【技术实现步骤摘要】
本文所述实施例总体涉及一种用于半导体处理器腔室的工艺套件、一种具有工艺套件的半导体处理腔室、以及一种用于在其中沉积硅基材料的方法。更具体而言,实施例涉及一种用于化学气相沉积腔室中的工艺套件,所述工艺套件包括衬层组件、C形通道和隔离器。
技术介绍
在集成电路的制造中,沉积工艺(诸如,化学气相沉积(CVD)或等离子体增强型CVD工艺)用于将各种材料的膜沉积在半导体基板上。在CVD工艺期间,用于沉积所需材料的化学反应在封闭的工艺腔室中发生。当材料被沉积在基板上时,包括这种材料的残余物以及CVD工艺的副产物积聚在工艺腔室的内壁和其他部件上。随着在腔室中处理了更多的基板,残余物积累起来并且导致颗粒和其他污染物的生成,并且导致所沉积的膜的降级。因此,人们推荐定期清理CVD腔室的内部。工艺套件可设置在腔室中,以便有助于结合来自腔室底部的净化气体来将处理容积限制到基板上方所期望的区域。工艺套件通常包括一个或多个衬层。衬层可配置成辅助将等离子体限制于处理区域,并有助于防止腔室中的其他部件受到所沉积材料的污染。底部净化气体可提供给腔室,以便防止工艺气体沉积在腔室的底部。然而,常规的工艺套件会以导致衬层上的过量的磨损和/或材料沉积物的方式来引导净化气体。材料在衬层上的堆积增加了处理期间基板污染的可能性。因此,该工艺套件的保养间隔可能过短而导致频繁的清洁。因此,需要一种改进的工艺套件以及具有此改进的工艺套件的CV ...
【技术保护点】
一种用于处理基板的处理腔室,所述处理腔室包括:腔室体,所述腔室体具有内部容积;盖,所述盖封闭所述内部容积;衬层组件,所述衬层组件设置在所述腔室体的所述内部容积内;以及C形通道,所述C形通道设置在所述腔室体的所述内部容积内,并且包围所述衬层组件,所述C形通道进一步包括:顶部环形部,所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多个开口;底部环形部,所述底部环形部面向所述顶部环形部;以及中间环形部,所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形部以形成C形主体,所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形部限定泵送区域,所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多个开口流体地耦接至所述内部容积。
【技术特征摘要】
2014.12.22 US 62/095,380;2015.05.04 US 62/156,8761.一种用于处理基板的处理腔室,所述处理腔室包括:
腔室体,所述腔室体具有内部容积;
盖,所述盖封闭所述内部容积;
衬层组件,所述衬层组件设置在所述腔室体的所述内部容积内;以及
C形通道,所述C形通道设置在所述腔室体的所述内部容积内,并且包围
所述衬层组件,所述C形通道进一步包括:
顶部环形部,所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多
个开口;
底部环形部,所述底部环形部面向所述顶部环形部;以及
中间环形部,所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形
部以形成C形主体,所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形
部限定泵送区域,所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多
个开口流体地耦接至所述内部容积。
2.根据权利要求1所述的处理腔室,其特征在于,所述衬层组件进一步包
括:
底部衬层,所述底部衬层设置在所述处理腔室的底部上;
中间衬层,所述中间衬层设置在所述底部衬层上;以及
顶部衬层,所述顶部衬层设置在所述中间衬层上,所述底部衬层、所述中
间衬层和所述顶部衬层形成连续的表面。
3.根据权利要求1所述的处理腔室,其特征在于,所述顶部衬层进一步包
括:
外壁;
顶表面,所述顶表面基本上垂直于所述外壁,并且所述顶表面与所述外壁
以一半径相交。
4.根据权利要求3所述的处理腔室,其特征在于,所述边缘的半径为25
mm。
5.根据权利要求1所述的处理腔室,其特征在于,进一步包括:
隔离器。
6.根据权利要求5所述的处理腔室,其特征在于,所述隔离器为L形。
7.根据权利要求5所述的处理腔室,其特征在于,所述隔离器为T形。
8.根据权利要求1所述的处理腔室,其特征在于,所述C形通道进一步包
括:
排气口,其中,所述排气口形成在所述底部环形部的底表面中。
9.一种在处理腔室的内部容积中的工艺套件,所述工艺套件包括:
衬层组件,所述衬层组件配置成对处理腔室的内部容器加衬层;
C形通道,所述C形通道尺寸设置成包围所述衬层组件,所述C形通道
进一步包括:
顶部环形部,所述顶部环形部具有穿过所述顶部环形部而形成的多
个开口;
底部环形部,所述底部环形部面向所述顶部环形部;以及
中间环形部,所述中间环形部连接所述顶部环形部和所述底部环形
部以形成C形主体,所述顶部环形部、所述底部环形部和所述中间环形
部限定泵送区域,所述泵送区域通过穿过所述顶部环形部而形成的所述多
个开口流体地耦接至所述内部容积;以及
隔离器,所述隔离...
【专利技术属性】
技术研发人员:K·高希,M·G·库尔卡尼,S·巴录佳,祝基恩,S·金,王彦杰,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。