【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种金属蒸气辅助快速生长少层石墨烯的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：1)制备铜镍合金衬底；2)提供一金属片，将所述铜镍合金衬底和金属片进行清洗后置于化学气相沉积腔室内，其中，所述金属片位于所述铜镍合金衬底表面上方预设距离处；3)往所述化学气相沉积腔室内通入Ar和CH4的混合气氛，并且设置在一定压强和温度下，在所述铜镍合金衬底上生长获得少层石墨烯。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨超，吴天如，卢光远，张学富，王浩敏，谢晓明，江绵恒，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。