固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备制造方法及图纸

一种固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。该固态成像装置包括：像素，每个像素都具有用于将入射光转换为电信号的光电转换元件；滤色器，与像素相对应，并且具有多个滤色器部件；微型透镜，将入射光通过滤色器会聚到光电转换元件；遮光膜，设置在滤色器的滤色器部件之间；以及非平坦的粘合剂膜，设置在滤色器和遮光膜之间。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2012年3月7日、申请号为201210058232.3、专利技术名称为“固态成像装置元件、固态成像装置的制造方法和电子设备”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开涉及固态成像装置、固态成像装置的制造方法和电子设备。
技术介绍
电荷耦合装置(CCD)固态成像装置和互补金属氧化物半导体(CMOS)固态成像装置广泛地应用于数字照相机和摄像机。就光入射在光接收单元上的方向而言，这些固态成像装置大致分类成两类。其中一类包括接收在形成配线层的半导体基板的前侧入射的光的固态成像装置。另一类包括所谓的后照明型固态成像装置，其接收在半导体基板没有形成配线层的后侧入射的光。这些固态成像装置具有遮光膜，用于阻挡像素之间的光以改善灵敏度且防止颜色混合。现在需要固态成像装置进一步改善图像质量和灵敏度，并且进一步抑制颜色混合。此外，小型化将降低层之间特别是遮光膜、滤色器和微型透镜之间的重叠精度，这严重影响颜色混合。为了减小固态成像装置的高度并且改善遮光膜和滤色器的重叠精度，例如，在日本特开第2010-85755号公报的固态成像装置中，用于减少与相邻像素颜色混合的遮光膜与滤色器形成在相同的层上。
技术实现思路
然而，日本特开第2010-85755号公报公开的技术中存在这样的问题，因为滤色器形成在遮光膜和半导体基板上，所以滤色器与半导体基板容易分离。所希望的是提供能抑制滤色器分离的固态成像装置及固态成像装置的制造方法。还希望提供具有这样固态成像装置的电子设备。根据本公开的实施例的固态成像装置包括：像素，每个所述像素都具有用于将入射光转换为电信号的光电转换元件；滤色器，与像素相对应，并且具有多个滤色器部件；微型透镜，用于将入射光通过滤色器会聚到光电转换元件上；遮光膜，设置在滤色器的滤色器部件之间；以及非平坦的粘合剂膜，设置在滤色器和遮光膜之间。在根据本公开的实施例的固态成像装置中，通过滤色器和遮光膜之间设置的非平坦的粘合剂膜可抑制滤色器的分离。根据本公开的实施例的固态成像装置的制造方法包括：形成像素，每个所述像素都具有用于将入射光转换为电信号的光电转换元件；形成遮光膜，该遮光膜设置在滤色器的多个滤色器部件之间；在遮光膜上沉积平坦的粘合剂膜；在遮光膜之间的粘合剂膜上形成滤色器；以及在滤色器上形成微型透镜，该微型透镜用于将入射光通过滤色器会聚到光电转换元件上。根据本公开的实施例的电子设备包括上述的固态成像装置、光学透镜以及信号处理电路。根据本技术的实施例，可抑制滤色器的分离。附图说明图1示出了根据第一实施例的固态成像装置；图2是根据第一实施例的固态成像装置的截面图；图3A至3F示出了根据第一实施例的固态成像装置的制造步骤；图4是根据第二实施例的固态成像装置的截面图；图5A和5B示出了根据第二实施例的固态成像装置的制造步骤；图6是根据第三实施例的固态成像装置的截面图；图7A至7D示出了根据第三实施例的固态成像装置的制造步骤；图8是根据第四实施例的固态成像装置的截面图；图9A至9D示出了根据第四实施例的固态成像装置的制造步骤；图10是根据第五实施例的固态成像装置的截面图；图11A和11B示出了根据第五实施例的固态成像装置的制造步骤；图12是根据第六实施例的固态成像装置的截面图；图13A至13C示出了根据第六实施例的固态成像装置的制造步骤；图14是根据第七实施例的固态成像装置的截面图；图15A和15B示出了根据第七实施例的固态成像装置的制造步骤；图16是根据第八实施例的固态成像装置的截面图；图17A和17B示出了根据第八实施例的固态成像装置的制造步骤；图18是根据第九实施例的固态成像装置的截面图；图19A至19D示出了根据第九实施例的固态成像装置的制造步骤；图20是根据第十实施例的固态成像装置的截面图；图21A至21D示出了根据第十实施例的固态成像装置的制造步骤；图22A和22B是根据第十一实施例的固态成像装置的截面图；图23A至23C示出了根据第十一实施例的遮光膜；图24A示出了根据第十一实施例的遮光膜的制造步骤；图24B示出了根据第十一实施例的遮光膜的另一个制造步骤；图24C示出了根据第十一实施例的遮光膜的另一个制造步骤；图24D示出了根据第十一实施例的遮光膜的另一个制造步骤；图24E示出了根据第十一实施例的遮光膜的另一个制造步骤；图24F示出了根据第十一实施例的遮光膜的另一个制造步骤；图25A示出了根据第十一实施例的微型透镜的制造步骤；图25B示出了根据第十一实施例的微型透镜的另一个制造步骤；图25C示出了根据第十一实施例的微型透镜的另一个制造步骤；图25D示出了根据第十一实施例的微型透镜的另一个制造步骤；图25E示出了根据第十一实施例的微型透镜的另一个制造步骤；图25F示出了根据第十一实施例的微型透镜的另一个制造步骤；图26A至26D是根据第十一实施例的固态成像装置的截面图；图27是根据第十一实施例的固态成像装置的另一个截面图；以及图28示出了根据第十二实施例的电子设备。具体实施方式(第一实施例)图1是示出根据本技术第一实施例的示范性固态成像装置100的示意性框图。图1所示的固态成像装置100包括由硅制作的基板111、在基板111上包括设置成阵列的多个像素112的像素部分113、垂直驱动电路114、列信号处理电路115、水平驱动电路116、输出电路117和控制电路118。像素部分113包括规则地设置成二维阵列的多个像素112。像素部分113包括有效像素区域以及黑基准像素区域(未示出)，有效像素区域实际接收入射光，放大通过入射光的光电转换产生的信号电荷，并且输出放大的信号电荷到列信号处理电路115，黑基准像素区域用于输出光学黑(opticalblack)以用作基准黑电平。黑基准像素区域通常形成在有效像素区域的周边。像素112包括作为光电转换元件(未示出)的光敏二极管和多个像素晶体管(未示出)。多个像素112在基板111上规则地设置成二维阵列。多个像素晶体管可包括四种MOS晶体管，包括转移晶体管、复位晶体管、选择晶体管和放大晶体管，或者可包括除了选择晶体管外的上述三种晶体管。根据垂直同步信号、水平同步信号和主时钟，控制电路118产生时钟信号和控制信号，以用作垂直驱动电路114、列信号处理电路115和水平驱动电路116运行的基准信号。控制电路118采用时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成像装置，包括：多个光电转换元件；多个滤色器部件，包括第一滤色器部件和第二滤色器部件；遮光部，当从截面上看时、至少所述遮光部的一部分设置在所述第一滤色器部件和第二滤色器部件之间；以及透明膜，当从截面上看时、至少所述透明膜的一部分设置在所述第一滤色器部件和第二滤色器部件之间，其中，所述透明膜朝向所述第一滤色器部件和第二滤色器部件的表面是非平坦的，并且所述透明膜的厚度小于所述遮光部的厚度。

【技术特征摘要】
2011.03.14 JP 2011-0556311.一种成像装置，包括：
多个光电转换元件；
多个滤色器部件，包括第一滤色器部件和第二滤色器部件；
遮光部，当从截面上看时、至少所述遮光部的一部分设置在所述第一滤
色器部件和第二滤色器部件之间；以及
透明膜，当从截面上看时、至少所述透明膜的一部分设置在所述第一滤
色器部件和第二滤色器部件之间，
其中，所述透明膜朝向所述第一滤色器部件和第二滤色器部件的表面是
非平坦的，并且
所述透明膜的厚度小于所述遮光部的厚度。
2.根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述多个光电转换元件包括
对应于所述第一滤色器部件的第一光电转换元件和对应于所述第二滤色器
部件的第二光电转换元件。
3.根据权利要求1所述的成像装置，还包括：
半导体基板，具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中，
所述第一侧是入光侧，并且
所述半导体基板包括所述多个光电转换元件。
4.根据权利要求3所述的成像装置，还包括：
邻近于所述第一侧设置的绝缘膜，其中，
当从截面上看时、所述绝缘膜设置在所述透明膜和所述第一侧之间。
5.根据权利要求1所述的成像装置，还包括：设置在所述多个光电转换
元件中相邻的光电转换元件之间的元件隔离区域。
6.根据权利要求1所述的成像装置，还包括：
第一微型透镜，设置在所述第一滤色器部件上；以及

【专利技术属性】
技术研发人员：荻田知治，山本笃志，田谷圭司，大塚洋一，田渕清隆，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP