用于电子器件的材料制造技术

本发明专利技术涉及根据式(1)的化合物，所述化合物适用于电子器件中，特别适用于有机电致发光器件中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】用于电子器件的材料 本专利技术设及用于电子器件中，尤其是用于有机电致发光器件中的材料。 用于电子器件中的功能化合物的开发当前是深入研究的主题。此处的特定目的是 开发如下的化合物，利用所述化合物可W在一个或多个相关方面例如功率效率、寿命或发 射的光的颜色坐标方面实现电子器件的性质的改进。 根据本专利技术，术语"电子器件"被理解为是指包括如下的器件：有机集成电路 (OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机太 阳能电池 (OSC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场巧焰器件(OFQD)、有机发光电化学 电池 (OLEC)、有机激光二极管(O-Iaser)和有机电致发光器件(OLED)。 特别感兴趣的是提供用于后面的被称为OLm)的电子器件中的化合物。OLm)的一般 结构和它们的工作方式对本领域的技术人员而言是已知的，且特别是在US 4539507、US 5151629、EP 0676461 和WO 1998/27136中进行了描述。 关于化抓的性能数据，仍然需要进一步的改进，尤其是关于例如在显示器件中或 作为光源的广泛商业用途需要改进。就运一点而言特别重要的是OLED的寿命、效率和工作 电压，W及实现的色值。尤其是在蓝色发光化ED的情况下，对于器件的寿命存在改进的潜 力。另外，期望在电子器件中用作功能材料的化合物具有高的热稳定性和高玻璃化转变溫 度并且可W在不分解的情况下升华。 文献CN 102030701A描述了具有巧并巧骨架的化合物。文献US 2006/ 0094859A1描述了具有多个桥连的联苯单元的聚合物。 本专利技术的一个目的是提供如下的化合物，所述化合物适合在巧光或憐光化ED、尤 其是憐光OLm)中例如用作基质材料和/或用作空穴传输/电子阻挡材料或激子阻挡材料和/ 或用作电子传输或空穴阻挡材料。巧的编号： 其中出现的符号如下； Z在每种情况下是相同或不同的并且为CR^N; Ari在每种情况下是相同的或不同的并且为具有5~60个芳族环原子且可W被一 个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一氮原子或憐原子键合的两个Ari基 团也可W通过单键或选自N(R 4)、C(R4)2、0和S的桥连基彼此桥连；[001引 R唯每种情况下是相同或不同的并且为H，D，F，Cl，Br，I，CN，N02，N(Ari)2，N(R3)2，C (=0)Ari，C( = 0)R3，P(=0)(Ari)2，P(=0)(R3)2，B(0R3)2，CH0，Si(R3)2,0S02R3，S(=0)R3，S (=0)2R 3,具有I~40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有3~40个碳原子的 支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有2~40个碳原子的締基或烘基基团，其中 所述烷基、烷氧基、硫代烷基、締基或烘基基团在每种情况下可W被一个或多个R 3基团取 代，并且其中一个或多个相邻或非相邻的C此基团可W被-R化=cr3-、-c^c-、c = o、c=s、c = Se、C = NR3、-C( =0)-NR3-、P( =0) (r3)、-C( =0)-0-、51(尺3)2、^3、-0-、-5-、50或802代替， 且其中一个或多个氨原子可W被D、F、Cl、Br、I、CN或N02代替，或具有6~60个芳族环原子且 在每种情况下可W被一个或多个R 3基团取代的芳族环系，或具有5~60个芳族环原子且在 每种情况下可W被一个或多个R3基团取代的杂芳族环系，其中两个或更多个Ri基团可W彼 此连接且可W形成环； R嘴每种情况下是相同或不同的并且为H，D，F，Cl，Br，I，CN，N〇2，N(Ari)2，N(R 3)2，C (=0)Ari，C( = 0)R3，P(=0)(Ari)2，P(=0)(R3)2，B(0R3)2，CH0，Si(R3)2,0S02R3，S(=0)R3，S (=0)2R 3,具有I~40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有3~40个碳原子的 支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有2~40个碳原子的締基或烘基基团，其中 所述烷基、烷氧基、硫代烷基、締基或烘基基团在每种情况下可W被一个或多个R 3基团取 代，并且其中一个或多个相邻或非相邻的C此基团可W被-R化=cr3-、-c^c-、c = o、c=s、c = Se、C = NR3、-C( =0)-NR3-、P( =0) (r3)、-C( =0)-0-、51(尺3)2、^3、-0-、-5-、50或802代替， 且其中一个或多个氨原子可W被D、F、Cl、Br、I、CN或N02代替，或具有6~60个芳族环原子且 在每种情况下可W被一个或多个R 3基团取代的芳族环系，或具有5~60个芳族环原子且在 每种情况下可W被一个或多个R3基团取代的杂芳族环系； R3在每种情况下是相同或不同的并且为H，D，F，Cl，Br，I，CN，N〇2，N(R 4)2，C(=0) 八'1，(：（=0)1?4，口（=0)(4'1)2,8(01?4)2，邸0,51(1?4)2,08021?4,5(=0)1?4,5(=0)21?4，具有1~40 个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有3~40个碳原子的支链或环状的烷基、 烷氧基或硫代烷基基团或具有2~40个碳原子的締基或烘基基团，其中所述烷基、烷氧基、 硫代烷基、締基或烘基基团在每种情况下可W被一个或多个R 4基团取代，并且其中一个或 多个相邻或非相邻的C此基团可W被-R化=CR4-、-C^C-、C = 0、C = S、C=Se、C = NR4、-C( = 0)-NR4-、P(=0)(R4)、-C(=0)-0-、Si(R4)2、NR4、-0-、-S-、S0或S02代替，且其中一个或多个 氨原子可W被D、F、Cl、Br、I、CN或N02代替，或具有6~60个芳族环原子且在每种情况下可W 被一个或多个R 4基团取代的芳族环系，或具有5~60个芳族环原子且在每种情况下可W被 一个或多个R4基团取代的杂芳族环系，其中两个或更多个R 4基团可W彼此连接且可W形成 环；[001引 R4在每种情况下是相同或不同的并且为H，D，F，CN，或具有1~20个碳原子的脂族 基团或具有6~60个芳族环原子的芳族环系或具有5~60个芳族环原子的杂芳族环系，其中 所述脂族基团、所述芳族环系或所述杂芳族环系中的一个或多个氨原子可W被D、F、Cl、Br、 I、CN或具有1~5个碳原子的烷基基团代替，其中两个或更多个R4基团可W彼此连接且可W 形成环； 其中式(1)的R2和/或至少一个Ri包含至少一个芳族或杂芳族环系;且 当至少一个Ri包含至少一个芳族或杂芳族环系时，在全部Ri和R2中的芳族环原子 的总数至少为12;且 当Ri不包含芳族或杂芳族环系时，R2包含至少24个芳族环原子且不包含通过12位 键合的另外的巧并巧骨架。 本专利技术上下文中的芳基基团包含6~60个芳族环原子;本专利技术上下文中的杂芳基 基团原则上包含5~60个芳族环原子，其中至少一个为杂原子;杂原子优选选自N、0和/或S。 运是基本的定义。如果在本专利技术的说明书中，例如关于存在的芳族环原子或杂原子的数目 陈述了其它的优选方式，则运本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种式(1)的化合物其中出现的符号如下：Z在每种情况下是相同或不同的并且为CR1或N；Ar1在每种情况下是相同或不同的并且为具有5～60个芳族环原子且可以被一个或多个R3基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，与同一个氮原子或磷原子键合的两个Ar1基团也可以通过单键或选自N(R4)、C(R4)2、O和S的桥连基相互桥连；R1在每种情况下是相同或不同的并且为H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R3)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R3，P(＝O)(Ar1)2，P(＝O)(R3)2，B(OR3)2，CHO，Si(R3)2，OSO2R3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1～40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有3～40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有2～40个碳原子的烯基或炔基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R3基团取代，并且其中一个或多个相邻或非相邻的CH2基团可以被‑R3C＝CR3‑、‑C≡C‑、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、‑C(＝O)‑NR3‑、P(＝O)(R3)、‑C(＝O)‑O‑、Si(R3)2、NR3、‑O‑、‑S‑、SO或SO2代替，且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有6～60个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R3基团取代的芳族环系，或具有5～60个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R3基团取代的杂芳族环系，其中两个或更多个R1基团可以相互连接且可以形成环；R2在每种情况下是相同或不同的并且为H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(Ar1)2，N(R3)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R3，P(＝O)(Ar1)2，P(＝O)(R3)2，B(OR3)2，CHO，Si(R3)2，OSO2R3，S(＝O)R3，S(＝O)2R3，具有1～40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有3～40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有2～40个碳原子的烯基或炔基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R3基团取代，并且其中一个或多个相邻或非相邻的CH2基团可以被‑R3C＝CR3‑、‑C≡C‑、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR3、‑C(＝O)‑NR3‑、P(＝O)(R3)、‑C(＝O)‑O‑、Si(R3)2、NR3、‑O‑、‑S‑、SO或SO2代替，且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有6～60个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R3基团取代的芳族环系，或具有5～60个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R3基团取代的杂芳族环系；R3在每种情况下是相同或不同的并且为H，D，F，Cl，Br，I，CN，NO2，N(R4)2，C(＝O)Ar1，C(＝O)R4，P(＝O)(Ar1)2，B(OR4)2，CHO，Si(R4)2，OSO2R4，S(＝O)R4，S(＝O)2R4，具有1～40个碳原子的直链烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有3～40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷基基团或具有2～40个碳原子的烯基或炔基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷基、烯基或炔基基团在每种情况下可以被一个或多个R4基团取代，并且其中一个或多个相邻或非相邻的CH2基团可以被‑R4C＝CR4‑、‑C≡C‑、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR4、‑C(＝O)‑NR4‑、P(＝O)(R4)、‑C(＝O)‑O‑、Si(R4)2、NR4、‑O‑、‑S‑、SO或SO2代替，且其中一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或NO2代替，或具有6～60个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R4基团取代的芳族环系，或具有5～60个芳族环原子且在每种情况下可以被一个或多个R4基团取代的杂芳族环系，其中两个或更多个R4基团可以相互连接且可以形成环；R4在每种情况下是相同或不同的并且为H，D，F，CN，或具有1～20个碳原子的脂族基团，或具有6～60个芳族环原子的芳族环系或具有5～60个芳族环原子的杂芳族环系，其中所述脂族基团、所述芳族环系或所述杂芳族环系中的一个或多个氢原子可以被D、F、Cl、Br、I、CN或具有1～5个碳原子的烷基基团代替，其中两个或更多个R4基团可以相互连接且可以形成环；其中式(1)的R2和/或至少一个R1包含至少一个芳族或杂芳族环系；且当至少一个R1包含至少一个芳族或杂芳族环系时，在全部R1和R2中的芳族环原子的总数至少为12；且当R1不包含芳族或杂芳族环系时，R2包含至少24个芳族环原子且不包含另外的茚并[1,2,3‑jk]芴骨架。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿尔内·比辛，伊里娜·马丁诺娃，弗兰克·福格斯，乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE