一种频率补偿的跨导放大器制造技术
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于模拟或数模混合集成电路
，具体涉及一种频率补偿的跨导放大器。
技术介绍
近年来，随着集成电路设计技术的不断发展，跨导放大器越来越多的应用在模拟集成电路设计领域，在绝大多数跨导放大器的应用场合，为了使得跨导放大器获得较大的相位裕度，保证跨导放大器的稳定性，都会对跨导放大器进行频率补偿。但是，传统的针对跨导放大器的频率补偿技术，通常是通过极点分裂，在频率域内减小主极点来获得理想的相位裕度，但是减小的主极点会使得-3dB带宽降低，从而大大减低跨导放大器的单位增益带宽。或者，通过被动频率补偿技术，引入一个左半平面零点和第一个非主极点进行抵消，来获得较大的相位裕度，但被动补偿技术同时也会降低第一个非主极点的频率，传输函数的零点和极点都会受到补偿电容的影响，零极点抵消效果并不明显。因此，传统的补偿技术，很难同时满足高性能跨导放大器的各项要求。为了更详细的描述上述技术问题，先来分析两种针对跨导放大器的频率补偿技术的原理和优缺点。请参考图1所示的结构1，给出了一种传统的跨导放大器RC补偿技术原理图，补偿网络由补偿电阻Rc和补偿电容Cc串联构成，补偿电阻Rc的一端和补偿电容Cc相连，补偿电阻Rc的另一端和NMOS管M2的漏极相连，同时也和PMOS管M4的漏极相连，且这一节点也是PMOS管M5的栅极，补偿电容Cc的另一端和跨导放大器的输出端相连。本专利技术的专利技术...
【技术保护点】
一种频率补偿的跨导放大器，其特征在于，包括NMOS管M1和M2构成的跨导放大器输入级，PMOS管M3和M4构成的跨导放大器第一级有源负载，恒流源Iss构成的跨导放大器第一级尾电流源，PMOS管M5构成的跨导放大器第二级输入管，NMOS管M6构成的跨导放大器第二级恒流源，电容CL构成的跨导放大器负载电容，增益级GAIN、补偿电阻Rc和补偿电容Cc顺序串联构成的跨导放大器频率补偿网络；其中，所述NMOS管M1和M2的栅极连接输入信号Vin，所述NMOS管M1和M2的源极经恒流源Iss接地，所述NMOS管M1的漏极与增益级GAIN的一端、PMOS管M3的漏极、PMOS管M3和M4的栅极连接，所述NMOS管M2的漏极与PMOS管M4的漏极和PMOS管M5的栅极连接；所述PMOS管M3、M4和M5的源极与电源电压vdd连接，所述PMOS管M5的漏极、补偿电容Cc的一端、NMOS管M6的漏极和电容CL的一端相互连接形成一个连接节点，且该连接节点为所述跨导放大器的输出端Vout，所述电容CL的另一端接地，所述NMOS管M6的源极接地，栅极连接偏置电压Vb。
【技术特征摘要】
1.一种频率补偿的跨导放大器，其特征在于，包括NMOS管
M1和M2构成的跨导放大器输入级，PMOS管M3和M4构成的跨
导放大器第一级有源负载，恒流源Iss构成的跨导放大器第一级尾电
流源，PMOS管M5构成的跨导放大器第二级输入管，NMOS管M6
构成的跨导放大器第二级恒流源，电容CL构成的跨导放大器负载电
容，增益级GAIN、补偿电阻Rc和补偿电容Cc顺序串联构成的跨导
放大器频率补偿网络；其中，
所述NMOS管M1和M2的栅极连接输入信号Vin，所述NMOS
管M1和M2的源极经恒流源Iss接地，所述NMOS管M1的漏极与
增益级GAIN的一端、PMOS管M3的漏极、PMOS管M3和M4的
栅极连接，所述NMOS管M2的漏极与PMOS管M4的漏极和PMOS
管M5的栅极连接；
所述PMOS管M3、M4和M5的源极与电源电压vdd连接，所
述PMOS管M5的漏极、补偿电容Cc的一端、NMOS管M6的漏极
和电容CL的一端相互连接形成一个连接节点，且该连接节点为所述
跨导放大器的输出端Vout，所述电容CL的另一端接地，所述NMOS
管M6的源极接地，栅极连接偏置电压Vb。
2.根据权利要求1所述的频率补偿的跨导放大器，其特征在于，
所述增益级GAIN包括NMOS管M7、NMOS管M8、阻抗R1和阻
抗R2；其中，所述NMOS管M7的栅...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐代果，胡刚毅，李儒章，王健安，陈光炳，王育新，刘涛，刘璐，邓民明，石寒夫，王旭，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十四研究所，
类型：发明
国别省市：重庆;85
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