一种用于多晶硅制绒的系统技术方案

本实用新型专利技术涉及一种用于多晶硅制绒的系统。一种用于多晶硅制绒的系统，包括第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、压缩空气吹干槽和用于传输多晶硅片的滚轮，第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽和压缩空气吹干槽依次相连。本实用新型专利技术公开的一种用于多晶硅制绒的系统具有以下有益效果：1、结构简单；2、多晶硅制绒效果好。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于多晶硅太阳能
，具体涉及一种用于多晶硅制绒的系统。
技术介绍
太阳能电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，在光电转换过程中，损耗主要为：光损耗和电损耗。而对于晶硅太阳电池，光损耗主要来自前表面的反射损失和后表面的长波反射损耗，电损耗主要来自光子激发的电子、空穴对复合及电阻功率损耗。目前，常规多晶硅太阳电池片的制作工艺采用相同的流程。尽管单、多晶太阳电池片制作工艺流程及大部分设备相同，然而，在光电转换效率方面，一般单晶太阳电池片的光电转换效率比多晶太阳电池高1.5％的绝对效率，主要原因是：1、多晶硅片存在较多的晶界，在内部及表面处，其电子空穴对符合速率远大于单晶；2、两者绒面的反射率存在较大差异，一般制绒后，在太阳全光谱下，单晶的反射率为11％，多晶的发射率高达24％。因此，在多晶硅太阳电池片制作技术中，如何降低多晶表面反射率显得尤为重要，同时，由于多晶硅的晶向排列无规则，单晶制绒的各向异性腐蚀原理不再适合。
技术实现思路
技术目的：本技术针对上述现有技术存在的问题做出改进，即本技术公开了一种用于多晶硅制绒的系统。技术方案：一种用于多晶硅制绒的系统，包括第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、压缩空气吹干槽和用于传输多晶硅片的滚轮，所述第一漂洗槽、所述烘箱、所述抛光机、所述第二漂洗槽、所述氮气吹干槽、所述酸制绒槽、所述第三漂洗槽、所述碱洗槽、所述第四漂洗槽、所述酸洗槽、所述第五漂洗槽和所述压缩空气吹干槽依次相连。进一步地，所述酸制绒槽中设有喷涂机，所述喷涂机外接一可编程逻辑控制器。进一步地，所述第一漂洗槽、所述第二漂洗槽、所述第三漂洗槽、所述第四漂洗槽、所述第五漂洗槽均为去离子水漂洗槽。有益效果：本技术公开的一种用于多晶硅制绒的系统具有以下有益效果：1、结构简单；2、多晶硅制绒效果好。附图说明图1为本技术公开的一种用于多晶硅制绒的系统的结构示意图。具体实施方式：下面对本技术的具体实施方式详细说明。如图1所示，一种用于多晶硅制绒的系统，包括第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、压缩空气吹干槽和用于传输多晶硅片的滚轮，第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽和压缩空气吹干槽依次相连。进一步地，酸制绒槽中设有喷涂机，喷涂机外接一可编程逻辑控制器。进一步地，第一漂洗槽、第二漂洗槽、第三漂洗槽、第四漂洗槽、第五漂洗槽均为去离子水漂洗槽。上面对本技术的实施方式做了详细说明。但是本技术并不限于上述实施方式，在所属
普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本技术宗旨的前提下做出各种变化。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于多晶硅制绒的系统，其特征在于，包括第一漂洗槽、烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、压缩空气吹干槽和用于传输多晶硅片的滚轮，所述第一漂洗槽、所述烘箱、所述抛光机、所述第二漂洗槽、所述氮气吹干槽、所述酸制绒槽、所述第三漂洗槽、所述碱洗槽、所述第四漂洗槽、所述酸洗槽、所述第五漂洗槽和所述压缩空气吹干槽依次相连。

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅制绒的系统，其特征在于，包括第一漂洗槽、
烘箱、抛光机、第二漂洗槽、氮气吹干槽、酸制绒槽、第三漂洗槽、
碱洗槽、第四漂洗槽、酸洗槽、第五漂洗槽、压缩空气吹干槽和用于
传输多晶硅片的滚轮，
所述第一漂洗槽、所述烘箱、所述抛光机、所述第二漂洗槽、所
述氮气吹干槽、所述酸制绒槽、所述第三漂洗槽、所述碱洗槽、所述
第四漂洗槽、所述酸洗槽、所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖文丰，
申请(专利权)人：浙江泰丰太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江;33