【技术实现步骤摘要】
201610207076
【技术保护点】
一种透明超疏水纳米阵列制备方法,其特征在于,所述方法包括下列步骤:第一步,晶种层制备:采用旋涂或喷涂法将ZnO晶种溶胶涂覆在基片表面,氮气保护条件下热处理,即在基片表面获得纳米氧化锌晶种层;所述的ZnO晶种溶胶浓度为0.1~0.25M;第二步,纳米阵列生长:将基片边角用棉线拴住,竖直悬挂浸没于纳米阵列生长溶液中,35~90℃恒温水浴条件下,反应充分后取出,洗净吹干,在晶种层表面获得氧化锌透明纳米阵列,所述的生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的浓度0.01~0.5M的Zn(OH)42‑水溶液,并控制溶液的pH值在10~12之间;第三步,超疏水化:将基片浸入稀氟硅烷乙醇溶液中改性,洗净吹干后,固化获得在基片表面获得透明超疏水纳米阵列。
【技术特征摘要】
1.一种透明超疏水纳米阵列制备方法,其特征在于,所述方法包括下列步骤:
第一步,晶种层制备:采用旋涂或喷涂法将ZnO晶种溶胶涂覆在基片表面,氮气
保护条件下热处理,即在基片表面获得纳米氧化锌晶种层;所述的ZnO晶种溶胶浓度
为0.1~0.25M;
第二步,纳米阵列生长:将基片边角用棉线拴住,竖直悬挂浸没于纳米阵列生长溶
液中,35~90℃恒温水浴条件下,反应充分后取出,洗净吹干,在晶种层表面获得氧化
锌透明纳米阵列,所述的生长溶液为KOH和Zn(NO3)2配制的浓度0.01~0.5M的
Zn(OH)42-水溶液,并控制溶液的pH值在10~12之间;
第三步,超疏水化:将基片浸入稀氟硅烷乙醇溶液中改性,洗净吹干后,固化获得
在基片表面获得透明超疏水纳米阵列。
2.如权利要求1所述的透明超疏水纳米阵列制备方法,其特征在于,所述的基片经
过前处理得到的洁净基片,所述的前处理为:将基片依次用丙酮、乙醇和去离子水超声
清洗后,再依次用稀盐酸、去离子水和无水乙醇冲洗,冷风吹干得到。
3.如权利要求1所述的透明超疏水纳米阵列制备方法,其特征在于,所述基片包括
铜、镍、不锈钢、硅片、玻璃中的任意一种。
4.如权利要求1所述的透明超疏水纳米阵列制备方法,其特征在于,所述的ZnO
晶种溶胶是通过以下方法制备:首先将反应前驱体二水合醋酸锌、稳定剂乙醇胺、表面
活性剂聚乙二醇、去离子水分别加入至溶剂乙二醇甲醚中,先搅拌混合均...
【专利技术属性】
技术研发人员:张友法,张静,安力佳,余新泉,陈锋,
申请(专利权)人:东南大学,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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