一种多晶硅锭及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种多晶硅锭的制备方法，包括：在坩埚底部中心铺设普通籽晶形成第一籽晶层，在坩埚底部靠近坩埚侧壁的区域铺设具有高密度晶体缺陷的籽晶，形成第二籽晶层；在第一籽晶层和第二籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制坩埚底部的温度，使所述第一籽晶层和第二籽晶层不被完全熔化；控制坩埚内热场形成过冷度，并控制坩埚内的温度沿垂直于坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔化后的硅料结晶凝固，待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。本发明专利技术方法能有效降低硅锭边部区域的硅晶体缺陷密度和杂质含量，提高硅锭的整体质量。本发明专利技术还提供了由该方法制备得到的多晶硅锭。

【技术实现步骤摘要】
201610230120

【技术保护点】
一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：在坩埚底部中心铺设普通籽晶形成第一籽晶层，在坩埚底部靠近坩埚侧壁的区域铺设具有高密度晶体缺陷的籽晶，形成第二籽晶层；所述第二籽晶层形成在所述第一籽晶层四周，所述第一籽晶层和第二籽晶层完全覆盖所述坩埚底部；在所述第一籽晶层和第二籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制所述坩埚底部的温度，使所述第一籽晶层和第二籽晶层不被完全熔化；控制坩埚内热场形成过冷度，并控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔化后的硅料在未熔化的第一籽晶层和第二籽晶层上结晶凝固，待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。

【技术特征摘要】
1.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括：
在坩埚底部中心铺设普通籽晶形成第一籽晶层，在坩埚底部靠近坩埚侧壁
的区域铺设具有高密度晶体缺陷的籽晶，形成第二籽晶层；所述第二籽晶层形
成在所述第一籽晶层四周，所述第一籽晶层和第二籽晶层完全覆盖所述坩埚底
部；
在所述第一籽晶层和第二籽晶层上设置熔融状态的硅料，控制所述坩埚底
部的温度，使所述第一籽晶层和第二籽晶层不被完全熔化；
控制坩埚内热场形成过冷度，并控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚
底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得熔化后的硅料在未熔化的第一籽
晶层和第二籽晶层上结晶凝固，待全部结晶完后，经退火冷却得到多晶硅锭。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述具有高密度晶体缺陷的籽
晶为平均位错密度大于1×106/cm2的籽晶。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二籽晶层的宽度为1-3cm，

【专利技术属性】
技术研发人员：雷琦，胡动力，何亮，张学日，
申请(专利权)人：江西赛维LDK太阳能高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36