键合线布置的可调损耗制造技术

本发明专利技术提供一种键合线布置，该键合线布置包括：信号键合线(1)，该信号键合线(1)用于将第一电子装置(6)可操作地连接到第二电子装置(8)；以及控制键合线(2)，该控制键合线(2)与该信号键合线相隔一段距离并排布置，以便与该信号键合线(1)磁耦合，并且具有耦合到地的第一端(11)和经由电阻元件(14)耦合到地的第二端(12)。所提出的解决方案允许在组装阶段期间控制引线键合电感器的Q因数(损耗)，相比于已知方法，这将节省时间并减少总体设计周期。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】201380080740

【技术保护点】
一种键合线布置，其特征在于，包括：信号键合线(1)，所述信号键合线(1)用于将第一装置(6)可操作地连接到第二电子装置(7)；控制键合线(2)，所述控制键合线(2)与所述信号键合线相隔距离(d)并排布置，以便与所述信号键合线磁耦合，并且具有耦合到地的第一端(11)和经由电阻元件(14)耦合到地的第二端(12)。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种键合线布置，其特征在于，包括：
信号键合线(1)，所述信号键合线(1)用于将第一装置(6)可操
作地连接到第二电子装置(7)；
控制键合线(2)，所述控制键合线(2)与所述信号键合线相隔距
离(d)并排布置，以便与所述信号键合线磁耦合，并且具有耦合到地的
第一端(11)和经由电阻元件(14)耦合到地的第二端(12)。
2.根据权利要求1所述的键合线布置，其特征在于，所述电阻元件
(14)具有0.2Ω到5Ω之间的电阻。
3.根据在前的任一项权利要求所述的键合线布置，其特征在于，所
述电阻元件(14)包括电阻器。
4.根据在前的任一项权利要求所述的键合线布置，其特征在于，所
述电阻元件(14)包括半导体层。
5.根据在前的任一项权利要求所述的键合线布置，其特征在于，所
述信号键合线(1)与所述控制键合线(2)之间的耦合因数(k)在0.1
到0.7之间。
6.根据在前的任一项权利要求所述的键合线布置，其特征在于，所
述信号键合线(1)与所述控制键合线(2)之间的距离(d)小于200μm。
7.根据在前的任一项权利要求所述的键合线布置，其特征在于，所
述键合线布置包括与所述电阻元件(14)串联布置的电容器(32)。
8.根据在前的任一项权利要求所述的键合线布置，其特征在于，另
外的控制键合线(3)与所述信号键合线(1)相隔另外的距离并排布置，
以使所述另外的控制键合线(3)与所述信号键合线磁耦合，所述另外的
控制键合线(3)布置在与布置所述控制键合线(2)的侧面相反的一侧
处。
9.根据在前的任一项权利要求所述的键合线布置，其特征在于，所
述键合线布置包括信号键合线(1)的阵列。
10.根据在前的任一项权利要求所述的键合线布置，其特征在于，
所述键合线布置包括控制键合线(2、3)的阵列。
11.一种用于功率放大器电路(900)的RF匹配网络中的旁路网络，
其特征在于，所述旁路网络包括根据在前的任一项权利要求所述的键合
线布置。
12.根据权利要求10所述的旁路网络，其特征在于，所述旁路网络
包括与去耦电容器(932)串联布置的旁路电感器(930)，所述旁路电感
器(930)通过所述键合线布置的所述信号键合线(1)实施。
13.一种用于功率放大器电路中的RF输出匹配网络，其特征在于，
所述匹配网络...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤里·沃洛霍恩，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US