对各个通道内的读、写、擦进行并发处理，同时对各个物理页进行读、写、擦操作，从而大大节省了操作时间，有效提高了主控的吞吐量和存储设备的读写速度。附图说明图1为本专利技术一实施例并发时序图；图2为本专利技术一实施例页模型图。具体实施方式NANDFlash的擦除、编程、读操作都不是瞬间就完成了，需要一定的时间，而现有的操作流程浪费掉了这段时间，本专利技术旨在利用这段时间。具体的流程是在通道0发生数据读写擦事件并且还未完成操作的过程中，触发通道1的读写擦事件，同样在通道0和通道1发生读写擦事件而还未完成的时候再触发下一个通道的读写擦事件，依此类推。图1为本专利技术并发处理时的时序图。图1表示的是有4个通道的主控的并发过程，为了更好的表达并发的过程，这里只绘出了NANDFlash上的RB（Ready/BusyNANDFlash的引脚，如果RB=0表示NANDFlashbusy，RB=1表示NANDFlashready），旨在突出在一个通道的NANDFlash进入读写擦操作的时间后，其他通道的并发过程。利用该特性，可以提高SSD等存储设备的速度。利用上面的技术原理，这里建立多通道并发的多CENANDFlash的页模型。设主控有4通道，一个通道下有4CE，FPage为页模型。有：TCh（TotalChannel）=4；TCe（TotalCE）=4；TCC(TotalChannelCE)=TCh*TCe=16；则页模型表达式如下：FPageTempS=FPage\\TCCFPageTempY=FPage-FPageTempS*TCCACe=FPageTempY\\TChACh=FPageTempY-ACe*TCh其中FPageTempY为中间变量，ACe表示当前操作的CE（片选通道），ACh表示当前操作的CH（通道），FPageTempS表示的是当前操作的物理页。由上述表达式对应到具体的NANDFlash中的页模型如图2所示。图2所示是4通道4CE，最左边的PhyPage是物理页号，从图2可以知道该模型的排布方式是将4个通道一起来排布的，这样就可以利用4通道的并发而同时对4个页进行读写操作，大大提高了主控的吞吐量，提高了存储设备的读写速率。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种支持多通道主控并发的CE NAND Flash的页模型构建方法，其特征在于，利用下述关系式构建页模型：FPageTempS = FPage \ TCC；FPageTempY = FPage ‑ FPageTempS * TCC；ACe = FPageTempY \ TCh；ACh = FPageTempY ‑ ACe * TCh；其中，FPageTempY为中间变量；ACe表示当前操作的片选通道；ACh表示当前操作的通道；FPageTempS表示当前操作的物理页；FPage为当前操作的逻辑页；TCC为所有通道的片选通道总数；TCh为通道数量；\表示取商。

【技术特征摘要】
1.一种支持多通道主控并发的CENANDFlash的页模型构建方法，其特征在于，利用下
述关系式构建页模型：
FPageTempS=FPage\\TCC；
FPageTempY=FPage-FPageTempS*TCC；
ACe=FPageTempY\\TCh；
ACh=FPageTempY-ACe*TCh；
其中，FPageTempY为中间变量；ACe表示当前操作的片选通道；ACh表示当前操作的通
道；FPageTempS表示当前操作的物理页；FPage为当前操作的逻辑页；TCC为所有通道的片选
通道总数；TCh为通道数量；\\表示取商。
2.一种利用权利要求1所述方法构建的支持多通道主控并发的CENANDFlash的页...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄雪峰，马翼，田达海，彭鹏，杨万云，向平，周士兵，
申请(专利权)人：湖南国科微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43