配向膜的制作方法及配向膜制作设备技术

本发明专利技术提供了一种配向膜的制作方法及配向膜制作设备，该配向膜的制作方法包括：对基板进行清洗工艺，在经过所述清洗工艺的所述基板上涂布配向液，对涂布在所述基板上的所述配向液进行固化工艺，其中，在所述对基板进行清洗工艺之前还包括：对所述基板进行EUV光照。本发明专利技术提供的配向膜的制作方法，通过在对基板进行清洗工艺之前对该基板进行EUV光照，通过EUV光照可以将基板表面上不易被清洗掉的有机物杂质分解，并且残留在基板表面的分解物以及基板表面上其他易清洗掉的杂质可通过后续的清洗工艺去除，从而在配向液涂布时有效减小配向液与基板表面的接触角，有效提高配向液与基板表面的黏附性，进而有效降低涂布不良。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域，尤其涉及一种配向膜的制作方法及配向膜制作设备。
技术介绍
液晶显示装置因具有功耗低、无辐射等优点，现已占据了平面显示领域的主导地位。现有的液晶显示装置中液晶显示面板主要包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层，在液晶层的两侧设置有配向膜，配向膜的作用是使液晶层中液晶分子产生取向，实现显示功能。目前常用的配向膜制作方法如下：采用转印版(ARPPlate)在基板(阵列基板或彩膜基板)上涂布配向液(PI液)，然后再通过配向工艺(如摩擦配向工艺/光配向)以及其他工艺从而在基板上形成所需的配向膜。然而，对于放置时间较长的基板，其表面会有较多不易被清洗掉的脏污(如有机物杂质)，当对基板进行清洗工艺后在其上涂布配向液时，容易造成涂布不良(CoatingDefect)，例如，对于彩膜基板，容易造成彩膜基板表面的OC保护层与配向液的粘附性不好，特别是当使用高粘度的配向液时，更容易产生涂布不良。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是：提供一种配向膜的制作方法及配向膜制作设备，能够降低配向液涂布时产生的涂布不良。(二)技术方案为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供了一种配向膜的制作方法，包括：对基板进行清洗工艺，在经过所述清洗工艺的所述基板上涂布配向液，对涂布在所述基板上的所述配向液进行固化工艺，其中，在所述对基板进行清洗工艺之前还包括：对所述基板进行EUV光照。优选地，所述清洗工艺包括至少一次清洗工序，每一次所述清洗工序包括：采用滚刷对所述基板进行清洗，然后采用气液混合体对所述基板进行冲洗，对经过所述冲洗后的所述基板进行干燥处理。优选地，在所述清洗工艺中执行至少三次所述清洗工序。优选地，在所述对所述基板进行EUV光照之前还包括：检测所述基板的放置时间；其中，若所述基板的放置时间大于或等于预设时间，则对所述基板进行所述EUV光照。优选地，对所述基板进行所述EUV光照的光照量为8000mj/cm2～9000mj/cm2。为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种配向膜制作设备，包括：清洗装置，用于对基板进行清洗工艺；涂布装置，用于在经过所述清洗工艺的所述基板上涂布配向液；固化装置，用于对涂布在所述基板上的所述配向液进行固化工艺；光照装置，用于在所述清洗工艺之前对所述基板进行EUV光照。优选地，所述清洗工艺包括至少一次清洗工序，每一次所述清洗工序包括：采用滚刷对所述基板进行清洗，然后采用气液混合体对所述基板进行冲洗，对经过所述冲洗后的所述基板进行干燥处理。优选地，还包括检测装置和控制装置；所述检测装置用于检测所述基板的放置时间，若所述基板的放置时间大于或等于预设时间，则所述控制装置控制所述光照装置对所述基板进行所述EUV光照。优选地，还包括传送装置，所述传送装置用于将所述基板依次传送至光照区、清洗区、涂布区和固化区；若所述基板的放置时间大于或等于所述预设时间，当所述传送装置将所述基板传送至所述光照区时，所述控制装置控制所述光照装置对所述基板进行所述EUV光照，当所述传送装置将所述基板传送至所述清洗区时，所述控制装置控制所述清洗装置对所述基板进行至少一次所述清洗工序，当所述传送装置将所述基板传送至所述涂布区时，所述控制装置控制所述涂布装置在所述基板上涂布所述配向液，当所述传送装置将所述基板传送至所述固化区时，所述控制装置控制所述固化装置对所述基板上的所述配向液进行固化工艺。优选地，在所述光照区，所述光照设备对所述基板进行所述EUV光照的光照量为8000mj/cm2～9000mj/cm2。优选地，所述光照装置对所述基板的照射功率大于400mw/cm2；所述光照装置在所述传送装置上形成矩形状的光照图案，且所述矩形状的光照图案在所述传送装置传送所述基板方向上的长度为1200mm～1400mm；所述传送装置在所述光照区传送所述基板的速度为2200mm/min～4000mm/min。优选地，在所述清洗区，所述清洗装置对所述基板进行至少三次所述清洗工序。(三)有益效果本专利技术提供的配向膜的制作方法，通过在对基板进行清洗工艺之前对该基板进行EUV光照，通过EUV光照可以将基板表面上不易被清洗掉的有机物杂质分解，并且残留在基板表面的分解物以及基板表面上其他易清洗掉的杂质可通过后续的清洗工艺去除，从而在配向液涂布时有效减小配向液与基板表面的接触角，有效提高配向液与基板表面的黏附性，进而有效降低涂布不良。附图说明图1是本专利技术实施方式提供的一种配向膜的制作方法的流程图；图2是本专利技术实施方式提供的一种配向膜制作设备的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。本专利技术实施方式提供了一种配向膜的制作方法，包括：对基板进行清洗工艺，在经过所述清洗工艺的所述基板上涂布配向液，对涂布在所述基板上的所述配向液进行固化工艺，其中，在所述对基板进行清洗工艺之前还包括：对所述基板进行EUV(ExcimerUV，准分子紫外光)光照。本专利技术实施方式提供的配向膜的制作方法，通过在对基板进行清洗工艺之前对该基板进行EUV光照，通过EUV光照可以将基板表面上不易被清洗掉的有机物杂质分解，并且残留在基板表面的分解物以及基板表面上其他易清洗掉的杂质可通过后续的清洗工艺去除，从而在配向液涂布时有效减小配向液与基板表面的接触角，有效提高配向液与基板表面的黏附性，进而有效降低涂布不良。其中，上述的基板可以彩膜基板，也可以为阵列基板，上述的配向液可以为摩擦配向的配向液(如聚酰亚胺)，也可以为光配向的配向液；参见图1，图1是本专利技术实施方式提供的一种配向膜的制作方法的流程图，包括：S1：对基板进行EUV光照；例如，该基板可以为彩膜基板，对所述基板进行EUV光照的光照量可以为8000mj/cm2～9000mj/cm2，例如，可以为8500mj/cm2等。S2:对经过所述EUV光照的基板进行清洗工艺；例如，所述清洗工艺包括至少一次清洗工序，其中，每一次所述清洗工序包括：采用滚刷对所述基板进行清洗，然后采用气液混合体对所述基板进行冲洗，对经过所述冲洗后的所述基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种配向膜的制作方法，包括：对基板进行清洗工艺，在经过所述清洗工艺的所述基板上涂布配向液，对涂布在所述基板上的所述配向液进行固化工艺，其特征在于，在所述对基板进行清洗工艺之前还包括：对所述基板进行EUV光照。

【技术特征摘要】
1.一种配向膜的制作方法，包括：对基板进行清洗工艺，在经过
所述清洗工艺的所述基板上涂布配向液，对涂布在所述基板上的所述
配向液进行固化工艺，其特征在于，在所述对基板进行清洗工艺之前
还包括：对所述基板进行EUV光照。
2.根据权利要求1所述的配向膜的制作方法，其特征在于，所述
清洗工艺包括至少一次清洗工序，每一次所述清洗工序包括：采用滚
刷对所述基板进行清洗，然后采用气液混合体对所述基板进行冲洗，
对经过所述冲洗后的所述基板进行干燥处理。
3.根据权利要求2所述的配向膜的制作方法，其特征在于，在所
述清洗工艺中执行至少三次所述清洗工序。
4.根据权利要求1所述的配向膜的制作方法，其特征在于，在所
述对所述基板进行EUV光照之前还包括：检测所述基板的放置时间；
其中，若所述基板的放置时间大于或等于预设时间，则对所述基板进
行所述EUV光照。
5.根据权利要求1所述的配向膜的制作方法，其特征在于，对所
述基板进行所述EUV光照的光照量为8000mj/cm2～9000mj/cm2。
6.一种配向膜制作设备，其特征在于，包括：
清洗装置，用于对基板进行清洗工艺；
涂布装置，用于在经过所述清洗工艺的所述基板上涂布配向液；
固化装置，用于对涂布在所述基板上的所述配向液进行固化工艺；
光照装置，用于在所述清洗工艺之前对所述基板进行EUV光照。
7.根据权利要求6所述的配向膜制作设备，其特征在于，所述清
洗工艺包括至少一次清洗工序，每一次所述清洗工序包括：采用滚刷
对所述基板进行清洗，然后采用气液混合体对所述基板进行冲洗，对
经过所述冲洗后的所述基板进行干燥处理。
8.根据权利要求7所述的配向膜制作设备，其特征在于，还包括

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【专利技术属性】
技术研发人员：林海云，李京鹏，高悦凯，谢振宇，闵泰烨，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11