【技术实现步骤摘要】
201610066721
【技术保护点】
一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法,其特征在于包括以下步骤:步骤1、对碳化硅样品进行传统RCA清洗;步骤2、将碳化硅样品置于电子回旋共振微波等离子体系统中,进行氢等离子体处理,具体包括以下子步骤:(a)将步骤1清洗后的碳化硅样品通过样品台载入石英放电室中;(b)对放电室抽真空,当真空度低于10‑3Pa时,开始对样品台进行升温处理,温度控制在100‑600℃;(c)开启电子回旋共振微波等离子体系统中的微波源,功率控制在200‑800W,并向石英放电室通入流量为10‑100sccm的氢气产生氢等离子体,然后对碳化硅样品处理1‑120min;(d)将样品台冷却到室温后,再向装样室充入氮气,并在氮气气氛保护下从装样室中取出碳化硅样品;步骤3、通过光刻在碳化硅样品上形成电极图形,具体包括以下子步骤:(a)一次烘干,将碳化硅样品置于热烘箱里烘干5‑20min,温度控制在50‑100℃;(b)甩胶,待热烘箱温度冷却至室温时,取出碳化硅样品,使用正胶为光刻胶,采用旋转法进行涂胶,转速控制在3000‑4000rpm,时间控制在30‑60s;(c)曝光,采用光刻机透过电极掩膜版紫外线曝光5‑20s;( ...
【技术特征摘要】
1.一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法,其特征在于包括以下步
骤:
步骤1、对碳化硅样品进行传统RCA清洗;
步骤2、将碳化硅样品置于电子回旋共振微波等离子体系统中,进行氢等离
子体处理,具体包括以下子步骤:
(a)将步骤1清洗后的碳化硅样品通过样品台载入石英放电室中;
(b)对放电室抽真空,当真空度低于10-3Pa时,开始对样品台进行升温处
理,温度控制在100-600℃;
(c)开启电子回旋共振微波等离子体系统中的微波源,功率控制在200-800
W,并向石英放电室通入流量为10-100sccm的氢气产生氢等离子体,然后对
碳化硅样品处理1-120min;
(d)将样品台冷却到室温后,再向装样室充入氮气,并在氮气气氛保护下
从装样室中取出碳化硅样品;
步骤3、通过光刻在碳化硅样品上形成电极图形,具体包括以下子步骤:
(a)一次烘干,将碳化硅样品置于热烘箱里烘干5-20min,温度控制在
50-100℃;
(b)甩胶,待热烘箱温度冷却至室温时,取出碳化硅样品,使用正胶为
光刻胶,采用旋转...
【专利技术属性】
技术研发人员:王德君,秦福文,黄玲琴,李青洙,
申请(专利权)人:大连理工大学,
类型:发明
国别省市:辽宁;21
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