【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
一种利用工艺气流在晶片上生长外延层的外延晶片生长装置，该装置包括：反应腔，在所述反应腔中，存在所述工艺气流；上部衬垫和下部衬垫，每个衬垫均环绕所述反应腔的侧面；基座，与所述反应腔同心布置且同心布置在所述反应腔中，所述基座配置用于支撑在该基座上的所述晶片；预热环，所述预热环安置在所述下部衬垫的顶面上，所述预热环与所述基座共面，并且所述预热环与所述基座隔开；以及至少一个突出部，所述至少一个突出部从所述预热环向下延伸，其中，所述突出部与所述下部衬垫的圆周侧表面具有圆周接触面，其中，所述突出部配置用于将所述预热环固定至所述下部衬垫，以使所述预热环与所述基座之间沿所述预热环保持均匀的间隔。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
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