【技术实现步骤摘要】
201410706106
【技术保护点】
一种双面电池的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：S1：在硅衬底的正面生长氧化铝；S2：将硼离子注入至氧化铝中，将V族离子注入至该硅衬底的背面；S3：对步骤S2得到的结构进行退火处理，同时该氧化铝中的硼离子进入该硅衬底的正面中形成P型掺杂层。
【技术特征摘要】
1.一种双面电池的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤：
S1：在硅衬底的正面生长氧化铝；
S2：将硼离子注入至氧化铝中，将V族离子注入至该硅衬底的背面；
S3：对步骤S2得到的结构进行退火处理，同时该氧化铝中的硼离子进
入该硅衬底的正面中形成P型掺杂层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，步骤S3之后还包括：
S4：在该硅衬底的正面和背面形成氮化硅层；
S5：在正面和背面的氮化硅层上丝网印刷栅状...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈培俊，金光耀，王懿喆，陈炯，洪俊华，
申请(专利权)人：上海晶玺电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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