包含有机材料的电子装置制造方法及图纸

一种方法，包括：在一个共用的支撑体(6)上形成一个或多个系列的多层电子装置(分别覆盖区域2a、2b)，然后分离该电子装置；其中，该装置包括一个或多个有机层(9)，并且该方法包括将一个或多个有机层(9)沉积为相应的连续层，该连续层至少从该一个或多个系列装置的一端延伸至该一个或多个系列装置的另一端。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机材料被越来越多地用于电子装置中的电子功能元件。例如，有机材料被越来越多地用于半导体和晶体管阵列的绝缘体/电介质元件。用以制作包含有机材料的电子装置的一种技术包括在支撑衬底上沉积有机材料，并使用掩模处理，以避免在该支撑衬底的部分区域内的一个或多个位置中的有机材料的沉积保留在最终的装置中，从而在该装置的一个或多个周边区域留下无有机材料的区域。本申请的专利技术人已留意到这种技术所制造的装置的缺陷，并且已认识到进一步减少缺陷的出现的挑战。本专利技术的一个目的在于进一步减少在包含有机材料的装置中的缺陷的出现。因此，本专利技术提供一种方法，包括：在一个共用的支撑体上形成一个或多个系列的多层电子装置，然后分离该电子装置；其中，该装置包括一个或多个有机层，且该方法包括将一个或多个有机层沉积为相应的连续层，所述连续层至少从该一个或多个系列装置的一端延伸至该一个或多个系列装置的另一端。根据一个实施例，每个电子装置均包括晶体管阵列，以及沉积为连续层的一个或多个有机层，所述一个或多个有机层包括一个或多个：限定晶体管的半导体沟道的半导体层；限定晶体管的栅极电介质的电介质层；及导体层之间的一个或多个绝缘体层。根据一个实施例，该电子装置包括至少一个导体层，该导体层限定经由一个或多个驱动器芯片的相应的输出端子驱动的导体阵列；该方法包括将所述一个或多个驱动器芯片的接点定位在被沉积为连续层的所述一个或多个有机层的上方，其中，接点通过所述被沉积为连续层的一个或多个有机层连接至所述导体中的相应的导体。根据一个实施例，该电子装置包括处于相应层级的至少三个导体层，并且其中所述方法还包括挤压被沉积为连续层的所述一个或多个有机层的周边区域；以及经由在所述周边区域和所述周边区域向内的区域之间延伸的下导体层的一个或多个部分，在所述周边区域中的上导体层的一个或多个部分与在所述周边区域向内的中间导体层的一个或多个部分之间建立一个或多个导电连接。根据一个实施例，所述上导体层形成晶体管阵列的栅极和源极接点，且所述中间导体的一个或多个部分包括为所述晶体管阵列提供栅电极的一个或多个栅极导体和/或为所述晶体管阵列提供源电极的一个或多个源极导体。根据一个实施例，该方法还包括：在所述被沉积为连续层的一个或多个有机层中的一个或多个的下方的导体层内设置至少一个链接一组导体的短接导体；设置至少一个层间导电连接，所述层间导电连接在所述短接导体通过所述一个或多个有机层至设置在被沉积为连续层的所述一个或多个有机层的上方的接点之间；经由所述接点的进行电学测试；以及随后通过移除所述导体层的一个或多个部分及覆盖在所述导体层的所述一个或多个部分上的所述一个或多个有机层的一个或多个部分，将所述短接导体与该组导体隔离。下面将参照附图，仅通过示例的方式描述根据本专利技术实施例的技术的示例，所述附图中：图1示意性地示出了形成包含有机材料的多个电子装置的层的沉积区域的示例；图2示意性地示出了用于多个电子装置的堆叠层的示例；图3示出了在导体层间的层间导电连接的位置的示例；以及图4示出了用于利于顶导体层下方的导体的电学测试的技术的示例。以下将以电子装置为例描述根据本专利技术实施例的技术的示例；该电子装置包括被设计用于控制光学显示媒介的多个晶体管的晶体管阵列。然而，同样的技术也适用于其他类型的电子装置，以及包括与附图所示的不同的晶体管阵列设计的装置。在本说明书的末尾描述了在本专利技术范围内对附图中所示的装置进行修改的其他示例。本示例涉及多个电子装置的制造，所述电子装置在部分制造过程期间共享共用的支撑材料片体6。在制造过程中随后的阶段中，该多个电子装置彼此分离，附图标记2示出了分离后的各电子装置的区域。各电子阵列包括附图标记5所示的晶体管阵列区域，以及用于例如将所述晶体管阵列周围的栅极和源极导体路由(routing)至一个或多个驱动器芯片接点的周边区域。附图标记4指示在制造过程期间在支撑材料片体上沉积导体、半导体、绝缘体/电介质材料的连续层的区域。如所示，该沉积区域4连续延伸布满整个其周边与该装置区域2a-2i中靠外者的外部边缘重合的矩形区域且超过该矩形区域。支撑材料的示例包括具有平坦化的上表面的柔性的塑料膜。在制造过程期间，该柔性塑料膜可临时附着到刚性的母板(未示出)。参考图2，制造过程的一个示例包括：在支撑片体6上沉积连续的第一导体层8，接着图案化第一导体层以限定形成用于各电子装置的源极和漏极导体的阵列。在本示例中，第一导体层的图案化还限定栅极导体延伸部和临时短接条，这将在下文中更详细地讨论。源极导体提供用于晶体管的源电极，而漏极导体提供用于相应晶体管的漏极极。根据一个示例，每个源极导体提供用于晶体管阵列中相应行的晶体管的源电极。然后，在图案化的第一导体层8上沉积有机半导体材料9(诸如一种半导体聚合物)的连续层。该半导体层8形成所有晶体管阵列的所有晶体管的半导体沟道。然后，在半导体层9上沉积连续的电介质材料层(或连续的电介质材料层的堆叠)10。该电介质层10形成用于所有晶体管阵列的所有晶体管的栅极电介质。在本示例中，半导体层9和电介质层10随后被图案化以形成用于层间导电连接的通孔，所述层间导电连接从第一导体层8所限定的栅极导体延伸部到要在生产过程的下一个阶段形成的相应的栅极导体。在所述电介质层(一个或多个)10上沉积连续的第二导体材料层12。第二导体层的沉积填充形成于半导体层9和电介质层10中的通孔。第二导体层12然后被图案化以限定用于每个晶体管阵列的栅极导体阵列，其中，该栅极导体为晶体管提供栅电极。在本示例中，每个栅极导体为晶体管阵列的相应列的晶体管提供栅电极，栅极导体通过形成于半导体层9和电介质层10中的通孔连接至由图案化的第一导体层限定的相应的栅极导体延伸部。在本示例中，第二导体层12的图案化也限定了：(a)栅极导体中的用于容纳要在漏极导体和处于更高层级的相应的像素导体之间形成的层间导电连接的通孔；(b)临时短接条，其用于提供栅极导体之间的临时连接，这将在下文中更详细地讨论；以及(c)用于容纳要在上导体层20和由图案化的第一导体层8限定的临时短接条40之间形成的层间连接的通孔。然后，在图案化的第二导体层13上沉积连续的绝缘材料层(或连续的堆叠材料层的堆叠)14。该(一个或多个)绝缘体层14用于防止在第二导体层12和下文将提到的第三导体层16之间的电短接。然后，连续的第三导体材料层16沉积在绝缘体14上方，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，其包括：在一个共用的支撑体上形成一个或多个系列的多层电子装置，然后分离所述电子装置；其中所述装置包括一个或多个有机层，所述方法包括将所述有机层中的一个或多个沉积为相应的连续层，所述连续层至少从所述一个或多个系列的装置中的一端延伸至所述一个或多个系列装置的另一端。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.10.08 GB 1317760.51.一种方法，其包括：在一个共用的支撑体上形成一个或多个系列的多层
电子装置，然后分离所述电子装置；其中所述装置包括一个或多个有机层，所
述方法包括将所述有机层中的一个或多个沉积为相应的连续层，所述连续层至
少从所述一个或多个系列的装置中的一端延伸至所述一个或多个系列装置的另
一端。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述电子装置各自包括晶体管阵列，
并且其中所述被沉积为连续层的一个或多个有机层包括下列中的一个或多个：
限定所述晶体管的半导体沟道的半导体层，限定所述晶体管的栅极电介质的电
介质层，以及导体层之间的一个或多个绝缘体层。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述电子装置包括至少一个导体
层，所述至少一个导体层限定经由一个或多个驱动器芯片的相应的输出端子来
驱动的导体的阵列；并且其中所述方法包括将用于所述一个或多个驱动器芯片
的接点定位在所述被沉积为连续层的一个或多个有机层上，其中所述接点通过
所述被沉积为连续层的一个或多个有机层连接至所述导体中的相应的导体。
4.根据前述权利要求中的任何一项所述的方法，其中所述装置包括处于...

【专利技术属性】
技术研发人员：B·兹默尔曼，
申请(专利权)人：弗莱克因艾伯勒有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB