本实用新型专利技术提供一种含粒子的双面ITO导电膜,包括基材层,基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层,其中,基材厚度介于23um至250um之间,光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子,光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间,光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间,ITO导电层厚度小于40nm,双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。本实用新型专利技术所述的双面ITO导电膜其光学调整层薄,透光性好,不影响粒子凸起程度。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及导电膜
,尤其涉及一种含粒子的双面ΙΤ0导电膜。
技术介绍
触摸式屏幕在手机和平板电脑等有着越来越多的应用,触摸屏作为一种新型的输 出设备已十分流行和普遍,因此作为触摸屏必不可少的透明导电膜需求量也越来也大。ΙΤ0 导电膜透过率最高和导电性能最好,广泛地应用于移动通讯领域的触摸屏。ΙΤ0膜层的厚度 不同,膜的导电性能和透光性能也不同。一般来说,在相同的工艺条件和性能相同的PET基 底材料的情况下,ΙΤ0膜层越厚,ΡΕΤ-ΙΤ0膜的表面电阻越小,光透过率也相应的越小。现有 含粒子的双面ΙΤ0导电膜,如图1所示,由两个单面的ΙΤ0导电膜21通过粘结层22结合成双面 的ΙΤ0导电膜,每一单面ΙΤ0导电膜21包括基材层211、设置在基材层211上的光学调整层212 以及设置在光学调整层上的ΙΤ0层213。该结构的双面ΙΤ0导电膜,由于层结构及层厚度的设 计不合理,影响粒子的凸起程度,存在ΙΤ0层密著性差以及透过率低等问题。
技术实现思路
鉴于以上所述,本技术研发一种合理的层结构设计与厚度控制,使得粒子凸 起不收影响,密著性佳且透光率理想。 -种含粒子的双面ΙΤ0导电膜,包括基材层,基材层两面依序为光学调整硬涂层、 光学调整层、ΙΤ0导电层,其中,基材厚度介于23um至250um之间,光学调整硬涂层中添加有 机或无机粒子,光学调整硬涂层的厚度为500nm至5um之间,光学调整硬涂层的折射率介于 1.6至1.7之间,ΙΤ0导电层厚度小于40nm,双面光学调整层与双面ΙΤ0导电层的总厚度小于 120nm〇 进一步地,所述双面光学调整层与双面ΙΤ0导电层的总厚度小于lOOnm。 进一步地,在双面皆含有ΙΤ0导电层的情况下,色差b*值小于4.5。 进一步地,所述光学调整硬涂层的铅笔硬度为F以上。 进一步地,所述光学调整硬涂层与光学调整层间添加有密著层。 进一步地,所述光学调整硬涂层折射率优选为1.65-1.7,厚度优选为l-10um,光学 调整层厚度优选为20-30nm,IT0导电层厚度优选为20-25nm〇 更进一步地,所述光学调整硬涂层的厚度优选为l_5um。 进一步地,所述光学调整硬涂层折射率为1.65,厚度为lum,光学调整层厚度为 20nm,ΙΤ0导电层厚度为20nm。 进一步地,所述粒子的直径为500nm至10um之间。 进一步地,所述粒子的直径优选为500nm至5um之间。本技术的有益效果,本技术含粒子的双面ΙΤ0导电膜通过各层结构的合 理设计及厚度控制,ΙΤ0导电层密著性佳,透光率高,光学调整硬涂层较薄,不会影响粒子凸 起程度。【附图说明】 上述说明仅是本技术技术方案的概述,为了更清楚地说明本技术的技术 方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,描述中的附图 仅仅是对应于本技术的具体实施例,对于本领域普通技术人员来说,在不付出创造性 劳动的前提下,在需要的时候还可以根据这些附图获得其他的附图。 图1为现有双面ΙΤ0导电膜的层结构示意图; 图2为本技术的含粒子的双面ΙΤ0导电膜截面示意图; 图3为对比实施例一双面ΙΤ0导电膜的层结构示意图; 图4为对比实施例二双面ΙΤ0导电膜的层结构示意图;图5为对比实施例三双面ΙΤ0导电膜的层结构示意图。【具体实施方式】 为了详细阐述本技术为达成预定技术目的而所采取的技术方案,下面将结合 本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显 然,所描述的实施例仅仅是本技术的部分实施例,而不是全部的实施例,并且,在不付 出创造性劳动的前提下,本技术的实施例中的技术手段或技术特征可以替换,下面将 参考附图并结合实施例来详细说明本技术。 请参阅图2,一种含粒子的双面ΙΤ0导电膜,包括基材层10,基材层两面依序为光学 调整硬涂层11、光学调整层12、IT0导电层13。双面ΙΤ0导电膜内分布有粒子14,粒子14添加 于光学调整硬涂层11中,使得光学调整硬涂层11、光学调整层12、ΙΤ0导电层13在覆盖粒子 14所在位置对应地形成为凸起,粒子的直径为500nm-10um。 光学调整硬涂层11的折射率为1.6-1.7,厚度为500nm-15um;光学调整层12的制程 方式采用乾式镀膜,折射率为1.4-1.5,厚度在小于或等于40nm。ΙΤ0导电层厚度小于或等于 40nm。具体的,本技术双面ΙΤ0导电膜选用如下较佳实施例,请参下表一。 表一 请参阅图3、图4、图5,选用与本技术实施例相比较的三种双面ΙΤ0导电膜结 构,图3中,ΙΤ0导电膜包括基材层30以及在基材层30两面依序设置第一光学调整层31、第二 光学调整层32、以及ΙΤ0导电层33。第一光学调整层31材料Nb 2〇5,厚度10nm;第二光学调整层 32材料Si02,厚度40nm;IT0导电层33厚度20nm。图4中,ΙΤ0导电膜包括基材层40以及在基材 层40两面依序设置光学调整硬涂层41、第一光学调整层42、第二光学调整层43、以及ΙΤ0导 电层44。光学调整硬涂层41折射率1.54,厚度lum;第一光学调整层42材料Nb 2〇5,厚度10nm; 第二光学调整层43材料Si02,厚度40nm;IT0导电层44厚度20nm。图5中,ΙΤ0导电膜包括基材 层50以及在基材层50两面依序设置光学调整硬涂层51、光学调整层52、以及ΙΤ0导电层53, 光学调整硬涂层51折射率1.54,厚度lum;光学调整层52材料Si0 2,厚度20nm;IT0导电层44 厚度20nm。具体地,各比较例的参数请参下表二, 表二将上述实施例与比较例测试结果如下表三, 表三 通过上述测试结果比较分析可知,比较例1:虽光学、电性、有无 ΙΤ0时颜色差异皆 可符合需求,但因缺乏硬涂层,导致表面铅笔硬度不足,容易导致膜面刮伤。且因双面乾式 镀膜总厚度太厚,于第一面镀膜时累积过多热量于基材上,导致第二面镀膜时出现MD向皱 折或不规则变形。比较例2:虽含有硬涂层,可改善膜铅笔硬度,但双面乾式镀膜总厚度仍过 厚与比要例一相同,会产生第二面镀膜时MD向皱折或不规则变形的问题。比较例3:于硬涂 层上溅镀单一光学调整层,虽可降低乾式镀膜总厚度,改善膜面皱折或变形的问题。但因一 般硬涂层折射率较低,光学匹配性较差,导致b值过高、有无 ΙΤ0时颜色差异明显而无法使 用。 本技术的实施例中,实施例1:以湿式涂布方式制作光学调整硬涂层,可同时 达到改善铅笔硬度,与避免膜面皱折或变形的问题。在光学匹配性方面也可达到对应的要 求。实施例1-3:光学调整硬涂层厚度若为300nm时,则铅笔硬度达不到F的要求,所以其厚度 需在500nm以上。实施例1,4,5:光学调整硬涂层折射率需在1.6-1.7之间,若过低则会产生 与比较例3相同的问题。实施例1,6,7,8:当Si0 2厚度达到40nm时,加上20nm的ΙΤ0厚度,其双 乾式镀膜总厚度达到120nm,因厚度过后,发生与比较例1 一样的膜面MD向皱折或不规则变 形的问题。实施例1,9,10: ΙΤ0厚度过后时,虽可达到更低之电阻,但也伴随发生光学、膜面 变形之问题,因此ΙΤ0本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种含粒子的双面ITO导电膜,包括基材层,其特征在于:基材层两面依序为光学调整硬涂层、光学调整层、ITO导电层,其中,基材厚度介于23um至250um之间,光学调整硬涂层中添加有机或无机粒子,光学调整硬涂层的厚度为500nm至15um之间,光学调整硬涂层的折射率介于1.6至1.7之间,ITO导电层厚度小于40nm,双面光学调整层与双面ITO导电层的总厚度小于120nm。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:胡文玮,
申请(专利权)人:汕头万顺包装材料股份有限公司,汕头万顺包装材料股份有限公司光电薄膜分公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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