一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、电子设备技术

本发明专利技术涉及电子设备技术领域，公开了一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、电子设备，其中，电子设备壳体包括壳体主体，以及形成于壳体主体表面的锰方硼石/金属复合涂层，所述锰方硼石/金属复合涂层为由所述锰方硼石的粉体与所述金属的粉体形成的前驱体粉末在所述壳体主体上喷涂形成。锰方硼石是一种稀有矿石，其可以与金属复合形成具有良好结合强度的锰方硼石/金属复合涂层；由于锰方硼石具有良好的抗磨损性能和抗菌性能，且具有良好的中子辐照性能，伽马射线辐照性能和电磁性能，因此，锰方硼石/金属复合涂层既抗磨损又可以灭菌；上述电子设备壳体中，壳体主体表面形成有锰方硼石/金属复合涂层，因此，上述电子设备壳体既耐磨损又抗菌。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子设备
，尤其是涉及一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、以及一种电子设备。
技术介绍
目前，电子设备尤其是手机，在日常生活中的使用频率非常高，且其所处环境温度适宜，因此极易滋生细菌，威胁到人体的健康；同时，电子设备在不同使用环境下会经常与其他介质发生摩擦，因此其外壳需要具备较高的耐磨性；从而，一种既耐磨又抗菌的电子设备壳体对于目前的电子设备领域的发展及应用具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术提供了一种电子设备壳体及其涂层的制备方法、电子设备，其中，电子设备壳体既耐磨损又抗菌。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种电子设备壳体，包括壳体主体，以及形成于壳体主体表面的锰方硼石/金属复合涂层，所述锰方硼石/金属复合涂层为由所述锰方硼石的粉体与所述金属的粉体形成的前驱体粉末在所述壳体主体上喷涂形成。锰方硼石是一种稀有矿石，其可以与金属复合形成具有良好结合强度的锰方硼石/金属复合涂层；由于锰方硼石具有良好的抗磨损性能，且具有良好的中子辐照性能，伽马射线辐照性能和电磁性能，因此，锰方硼石/金属复合涂层既抗磨损又可以灭菌；上述电子设备壳体中，壳体主体表面形成有锰方硼石/金属复合涂层，因此，上述电子设备壳体既耐磨损又抗菌。优选地，所述锰方硼石/金属复合涂层为锰方硼石/铝复合涂层、锰方硼石/铜复合涂层或者锰方硼石/镁铝合金复合涂层。一种电子设备，包括上述任一技术方案所述的电子设备壳体。一种电子设备壳体涂层的制备方法，包括：将由锰方硼石的粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/金属复合涂层。优选地，所述将由锰方硼石的粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/金属复合涂层，包括：将由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铝复合涂层；或者，将由锰方硼石的粉体与铜粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铜复合涂层；或者，将由锰方硼石的粉体与镁铝合金粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/镁铝合金复合涂层。优选地，所述将由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/铝复合涂层，包括：将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨，以形成喷涂前驱体粉末；将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面上。优选地，将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨，以形成喷涂前驱体粉末，具体包括：将亚微米级的锰方硼石的粉体与超细铝粉在氮气的氛围下混合以形成混合粉体；将混合粉体与酒精进行机械预混粉20分钟，所述混合粉体与酒精的体积比为1:0.95～1:1.59；将预混粉之后的粉体通过高能球磨混粉15～20分钟，球料比为11:1，转速为1500～2000转/分钟；将高能球磨后的粉体在氮气氛围下冷却至室温，并在真空干燥箱中干燥；将冷却干燥后的粉体在氮气氛围下研磨10～15分钟。优选地，所述混合粉体中锰方硼石的质量分数为0.5％～2％。优选地，将经选矿提纯后的锰方硼石的粉体，高能球磨50～60分钟，球料比为11:1，转速2000～3000转/分钟；将高能球磨后的锰方硼石的粉体在真空干燥箱中干燥5～6小时，温度65～90℃；将干燥后的锰方硼石的粉体研磨20～25分钟，得到亚微米级的锰方硼石的粉体。优选地，所述将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面上，包括：采用等离子喷涂技术将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面。优选地，所述等离子喷涂技术的工艺参数为：工作电压为70～80V；工作气体为38～60标准公升每分钟(NLPM)的氩气，9～12标准公升每分钟(NLPM)的氢气；送粉速率为3～9克/分钟；喷涂距离为90～130毫米；碳的重量百分比为1～9％。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种电子设备壳体的锰方硼石/铝复合涂层的制备方法流程图；图2为本专利技术另一实施例提供的一种电子设备壳体的锰方硼石/铝复合涂层的制备方法流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。请参考图1和图2。本专利技术实施例提供的一种电子设备壳体，包括壳体主体，以及形成于壳体主体表面的锰方硼石/金属复合涂层，锰方硼石/金属复合涂层为由锰方硼石的粉体与上述金属的粉体形成的前驱体粉末在壳体主体上喷涂形成。锰方硼石是一种稀有矿石，其可以与金属复合形成具有良好结合强度的锰方硼石/金属复合涂层；由于锰方硼石具有良好的抗磨损性能，且具有良好的中子辐照性能，伽马射线辐照性能和电磁性能，因此，锰方硼石/金属复合涂层既抗磨损又可以灭菌；上述电子设备壳体中，壳体主体表面形成有锰方硼石/金属复合涂层，因此，上述电子设备壳体既耐磨损又抗菌。一种具体的实施例中，锰方硼石/金属复合涂层可以为锰方硼石/铝复合涂层、锰方硼石/铜复合涂层或者锰方硼石/镁铝合金复合涂层；锰方硼石/金属复合涂层中的金属材料可以增强涂层的结合强度；另外，由于该涂层用于电子设备壳体上，因此，涂层中的金属材料优选为轻金属单质或者合金，进而，优选地，上述锰方硼石/金属复合涂层为锰方硼石/铝复合涂层和锰方硼石/镁铝合金复合涂层。需要说明的是，本专利技术中的锰方硼石/金属复合涂层并不限于上述实施例中所列举的金属种类。一种优选的实施例中，本专利技术的电子设备壳体中，锰方硼石/金属复合涂层为锰方硼石/铝复合涂层，该锰方硼石/铝复合涂层为由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末在壳体主体上喷涂形成。锰方硼石/铝复合涂层不仅具有耐磨损和杀菌的性能，而且还较轻便，因此，本实施例的电子设备壳体既耐磨损又抗菌、且较轻便。本专利技术实施例还提供一种电子设备，该电子设备包括上述任一实施例提供的电子设备壳体。该电子设备的壳体耐磨损且可以杀菌，因此，该电子设备使用方便且对人体健康有益。本专利技术实施例还提供一种电子设备壳体涂层的制备方法，包括：将由锰方硼石的粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子设备壳体，其特征在于，包括壳体主体，以及形成于所述壳体主体的表面的锰方硼石/金属复合涂层，所述锰方硼石/金属复合涂层为由所述锰方硼石的粉体与所述金属的粉体形成的前驱体粉末在所述壳体主体上喷涂形成。

【技术特征摘要】
1.一种电子设备壳体，其特征在于，包括壳体主体，以及形成于所述壳
体主体的表面的锰方硼石/金属复合涂层，所述锰方硼石/金属复合涂层为由所
述锰方硼石的粉体与所述金属的粉体形成的前驱体粉末在所述壳体主体上喷
涂形成。
2.根据权利要求1所述的电子设备壳体，其特征在于，所述锰方硼石/金
属复合涂层为锰方硼石/铝复合涂层、锰方硼石/铜复合涂层或者锰方硼石/镁铝
合金复合涂层。
3.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1～2任一项所述的电子设
备壳体。
4.一种电子设备壳体涂层的制备方法，其特征在于，包括：
将由锰方硼石的粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电
子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石/金属复合涂层。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述将由锰方硼石的
粉体与至少一种金属的粉体形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，
以形成锰方硼石/金属复合涂层，包括：
将由锰方硼石的粉体与铝粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体
表面，以形成锰方硼石/铝复合涂层；或者，
将由锰方硼石的粉体与铜粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体
表面，以形成锰方硼石/铜复合涂层；或者，
将由锰方硼石的粉体与镁铝合金粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳
体主体表面，以形成锰方硼石/镁铝合金复合涂层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述将由锰方硼石的
粉体与铝粉形成的前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面，以形成锰方硼石
/铝复合涂层，包括：
将锰方硼石的粉体与铝粉在氮气的氛围下混合并研磨，以形成喷涂前驱体

\t粉末；
将前驱体粉末喷涂到电子设备壳体主体表面上。
7.根据权利要求6所述的制备方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁栋，王凯旋，李伟，袁洪亮，马力，尤杨，武晓娟，陈会顺，彭晓青，毕谣，张子敬，郑琪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11