【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种GaN基发光二极管芯片，所述GaN基发光二极管芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有从所述P型层延伸到所述N型层的台阶，所述P型层上依次设有电流阻挡层、电流扩展层、P型电极，所述N型层上设有N型电极，钝化层覆盖在所述N型层、所述电流扩展层、以及所述台阶的侧壁上，其特征在于，所述GaN基发光二极管芯片还包括设置在所述台阶的侧壁和所述钝化层之间的光学增透膜，所述光学增透膜的折射率介于GaN的折射率和所述钝化层的折射率之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：卫婷，齐胜利，沈燕，王江波，
申请(专利权)人：华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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