一种用于核磁共振成像的低噪声放大器制造技术

技术编号:13341123 阅读:228 留言:0更新日期:2016-07-13 17:01
本发明专利技术涉及一种用于核磁共振成像的低噪声放大器,其特征在于包括两级共栅结构和一级共源结构,以满足核磁共振系统需要低输入阻抗和低噪声的要求,前两级采用共栅结构,后一级采用共源结构,工作时前端的共栅结构能够在保持噪声的情况下降低输入阻抗,而两级的共栅结构能够进一步拉低输入阻抗。最后一级的共源能够提供较高的增益。本发明专利技术通过简化输入端的阻抗匹配,能够满足核磁共振系统中低输入阻抗(1.5欧姆)的要求,同时保持良好的噪声特性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种用于核磁共振成像的低噪声放大器,其特征在于所述的低噪声放大器包括两级共栅结构和一级共源结构,前两级采用共栅结构,第三级采用共源结构,前端的共栅结构能够在保持噪声的情况下降低输入阻抗,且两级的共栅结构能够进一步拉低输入阻抗;第三级的共源结构能够提供较高的增益。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:孙晓玮闵文超高兴振顾建忠
申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
类型:发明
国别省市:上海;31

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1