一种GaN复合衬底制备方法技术

本发明专利技术公开了一种利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法高速生长氮化镓（GaN）制作复合衬底制备方法，并通过在蓝宝石衬底上生长低温和高温GaN薄膜交替层，对生长完毕的交替层进行高温热处理，随后通过高速外延生长较厚GaN薄膜，能提高晶体质量，获得低缺陷密度的GaN复合衬底。本发明专利技术提供的GaN复合衬底制备方法能够显著降低GaN外延薄膜材料的缺陷密度，提高在此基底上后续外延的蓝光LED和蓝光半导体激光器的晶体质量，从而有效提高光电半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种GaN复合衬底制备方法，其特征在于：使用MOCVD设备，高速生长GaN薄膜，其GaN薄膜生长速率为30微米/小时以上，其GaN薄膜厚度在50微米以上，如在生长10个小时后，可以达到300微米左右的厚度，可以作为复合衬底使用。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：甘志银，刘胜，严晗，汪沛，吕强，
申请(专利权)人：广东昭信半导体装备制造有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44