【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底、位于所述半导体衬底内的P阱、并列设置于所述P阱内的N型漂移区与P型注入区以及位于所述半导体衬底上且位于所述N型漂移区与所述P型注入区的上方的栅极结构，还包括位于所述P阱内且与所述N型漂移区的靠近所述P型注入区的一侧相交叠的P型附加区，其中所述P型附加区的靠近所述P型注入区的一侧到所述P型注入区的距离小于所述N型漂移区的靠近所述P型注入区的一侧到所述P型注入区的距离。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戴执中，方磊，郑大燮，王刚宁，杨广立，唐凌，刘丽，孙泓，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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