耐弯折透明硫化铜导电膜及其制备方法技术

耐弯折透明硫化铜导电膜及其制备方法，涉及柔性透明导电膜制备。所述耐弯折透明硫化铜导电膜由柔性透明薄膜和网络状的CuS导电膜组成，其方阻值Rs≤20Ω/sq，可见光的透光率T≥80％。所述耐弯折透明硫化铜导电膜的制备方法，包括以下步骤：1)通过静电纺丝技术在收集器上纺一层网状的聚乙烯醇细丝；2)通过磁控溅射技术，在步骤1)所得的细丝表面溅射一层Cu膜，取出后，转移至不同柔性基底表面，将导电膜浸泡于纯水中，去掉PVA模板，烘干，得薄膜；3)将步骤2)中所得的薄膜置于S的饱和乙醇溶液中进行硫化反应后，取出，洗涤烘干，即得耐弯折透明硫化铜导电膜。工艺简单，成本较低，容易实现大规模的生产。

【技术实现步骤摘要】
201610273823

【技术保护点】
耐弯折透明硫化铜导电膜，其特征在于由柔性透明薄膜和网络状的CuS导电膜组成，其方阻值Rs≤20Ω/sq，可见光的透光率T≥80％。

【技术特征摘要】
1.耐弯折透明硫化铜导电膜，其特征在于由柔性透明薄膜和网络状的CuS导电膜组成，
其方阻值Rs≤20Ω/sq，可见光的透光率T≥80％。
2.如权利要求1所述耐弯折透明硫化铜导电膜，其特征在于所述柔性透明薄膜选自高分
子聚合物薄膜、纸张、柔性纤维、金属箔片中的一种。
3.如权利要求1所述耐弯折透明硫化铜导电膜，其特征在于所述网络状的CuS导电膜的
CuS纳米线的长度为1～5cm，所述网络状的CuS导电膜的CuS纳米线的半径为50nm～20μm。
4.如权利要求1所述耐弯折透明硫化铜导电膜，其特征在于所述网络状的CuS导电膜的
CuS纳米线为中空结构。
5.如权利要求1所述耐弯折透明硫化铜导电膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1)通过静电纺丝技术在收集器上纺一层网状的聚乙烯醇细丝；
2)通过磁控溅...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭文熹，潘曹峰，张晓佳，刘向阳，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建;35