【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种薄膜晶体管器件，依次包括：衬底、缓冲层、沟道层、栅绝缘层、栅极、层间绝缘层以及源漏极，其特征在于，所述沟道层的形状为弯曲型。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵加湘，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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