【技术实现步骤摘要】
201610082529
【技术保护点】
一种鳍式场效应晶体管FinFET，包括：在衬底上沿第一方向延伸的鳍；在衬底上鳍的第一侧沿与第一方向相交的第二方向延伸从而与鳍相交的第一栅；在衬底上鳍的与第一侧相对的第二侧沿第二方向延伸从而与鳍相交且与第一栅相对的第二栅；以及与第二栅串联连接的负电容器。
【技术特征摘要】
1.一种鳍式场效应晶体管FinFET，包括：
在衬底上沿第一方向延伸的鳍；
在衬底上鳍的第一侧沿与第一方向相交的第二方向延伸从而与
鳍相交的第一栅；
在衬底上鳍的与第一侧相对的第二侧沿第二方向延伸从而与鳍
相交且与第一栅相对的第二栅；以及
与第二栅串联连接的负电容器。
2.根据权利要求1所述的FinFET，其中，负电容器的电容绝对
值小于第二栅所导致的第二栅电容。
3.根据权利要求2所述的FinFET，其中，负电容器与第二栅电
容的串联电容的绝对值近似等于第一栅所导致的第一栅电容。
4.根据权利要求3所述的FinFET，其中，负电容器与第二栅电
容的串联电容的绝对值大于第一栅所导致的第一栅电容。
5.根据权利要求1所述的FinFET，还包括：位于鳍顶部的电介
质层，其中第一栅和第二栅通过鳍及其顶部的电介质层而彼此分开。
6.根据权利要求1所述的FinFET，其中，第一栅包括叠置的第
一栅介质层和第一栅电极层，第二栅包括叠置的第二栅介质层和第二
栅电极层。
7.根据权利要求6所述的FinFET，其中，负电容器包括设置在
第二栅介质层与第二栅电极层之间的负电容材料层。
8.根据权利要求7所述的FinFET，还包括：在负电容材料层面
对第二栅介质层的表面以及负电容材料层面对第二栅电极层的表面中
至少一个表面上形成的导电层。
9.根据权利要求8所述的FinFET，其中，导电层包括TiN。
10.根据权利要求7所述的FinFET，其中，负电容材料层包括铁
电材料。
11.根据权利要求10所述的FinFET，其中，负电容材料层包括
含Zr、Ba或Sr的材料。
12.根据权利要求10所述的FinFET，其中，负电容材料层包括
HfZrO2、BaTiO3、KH2PO4或NBT或它们的任意组合。
13.根据权利要求1所述的FinFET，其中，衬底是体半导体衬底，
且该FinFET还包括在位于鳍下方的衬底部分中形成的穿通阻止层。
14.根据权利要求1所述的FinFET，其中，衬底是绝缘体上半导
体SOI衬底，且鳍形成于该SOI衬底的SOI层中。
15.一种电子设备，包括由如权利要求1-14之一所述的FinFET
形成的集成电路。
16.根据权利要求15所述的电子设备，还包括：与所述集成电路
配合的显示器以及与所述集成电路配合的无线收发器。
17.一种制造鳍式场效应晶体管FinFET的方法，包括：
在衬底上形成沿第一方向延伸的鳍；
在衬底上鳍的第一侧形成沿与第一方向相交的第二方向延伸以
便与鳍相交的第一栅；以及
在衬底上鳍的与第一侧相对的第二侧形成沿第二方向延伸以便
与鳍相交且与第一栅相对的第二栅，并形成与第二栅串联连接的负电
容器。
18.根据权利要求17所述的方法，其中，形成第一栅以及形成第
二栅包括：
在衬底上形成沿第二方向延伸以便与鳍相交的牺牲栅，该牺牲...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，朱正勇，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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