使用内嵌式触摸模式的液晶显示装置及其制造方法制造方法及图纸

使用内嵌式触摸模式的液晶显示装置及其制造方法。一种液晶显示LCD装置，所述LCD装置包括：下基板和上基板，所述下基板和所述上基板被布置为彼此面对，并且具有插入在其间的液晶层；黑底，所述黑底被设置在所述下基板上，在所述黑底之间设置滤色器，并且在所述下基板的整个表面上设置公共电极；选通线和数据线，所述选通线和所述数据线被设置在所述上基板上并且彼此交叉以限定像素区域；薄膜晶体管TFT，所述TFT在所述上基板的所述像素区域中存在；以及像素电极，所述像素电极与所述TFT电接触，其中，通过检测所述选通线和所述数据线二者与接触所述上基板的触摸对象之间的自电容的变化来输出感测信号。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种触摸面板，并且具体地说，涉及一种通过将自电容型内嵌式(in-cell)触摸传感器应用到扭曲向列(TN)模式LCD来使用内嵌式触摸模式的液晶显示器(LCD)及该液晶显示器的制造方法。
技术介绍
平板显示器的具体示例包括LCD、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置和电致发光显示装置(ELD)。这些装置通常包括一个平面显示面板作为必要元件，并且该平面显示面板具有这样的结构，在该结构中，一对透明绝缘基板以面对的方式附接，在该对透明绝缘基板之间插入发射或偏振材料层。其中，LCD通过使用电场来调节液晶的透光率来显示图像。为此，图像显示装置包括具有液晶单元的液晶面板、光照射到显示面板的背光单元和用于驱动液晶单元的驱动电路。近来，增加了添加触摸面板的需求，所述触摸面板通过用户的手或单独的输入单元来识别被触摸的部分并且发送与被触摸的部分对应的单独信息。目前，以被附接到显示装置的外部表面的形式应用这种触摸面板。此外，根据一个触摸感测方案，触摸面板被分类为电阻式触摸面板、电容式触摸面板和红外线感测式触摸面板，并且最近，考虑到制造方案和感测功率方面的容易，电容式触摸面板作为小模式已变得突出。作为电容式方案，为了识别多点触摸，使用互电容感测方案。在使用电容式感测方案的触摸传感器当中，近来出现了内嵌式触摸型触摸传感器。这里，内嵌式触摸型触摸传感器是一种通过在下基板上形成触摸传感器来实现触r>摸操作的技术。近来，内嵌式触摸技术以各种驱动模式应用于LCD。使用电容方案的内嵌式触摸传感器在各种驱动模式应用于LCD当中的TN模式LCD时具有局限。原因是因为：TN模式LCD具有这样一种结构，在该结构中，栅极、有源层、源极与漏极以及像素电极形成在下基板上，并且黑底、滤色器、公共电极和柱状间隔件形成在上基板上。因此，在将内嵌式触摸方案应用于TN模式LCD的情况下，当用户触摸滤色器的上部时，触摸信号被在TN面板的上基板上设置的公共电极阻断，使得难以实现触摸功能。而且，难以在保持下基板内的TN结构的同时配置触摸电极。
技术实现思路
因此，详细描述的一个方面是提供一种使用能够将自电容型内嵌式触摸传感器应用于扭曲向列(TN)模式LCD的内嵌式触摸方案的液晶显示(LCD)装置及其制造方法。为了实现这些及其它优点且根据本说明书的目的，如本文具体实施且广泛描述的，一种液晶显示(LCD)装置可以包括：下基板和上基板，所述下基板和所述上基板被布置为彼此面对，并且具有插入在该下基板和该上基板之间的液晶层；黑底，所述黑底被设置在所述下基板上，在所述黑底之间设置滤色器，并且在所述下基板的整个表面上设置公共电极；选通线和数据线，所述选通线和所述数据线被设置在所述上基板上并且彼此交叉以限定像素区域；薄膜晶体管TFT，所述TFT在所述上基板的所述像素区域中存在；以及像素电极，所述像素电极与所述TFT电接触，其中，通过检测所述选通线和所述数据线二者与接触所述上基板的触摸对象之间的自电容的变化来输出感测信号。所述LCD装置可以是具有TN结构的内嵌式(in-cell)触摸模式LCD装置。所述选通线和所述数据线在显示时段中可以用作所述LCD装置的电极并且在所述触摸时段中可以用作自电容。所述选通线和所述数据线可以根据在所述上基板上有无所述触摸对象来感测自电容的变化。为了实现这些及其它优点且根据本说明书的目的，如本文具体实施且广泛描述的，一种用于制造液晶显示LCD装置的方法，所述方法可以包括以下步骤：设置下基板和上基板，所述下基板和所述上基板被布置为彼此面对并且具有插入在该下基板和该上基板之间的液晶层；在所述下基板上形成黑底、滤色器和公共电极；形成选通线、有源层、源极、漏极以及与所述选通线交叉的数据线，以在所述上基板上形成像素区域；以及在所述上基板的所述像素区域中形成像素电极，所述像素电极与所述漏极电接触，其中，通过检测所述选通线和所述数据线二者与接触所述上基板的触摸对象之间的自电容的变化来输出感测信号。所述LCD装置可以是具有TN结构的内嵌式触摸模式LCD装置。所述选通线和所述数据线在显示时段中可以用作所述LCD装置的电极并且在所述触摸时段中可以用作自电容。所述选通线和所述数据线可以根据在所述上基板上有无所述触摸对象来感测自电容的变化。在根据本公开的实施方式的使用内嵌式触摸方案的LCD装置及其制造方法中，通过应用其中所述选通线及数据线在显示时段中用作选通电极和数据电极并且在触摸时段中用作触摸电极的时分方案，可以实现自电容型内嵌式触摸传感器。另外，在根据本公开的实施方式的使用内嵌式触摸方案的LCD装置及其制造方法中，通过将自电容型内嵌式触摸技术应用于LCD装置，可以增加LCD装置的附加值，并且可以在具有TN结构的现有LCD装置中实现所述内嵌式触摸技术，而不会增加掩模数量。根据下文给出的详细描述，本申请的可应用性的进一步范围将变得更加显而易见。然而，应该理解，由于根据所述详细描述本专利技术范围内的各种变化及修改对于本领域技术人员而言将变得更加显而易见，因此所述详细描述及具体示例虽然指示本发明的优选实施方式，但仅是为了说明而给出。附图说明附图被包括以提供对本专利技术的进一步理解，并且被并入本说明书且构成本说明书的一部分，附图例示了示例性实施方式并且与说明书一起用于说明本专利技术的原理。在附图中：图1为根据本公开的实施方式的使用内嵌式触摸方案的液晶显示(LCD)装置的示意性立体图。图2为根据公开的实施方式的使用内嵌式触摸方案的LCD的示意性截面图，示出了选通线和数据线二者与触摸对象之间的自电容。图3为根据本公开的实施方式的使用内嵌式触摸方案的LCD的平面图。图4为根据本公开的实施方式的使用内嵌式触摸方案的LCD的示意性截面图。图5为示意性地示出根据本公开的实施方式的使用内嵌式触摸方案的LCD的选通线和数据线的视图。图6为示意性地示出根据本公开的实施方式的使用内嵌式触摸方案的LCD的驱动方案的电路波形图，其中，示出了基于时分方案的显示时段与触摸时段中的电路波形。图7A至图7D为示出制造根据本公开的实施方式的使用内嵌式触摸方案的LCD的上薄膜晶体管(TFT)阵列基板的过程截面图。图8A至图8C为示出制造根据本公开的实施方式的使用内嵌式触摸方案的LCD的下TFT阵列基板的过程的截面图。图9为示意性地示出根据本公开的实施方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液晶显示LCD装置，所述LCD装置包括：下基板和上基板，所述下基板和所述上基板被布置为彼此面对，并且具有插入在该下基板和该上基板之间的液晶层；黑底，所述黑底被设置在所述下基板上，在所述黑底之间设置滤色器，并且在所述下基板的整个表面上设置公共电极；选通线和数据线，所述选通线和所述数据线被设置在所述上基板上并且彼此交叉以限定像素区域；薄膜晶体管TFT，所述TFT存在于所述上基板的所述像素区域中；以及像素电极，所述像素电极与所述TFT电接触，其中，通过检测所述选通线和所述数据线二者与接触所述上基板的触摸对象之间的自电容的变化来输出感测信号。

【技术特征摘要】
2014.12.30 KR 10-2014-01941901.一种液晶显示LCD装置，所述LCD装置包括：
下基板和上基板，所述下基板和所述上基板被布置为彼此面对，并且具有插入在
该下基板和该上基板之间的液晶层；
黑底，所述黑底被设置在所述下基板上，在所述黑底之间设置滤色器，并且在所
述下基板的整个表面上设置公共电极；
选通线和数据线，所述选通线和所述数据线被设置在所述上基板上并且彼此交叉
以限定像素区域；
薄膜晶体管TFT，所述TFT存在于所述上基板的所述像素区域中；以及
像素电极，所述像素电极与所述TFT电接触，
其中，通过检测所述选通线和所述数据线二者与接触所述上基板的触摸对象之间
的自电容的变化来输出感测信号。
2.根据权利要求1所述的LCD装置，其中，所述LCD装置是具有TN结构的内
嵌式触摸模式LCD装置。
3.根据权利要求1所述的LCD装置，其中，所述选通线和所述数据线在显示时
段中用作所述LCD装置的电极并且在触摸时段中用作自电容。
4.根据权利要求1所述的LCD...

【专利技术属性】
技术研发人员：金真星，金哲世，金周汉，金成撤，裵相赫，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR