一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路制造技术

本发明专利技术公开一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路，包括启动电路、PTAT电流电路和带隙基准电压产生模块，PTAT电流电路包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、晶体管Q1、晶体管Q2和电阻R1；带隙基准电压产生模块包括PMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14和NMOS管M15。本方案通过预稳压技术先将电源电压的噪声波动去除一部分，然后将稳压过后的电压作为带隙基准的电源电压来提高电路的电源抑制比，在预稳压技术里通过采用负反馈的方法提高了VOUT到电源电压的阻抗，进一步提高电源抑制比。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高带隙基准电源抑制比的预稳压电路，其特征在于：包括启动电路、PTAT电流电路和带隙基准电压产生模块，所述启动电路与PTAT电流电路电连接，所述PTAT电流电路包括PMOS管M5、PMOS管M6、PMOS管M7、PMOS管M8、晶体管Q1、晶体管Q2和电阻R1；所述带隙基准电压产生模块包括PMOS管M9、NMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14和NMOS管M15；其中，晶体管Q1, PMOS管M5, PMOS管M6, PMOS管M7, PMOS管M8, PMOS管M9, PMOS管M11, PMOS管M12, NMOS管M13，NMOS管M14, NMOS管M15组成负反馈环路，而晶体管Q2, 电阻R1，PMOS管M6, PMOS管M8, PMOS管M9, PMOS管M11, PMOS管M12, NMOS管M13, NMOS管M14，NMOS管M15组成正反馈环路，所述NMOS管M10的源极与NMOS管M10的源极连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：唐杰，章国豪，陈忠学，黄敬馨，余凯，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：广东;44