一种电容器素子的含浸方法技术

一种电容器素子的含浸方法，包括以下步骤，1）将导电聚合物单体放置在真空炉内，并将素子防止在导电聚合物单体的上方；2）密封真空炉，并将真空炉抽真空；3）将真空炉内的温度升高到50～100℃，保持1～30min；然后将真空炉内的温度逐渐降低到室温～50℃并且保持1～30min；4）将含浸有导电聚合物单体的素子从真空炉中取出，并且在含浸氧化剂后进行聚合生成PEDT。本发明专利技术的电容器素子的含浸方法利用导电聚合物单体的强挥发性，在真空环境下，使得导电聚合物单体能够以气相形式充斥在真个炉室内，在相对较高温度下进行气相含浸一段时间后，再降低温度使得单体分子冷凝在素子内，使单体分子能够更好浸入铝箔空隙内。

【技术实现步骤摘要】
一种电容器素子的含浸方法
本专利技术涉及一种电容器，尤其涉及一种电容器素子的含浸方法。
技术介绍
固态电容中的电解质是通过以下工序进入电容素子内，首先含浸单体溶液使单体进入电容素子内，然后再含浸氧化剂溶液使氧化剂进入素子内部，最后通过聚合工艺使固态电解质在电容素子内部生成，即图中氧化铝、阴极箔之间的空间(包括多孔电解纸内部)填充的均为由单体和氧化剂反应生成的固态电解质PEDOT。因为纯单体(液态)粘度大、挥发性强，故在含浸单体时采用甲醇或乙醇稀释后的单体溶液进行含浸，保证含浸效率的同时减少单体的挥发损失。而采用单体溶液进行含浸后，素子内部的部分位置会被溶剂占据，而进入素子的溶剂需要经干燥后去除，这会使得素子内部局部位置不能有效被单体覆盖，影响容量引出率；另外溶剂干燥去除后是不能回收利用的，造成资源浪费。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种含浸效率高、容量引出率好并且节省资源的电容器素子的含浸方法。为解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案为：一种电容器素子的含浸方法，包括以下步骤，1)将导电聚合物单体放置在真空炉内，并将素子放置在导电聚合物单体的上方；2)密封真空炉，并将真空炉的真空度抽到0.1～1×10-4Pa；3)将真空炉内的温度升高到50～100℃，保持1～30min；然后将真空炉内的温度逐渐降低到室温～50℃并且保持1～30min；4)将含浸有导电聚合物单体的素子从真空炉中取出，并且在含浸氧化剂后进行聚合生成PEDOT。上述的电容器素子的含浸方法，优选的，所述导电聚合物单体包括EDOT及其衍生物。上述的电容器素子的含浸方法，优选的，所述步骤3)重复1-3次。上述的电容器素子的含浸方法，优选的，所述氧化剂包括芳香族类磺酸铁。与现有技术相比，本专利技术的优点在于：本专利技术的电容器素子的含浸方法利用导电聚合物单体的强挥发性，在真空环境下，使得导电聚合物单体能够以气相形式充斥在整个炉室内，在相对较高温度下进行气相含浸一段时间后，再降低温度使得单体分子冷凝在素子内，使单体分子能够更好浸入铝箔空隙内；使得本专利技术的电容器素子的容量引出率高，并且效率也高，同时可以减少导电聚合物单体的用量而节省资源。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术中电容器素子含浸的示意图。图例说明1、素子；2、真空炉；3、导电聚合物单体。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下文将结合较佳的实施例对本专利技术作更全面、细致地描述，但本专利技术的保护范围并不限于以下具体的实施例。需要特别说明的是，当某一元件被描述为“固定于、固接于、连接于或连通于”另一元件上时，它可以是直接固定、固接、连接或连通在另一元件上，也可以是通过其他中间连接件间接固定、固接、连接或连通在另一元件上。除非另有定义，下文中所使用的所有专业术语与本领域技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的专业术语只是为了描述具体实施例的目的，并不是旨在限制本专利技术的保护范围。实施例如图1所示一种电容器素子的含浸方法，包括以下步骤，1)将导电聚合物单体3放置在真空炉2内，并将素子1放置在导电聚合物单体3的上方；2)密封真空炉2，并将真空炉2的真空度抽到1×10-4Pa；3)将真空炉2内的温度升高到100℃，保持5min；然后将真空炉2内的温度逐渐降低到50℃并且保持30min；4)将含浸有导电聚合物单体3的素子1从真空炉中取出，并且在含浸氧化剂后进行聚合生成PEDOT。本实施例中，导电聚合物单体为EDOT及其衍生物。氧化剂为芳香族类磺酸铁。本实施例中，步骤3)重复1-3次。本实施例的电容器素子的含浸方法利用导电聚合物单体的强挥发性，在真空环境下，使得导电聚合物单体能够以气相形式充斥在整个炉室内，在相对较高温度下进行气相含浸一段时间后，再降低温度使得单体分子冷凝在素子内，使单体分子能够更好浸入铝箔空隙内；使得本专利技术的电容器素子的容量引出率高，并且效率也高，同时可以减少导电聚合物单体的用量而节省资源。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器素子的含浸方法，其特征在于：包括以下步骤，1）将导电聚合物单体放置在真空炉内，并将素子防止在导电聚合物单体的上方；2）密封真空炉，并将真空炉的真空度抽到0.1～1×10‑4Pa；3）将真空炉内的温度升高到50～100℃，保持1～30min；然后将真空炉内的温度逐渐降低到室温～50℃并且保持1～30min；4）将含浸有导电聚合物单体的素子从真空炉中取出，并且在含浸氧化剂后进行聚合生成PEDT。

【技术特征摘要】
1.一种电容器素子的含浸方法，其特征在于：包括以下步骤，1)将导电聚合物单体放置在真空炉内，并将素子放置在导电聚合物单体的上方，其中，所述导电聚合物单体包括EDOT及其衍生物；2)密封真空炉，并将真空炉的真空度抽到0.1～1×10-4Pa，利用所述导电聚合物单体的强挥发性，在真空环境下，使得所述导电聚合物单体以气相形式充斥在真空炉内；3)将真空炉内的温度升高到50～100...

【专利技术属性】
技术研发人员：艾亮，胡少强，贾明，张超，黄家奇，
申请(专利权)人：湖南艾华集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43