一种快恢复二极管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种快恢复二极管及其制造方法，该快恢复二极管结构包括N型本征区，缓变可控缓冲区，P型发射区，阳极P+区，阴阳极金属，氧化层；以及局域寿命控制区、全局寿命控制区，本发明专利技术采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿命控制方式提高FRD的性能，“波浪型”有源区结构可有效调节阳极注入效率，缓变缓冲层结构采用多次外延方式形成，工艺易控、一致性好，三者结合利于FRD性能的折中优化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体功率器件及其制造方法，具体讲涉及一种快恢复二极管及其制造方法。
技术介绍
整流和续流一般使用快速恢复二极管(FRD)芯片，就续流二极管而言，半导体功率器件中的续流二极管一般反并联于功率开关管(如绝缘栅双极晶体管(IGBT)、晶闸管等)起反向续流作用，这种器件统称为开关器件。开关器件用于逆变器、电力系统和机车牵引等，涉及电压从几十到几千伏。FRD的性能优劣会直接影响开关器件的性能，好的FRD结构不仅要具有低导通压降、低开关损耗，同时要具有反向恢复速度快、反向恢复软度好、抗动态雪崩能力高和抗正向浪涌能力强的优点，如何实现这一技术目标，是目前国内外研究的难点和热点。FRD的工作过程即是载流子(电子和空穴)注入和抽取的过程，这一过程需要控制载流子的数量和流动速度。目前，国内外的研究均集中在采用器件结构设计和寿命控制的方式来控制载流子，例如英飞凌公司采用发射极控制结构(EMCON)进行器件结构优化以降低发射极载流子注入效率，实现FRD的低导通压降和优开关性能；ABB公司采用软穿通结构(SPT)结构，即局域寿命控制方式进行寿命控制优化以实现器件内部载流子分布的优化，获得FRD的优化性能。
技术实现思路
针对现有技术要求，本专利技术的目的是提供一种快恢复二极管及其制造方法，本专利技术的快恢复二级管器件采用“波浪型”有源区结构、缓变缓冲层结构和局域寿命控制方式以提高快恢复二极管FRD的性能，“波浪型”有源区结构可有效调节阳极注入效率，缓变缓冲层结构采用多次外延方式形成，工艺易控、一致性好，三者结合利于快恢复二极管FRD性能的折中优化。本专利技术的目的是采用下述技术方案实现的：本专利技术提供一种快恢复二极管，所述二极管包括衬底、缓冲区、P型发射区、阳极P+区、金属层和氧化层；所述P型发射区和缓冲区分别设置在衬底两侧；在所述衬底N-层上生长有氧化层；所述金属层位于二极管的两端；其改进之处在于，所述P型发射区采用波浪型有源区结构；所述缓冲区为缓变可控缓冲区；在所述P型发射区与阳极P+区之间设有局域寿命控制区，二极管设有包围其四周的全局寿命控制区；所述衬底为N型本征区，由均匀掺杂的N型硅衬底组成。进一步地，所述金属层包括位于阳极P+区和氧化层上的阳极金属层和位于缓变可控缓冲区下的阴极金属层。进一步地，所述缓变可控缓冲区包括二层或二层以上的N型掺杂区，并通过多次外延的方式形成，其厚度为15～60um，所述缓变可控缓冲区随着掺杂浓度不断增加形成具有一定浓度梯度的渐变结构，掺杂浓度梯度相差1～5个数量级；通过多次外延的方式形成缓变可控缓冲层的最外层，即N+层；最外层掺杂浓度满足低欧姆接触电阻要求。进一步地，所述P型发射区通过等间距的正六边形注入窗口进行局部硼注入，实现高低掺杂相间的P型掺杂波浪型有源区结构；所述波浪型有源区结构包括高浓度P型掺杂区HP和低浓度P型掺杂区LP；所述高浓度P型掺杂区HP的载流子掺杂浓度高于低浓度P型掺杂区LP为1～4个数量级，高低浓度P型掺杂区的体积比例受控于P型注入的注入面积S、注入窗口间距L和P型发射区结深H，L和H满足0.4H＜L＜1.6H。进一步地，通过调节P型注入的注入面积S、P型发射区结深H、注入窗口间距L实现调节发射极注入效率。进一步地，所述阳极P+区的深度0.2-2um，其中硼离子的掺杂浓度为1×1017～5×1019cm-3.进一步地，在阳极P+区的表面注入氢离子形成所述局域寿命控制区，其宽度为2-10um，少子寿命为10-1000ns；在所述整个二极管器件结构进行电子辐照形成所述全局寿命控制区。本专利技术还提供一种快恢复二极管的制造方法，其改进之处在于，所述方法包括下述步骤：A、制造缓变可控缓冲区：将均匀掺杂的N型硅衬底抛光后，用多次外延的方式在其背面生长缓变可控缓冲区；B、初始氧化：对均匀掺杂的N型硅衬底清洗后，于H2和O2气氛及900℃-1100℃下，氧化1-10小时，在所述衬底硅片表面生长厚度1-2um的氧化层；C、制造P型掺杂注入窗口：在均匀掺杂的N型硅衬底上经涂胶、曝光、显影、刻蚀和去胶后，形成P型掺杂注入窗口；所述P型掺杂注入窗口为正六边形结构；D、制造P型发射区：带胶注入P型杂质的P型掺杂注入窗口，经去胶、清洗和推结，形成高、低浓度相间的P型掺杂区，其掺杂浓度在5e15～5e17cm-3之间；E、制造阳极P+区：光刻阳极P+区的注入窗口，大面积刻蚀出金属接触孔的阳极接触孔后，并进行硼离子注入，激活后形成阳极P+区；F、制造局域寿命控制区：在阳极P+区的表面注入氢离子并退火后形成所述局域寿命控制区；G、制造金属层：用蒸发或者溅射金属铝形成P型发射表面，经光刻、刻蚀、去胶和铂硅合金形成阳极金属层；；H、制造全局寿命控制区：电子辐照二极管器件并退火形成全局寿命控制区；I、制造钝化层：通过SiO2，聚酰亚胺PI薄膜形成表面钝化，经光刻，刻蚀形成发射极铝引线PAD区域；J、对背面减薄、腐蚀和金属化，形成阴极金属层。进一步地，所述步骤F中，根据氢离子注入能量和剂量控制局域寿命控制层的轴向位置，根据退火温度和时间控制局域寿命控制层的缺陷形状和质量；局域寿命控制层位于二极管的有源区内，且不侵犯终端区。与最接近现有技术比，本专利技术具有的有益效果是：1、本专利技术的快恢复二级管通过外延方式形成缓变可控缓冲区02，可实现多层N型掺杂缓冲层，且掺杂浓度和厚度在工艺上易控制，工艺一致性和稳定性好，成本低，利于在生产中推广。2、本专利技术的快恢复二级管结合采用缓变可控缓冲层02、“波浪型”P型发射区03和局域寿命控制区07实现FRD器件结构，可同时兼顾FRD的低导通压降、软恢复、减小电流电压震荡，并提高了FRD的安全工作区和抗动态雪崩能力。3、本专利技术的快恢复二级管阳极P+区04结构的使用，不仅能够实现阳极的低欧姆接触电阻，同时可提高二极管的抗动态雪崩能力和正向浪涌能力，避免高压、大电流下的正向穿通，提高FRD的工作稳定性。附图说明图1是本专利技术提供的二极管器件横剖面结构示意图；图2是本专利技术提供的二极管杂质浓度及寿命控制分布示意图；其中：虚线部分表示07-局域寿命控制区和08全局寿命控制区；实线表示二极管的掺杂浓度阶梯线；图3是本专利技术提供的二极管正面俯视示意图；其中：01-N型本征区，02-缓变可控缓冲区，03-P型发射区，04-阳极P+区，051-阳极金属层、052-阴极金属层，06-氧化层，07-局域寿命控制区，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种快恢复二极管，所述二极管包括衬底、缓冲区、P型发射区、阳极P+区、金属层和氧化层；所述P型发射区和缓冲区分别设置在衬底两侧；在所述衬底N‑层上生长有氧化层；所述金属层位于二极管的两端；其特征在于，所述P型发射区采用波浪型有源区结构；所述缓冲区为缓变可控缓冲区；在所述P型发射区与阳极P+区之间设有局域寿命控制区，二极管设有包围其四周的全局寿命控制区； 所述衬底为N型本征区，由均匀掺杂的N型硅衬底组成。

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管，所述二极管包括衬底、缓冲区、P型发射区、阳极P+区、金属层和氧化层；所述P型发射区和缓冲区分别设置在衬底两侧；在所述衬底N-层上生长有氧化层；所述金属层位于二极管的两端；其特征在于，所述P型发射区采用波浪型有源区结构；所述缓冲区为缓变可控缓冲区；在所述P型发射区与阳极P+区之间设有局域寿命控制区，二极管设有包围其四周的全局寿命控制区；
所述衬底为N型本征区，由均匀掺杂的N型硅衬底组成。
2.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述金属层包括位于阳极P+区和氧化层上的阳极金属层和位于缓变可控缓冲区下的阴极金属层。
3.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述缓变可控缓冲区包括二层或二层以上的N型掺杂区，并通过多次外延的方式形成，其厚度为15～60um，所述缓变可控缓冲区随着掺杂浓度不断增加形成具有一定浓度梯度的渐变结构，掺杂浓度梯度相差1～5个数量级；通过多次外延的方式形成缓变可控缓冲层的最外层，即N+层；最外层掺杂浓度满足低欧姆接触电阻要求。
4.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述P型发射区通过等间距的正六边形注入窗口进行局部硼注入，实现高低掺杂相间的P型掺杂波浪型有源区结构；所述波浪型有源区结构包括高浓度P型掺杂区HP和低浓度P型掺杂区LP；所述高浓度P型掺杂区HP的载流子掺杂浓度高于低浓度P型掺杂区LP为1～4个数量级，高低浓度P型掺杂区的体积比例受控于P型注入的注入面积S、注入窗口间距L和P型发射区结深H，L和H满足0.4H＜L＜1.6H。
5.如权利要求4所述的快恢复二极管，其特征在于，通过调节P型注入的注入面积S、P型发射区结深H、注入窗口间距L实现调节发射极注入效率。
6.如权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述阳极P+区的深度0.2-2um，其中硼离子的掺杂浓度为1×1017～5×1019cm-3。
7.如权利要求1所述的快恢复二...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘钺杨，吴迪，何延强，金锐，温家良，
申请(专利权)人：国家电网公司，国网智能电网研究院，国网浙江省电力公司，
类型：发明
国别省市：北京;11