一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关制造技术

本发明专利技术公开了一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关，由N沟道的具有超低导通压降的VDMOS、驱动控制模块和电容组成，VDMOS为核心部分，C+接电容正端，C-接电容负端，G接VDMOS栅级，D+接VDMOS阳极，D-接VDMOS阴级，该电路具有旁路开关能力。电容和驱动控制模块用于VDMOS的驱动控制，而该结构包括光伏电池元胞的旁路开关的VDMOS，当光伏电池元胞中出现热点时，电流就会经旁路开关流过而不会阻断，在一切都正常的情况下旁路开关不会起作用的。本设计的VDMOS，仿真得出旁路开关的导通压降可以降低到50mV以下，反向漏电流更小，功耗更低，温度特性更好，寿命更长和特性更稳定。

【技术实现步骤摘要】
201610171579

【技术保护点】
一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关，其特征在于：包括1只N沟道具有超低导通压降的VDMOS、一个驱动控制模块和一个电容C1；VDMOS作为核心部分，所述驱动控制模块的C+极接电容正端，C‑极接电容负端，G极接VDMOS栅级，D‑极接VDMOS阳极，D+极接VDMOS阴级。

【技术特征摘要】
1.一种基于光伏应用的VDMOS旁路开关，其特征在于：包括
1只N沟道具有超低导通压降的VDMOS、一个驱动控制模块和一个
电容C1；VDMOS作为核心部分，所述驱动控制模块的C+极接电容
正端，C-极接电容负端，G极接VDMOS栅级，D-极接VDMOS阳
极，D+极接VDMOS阴级。
2.根据权利要求1所述的一种基于光伏应用的VDMOS旁路开
关，其特征在于：所述驱动控制模块包括单芯片处理器CMP、驱动
器、电荷泵以及振荡器OSC；所述电荷泵由若干串联的子电荷泵组
成，子电荷泵电路结构内部包括两个电容C2及电容C3，其中电容
C2和C3的负端分别接两个反相的震荡器信号。
3.根据权利要求1所述的一种基于光伏应用的VDMOS旁路开
关，其特征在于：VDMOS旁路开关的VDMOS、驱动控制模块以及
电容各电子器件可以是分立器件，也可以是VDMOS、驱动控制模块
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘建，刘青，税国华，张剑乔，
申请(专利权)人：重庆中科渝芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;85