一种提高内层曝光对位精度的方法技术

本发明专利技术公开了一种提高内层曝光对位精度的方法，包括以下步骤：a、在对应于内层芯板第一表面的菲林上制作第一标尺，所述第一标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成；b、在对应于内层芯板第二表面的菲林上制作第二标尺，所述第二标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成，所述第一标尺和所述第二标尺的第一根刻度线对齐设置，所述第二标尺刻度线之间的间距小于所述第一标尺刻度线之间的间距。第一标尺刻度线间距较第二标尺间距大0.005mm，两面曝光后，通过读取两标尺的偏移量可测出曝光对位的偏差量，即对位精度，可将对位精度提高至5μm，并且测量方法简单快捷，可以直接读取对位精度，可有效检验曝光制程能力，并提升曝光精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于印制电路板制作
，具体地说涉及一种提高内层曝光对位精度的方法。
技术介绍
在印制电路板(PCB)的制作工艺中，曝光工序一般存在于内层线路制作、外层线路制作、阻焊层制作三个部分，该工序的步骤主要为在板面压制感光膜或涂覆感光剂后进行曝光显影，此工序中，曝光对位精准度是衡量制程能力的关键因素，也是影响产品性能的重要原因。现有技术中，PCB曝光工序中，对位精度一般由如下方法确定：在同一张内层芯板两面设置两个圆环，两个圆环同心且两圆环半径相差3mil，曝光后判断两个圆的相对位置，从而确定曝光图形偏移量。上述方法测量精度无法精确到微米级，对于精度更高的LDI曝光机无法测量对位精度是否可以达到+/-5μm，精度与制程能力不能满足要求。
技术实现思路
为此，本专利技术所要解决的技术问题在于现有曝光对位精度检测方式精度较低，不能达到微米级，无法满足高精度的制程要求，从而提出一种可提高内层曝光对位精度的方法。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：本专利技术提供一种提高内层曝光对位精度的方法，包括如下步骤：a、在对应于内层芯板第一表面的菲林上制作第一标尺，所述第一标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成；b、在对应于内层芯板第二表面的菲林上制作第二标尺，所述第二标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成，所述第一标尺和所述第二标尺的第一根刻度线对齐设置，所述第二标尺刻度线之间的间距小于所述第一标尺刻度线之间的间距。作为优选，所述第一标尺的刻度线间距为0.5mm。作为优选，所述第二标尺的刻度线间距为0.495mm。作为优选，所述第一标尺和所述第二标尺的位置对应于所述内层芯板的无效区设置。作为优选，步骤b后，还包括对所述内层芯板进行两面曝光、显影和蚀刻的工序。作为优选，所述两面曝光的工艺参数为：曝光能量级别：7级，温度：18-24℃，真空度：-300mmHg，能量均匀性：85％。本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：本专利技术所述的提高内层曝光对位精度的方法，根据错位放大原理，在内层芯板两面的菲林上分别设置第一标尺和第二标尺，第一标尺刻度线间距较第二标尺间距大0.005mm，两面曝光后，通过读取两标尺的偏移量可测出曝光对位的偏差量，即对位精度，可将对位精度提高至5μm，并且测量方法简单快捷，可以直接读取对位精度，可有效检验曝光制程能力，并提升曝光精度。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中图1是本专利技术实施例1所述的一种提高内层曝光对位精度的方法的示意图；图2是本专利技术实施例2所述的一种提高内层曝光对位精度的方法的示意图。图中附图标记表示为：1-第一标尺；2-第二标尺。具体实施方式实施例1本实施例提供一种提高内层曝光对位精度的方法，如图1所示，包括如下步骤：a、在对应于内层芯板第一表面即上表面的菲林上制作第一标尺1，所述第一标尺1由至少3根均匀分布的刻度线组成，本实施例中所述刻度线为多根，相邻刻度线之间距离为0.5mm；b、在对应于内层芯板第二表面即下表面的菲林上制作第二标尺2，所述第二标尺2与第一标尺1的位置相对应，所述第二标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成，本实施例中所述刻度线为多根，所述第一标尺1和所述第二标尺2的第一根刻度线对齐设置，且所述第二标尺2的刻度线之间的间距小于所述第一标尺1刻度线之间的间距，所述第二标尺刻度线之间的间距为0.495mm。所述第一标尺1和第二标尺2的位置对应于所述内层芯板的无效区设置。菲林制作完成后，在内层芯板两面贴覆感光膜，然后将菲林贴在覆有感光膜的芯板表面，进行双面曝光，之后用显影剂显影并蚀刻，得到两面标尺图形，曝光过程中，具体的工艺参数如下：曝光能量级别：7级，温度：18-24℃，真空度：-300mmHg，能量均匀性：85％。读数时，根据错位放大原理，如图1所示，在理想状态下，第一标尺1的第一根刻度线即与第二标尺的第一根刻度线对齐，读数为0，即偏差量为0。实施例2本实施例提供一种提高内层曝光对位精度的方法，所述方法与实施例1基本相同，不同之处在于，在一般情况下，会存在一定偏移量，如图2所示，第二标尺2的第一根刻度线处于第一标尺第一根、第二个根刻度线之间，第二标尺的第四根刻度线与第一标尺的第四根刻度线对齐，依据错位放大原理，芯板两面曝光偏移量为15μm，然后可根据此偏移量，调节对位位置，提高对位精度。本专利技术所述的方法，最高可将对位精度提高至5μm，测量方法简单快捷，可直接读取数据，有效检验曝光制程能力，进一步提升曝光精度。显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本专利技术创造的保护范围之中。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高内层曝光对位精度的方法，其特征在于，包括如下步骤：a、在对应于内层芯板第一表面的菲林上制作第一标尺，所述第一标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成；b、在对应于内层芯板第二表面的菲林上制作第二标尺，所述第二标尺由至少3根均匀分布的刻度线组成，所述第一标尺和所述第二标尺的第一根刻度线对齐设置，所述第二标尺刻度线之间的间距小于所述第一标尺刻度线之间的间距。

【技术特征摘要】
1.一种提高内层曝光对位精度的方法，其特征在于，包括如下步骤：
a、在对应于内层芯板第一表面的菲林上制作第一标尺，所述第一标尺
由至少3根均匀分布的刻度线组成；
b、在对应于内层芯板第二表面的菲林上制作第二标尺，所述第二标尺
由至少3根均匀分布的刻度线组成，所述第一标尺和所述第二标尺的第一根刻
度线对齐设置，所述第二标尺刻度线之间的间距小于所述第一标尺刻度线之
间的间距。
2.根据权利要求1所述的提高内层曝光对位精度的方法，其特征在于，
所述第一标尺的刻度线间距为0.5mm。
3.根据权利要求2所述的提高内层曝光对位精度...

【专利技术属性】
技术研发人员：喻恩，
申请(专利权)人：深圳崇达多层线路板有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44