本发明专利技术提供能够减少增益饱和而实现高输出化的发光装置及投影仪。在本发明专利技术所涉及的发光装置(100)中，光波导路(160)具有：包括中心位置(C)的第一区域(161)、包括第一光出射面(170)的第二区域(162)以及包括第二光出射面(172)的第三区域(163)，第二覆层具有多个非接触区域(18)，多个非接触区域(18)与光波导路(160)交叉，多个非接触区域(18)和第一区域(161)相重叠的面积与第一区域(161)的面积之比大于多个非接触区域(18)和第二区域(162)相重叠的面积与第二区域(162)的面积之比、且大于多个非接触区域(18)和第三区域(163)相重叠的面积与第三区域(163)的面积之比。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光装置以及投影仪。
技术介绍
半导体激光器、超辐射发光二极管(SuperLuminescentDiode，以下也称为“SLD”)等半导体发光装置被用作为例如投影仪的光源。SLD是一种与普通发光二极管同样地具有非相干性且显示出宽带的谱形但在光输出特性上却与半导体激光器同样地能以单一元件获得多达数百mW程度的输出的半导体发光装置。例如在专利文献1中已公开了一种具有带状的倾斜波导路的SLD。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-238847号公报
技术实现思路
专利技术要解决的技术问题在上述那样的SLD的光波导路中，光朝着射出光的光出射面呈指数函数地被放大。因此，在光出射面附近，有时会由于转换为光的载流子的量不足而发生增益饱和，导致SLD的输出下降。本专利技术的几个方面所涉及的目的之一在于，提供能够降低增益饱和以实现高输出化的发光装置。另外，本专利技术的几个方面所涉及的目的之一在于，提供包括上述发光装置的投影仪。用于解决技术问题的方案本专利技术所涉及的发光装置包括：活性层，通过向所述活性层注入电流而能使所述活性层产生光；第一覆层和第二覆层，所述活性层夹在所述第一覆层与所述第二覆层之间；以及第一电极和第二电极，向所述活性层注入电流，所述活性层构成引导光波的光波导路，所述光波导路具有：射出光的第一光出射面和第二光出射面；包括至所述第一光出射面和所述第二光出射面的距离相等的中心位置的第一区域；包括所述第一光出射面的第二区域；以及包括所述第二光出射面的第三区域，所述第二覆层具有未与所述第二电极电连接的多个非接触区域，从所述活性层与所述第一覆层的层叠方向观察，所述多个非接触区域与所述光波导路交叉，从所述层叠方向观察，所述多个非接触区域和所述第一区域相重叠的面积与所述第一区域的面积之比大于所述多个非接触区域和所述第二区域相重叠的面积与所述第二区域的面积之比、且大于所述多个非接触区域和所述第三区域相重叠的面积与所述第三区域的面积之比。在这样的发光装置中，能够降低增益饱和，实现高输出化。在本专利技术所涉及的发光装置中，也可以是，还包括设于所述第二覆层与所述第二电极之间的接触层，并且，在所述多个非接触区域未设有所述接触层。在这样的发光装置中，能够容易地控制光波导路的注入电流的区域。在本专利技术所涉及的发光装置中，也可以是，从所述层叠方向观察，所述多个非接触区域只与所述第一区域交叉。在这样的发光装置中，能够使从所述层叠方向观察，所述多个非接触区域和所述第一区域相重叠的面积与所述第一区域的面积之比大于所述多个非接触区域和所述第二区域相重叠的面积与所述第二区域的面积之比、且大于所述多个非接触区域和所述第三区域相重叠的面积与所述第三区域的面积之比。在本专利技术所涉及的发光装置中，也可以是，所述多个非接触区域的间距随着从所述中心位置朝向所述第一光出射面和所述第二光出射面而逐渐增大。在这样的发光装置中，能够高效地射出光。在本专利技术所涉及的发光装置中，也可以是，从所述层叠方向观察，与所述第一区域重叠的所述多个非接触区域的间距为等间隔，与所述第二区域重叠的所述多个非接触区域的间距随着从所述中心位置朝向所述第一光出射面而逐渐增大，并且，与所述第三区域重叠的所述多个非接触区域的间距随着从所述中心位置朝向所述第二光出射面而逐渐增大。在这样的发光装置中，能够高效地射出光。在本专利技术所涉及的发光装置中，也可以是，当将所述光波导路在所述第一光出射面与所述第二光出射面之间的沿所述光波导路的延伸方向的长度设为L时，所述第一区域的沿所述光波导路的所述延伸方向的长度为L/4以上3L/4以下。在这样的发光装置中，能够降低增益饱和，实现高输出化。在本专利技术所涉及的发光装置中，也可以是，所述光波导路在相对于所述第一光出射面的法线以及所述第二光出射面的法线倾斜的方向上延伸。在这样的发光装置中，由于能够不构成直接的谐振器，因此能够抑制在光波导路产生的光的激光振荡。其结果，这样的发光装置能够减少斑点噪声。本专利技术所涉及的投影仪包括：本专利技术所涉及的发光装置；光调制装置，根据图像信息调制从所述发光装置射出的光；以及投影装置，投射通过所述光调制装置形成的图像。在这样的投影仪中，由于包括本专利技术所涉及的发光装置，因此能够实现高亮度化。附图说明图1是示意性示出第一实施方式所涉及的发光装置的俯视图。图2是示意性示出第一实施方式所涉及的发光装置的截面图。图3是示意性示出第一实施方式所涉及的发光装置的截面图。图4是示意性示出第一实施方式所涉及的发光装置的截面图。图5的(a)和(b)是用于说明光波导路的延伸方向的位置与光强度及平均化电流量的关系的图。图6的(a)和(b)是用于说明光波导路的延伸方向的位置与光强度及平均化电流量的关系的图。图7是用于说明光波导路的延伸方向的位置与光强度的关系的图。图8是示意性示出第一实施方式所涉及的发光装置的制造工序的截面图。图9是示意性示出第一实施方式所涉及的发光装置的制造工序的截面图。图10是示意性示出第一实施方式的第一变形例所涉及的发光装置的俯视图。图11是用于说明光波导路的延伸方向的位置与平均化电流量的关系的图。图12是示意性示出第一实施方式的第二变形例所涉及的发光装置的俯视图。图13是示意性示出第一实施方式的第三变形例所涉及的发光装置的截面图。图14是示意性示出第一实施方式的第四变形例所涉及的发光装置的截面图。图15是示意性示出第一实施方式的第五变形例所涉及的发光装置的俯视图。图16是示意性示出第一实施方式的第六变形例所涉及的发光装置的俯视图。图17是示意性示出第一实施方式的第七变形例所涉及的发光装置的俯视图。图18是示意性示出第二实施方式所涉及的发光装置的俯视图。图19是示意性示出第二实施方式所涉及的发光装置的截面图。图20是示意性示出第二实施方式所涉及的发光装置的截面图。图21是示意性示出第三实施方式所涉及的投影仪的图。符号的说明18…非接触区域、18a…第一非接触区域、18b…第二非接触区域、100…发光装置、102…基板、104…第一覆层、105…第一侧面、106…活性层、107…第二侧面、108…第二覆层、110…接触层、111…柱状部、112…绝缘层、120本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，其特征在于，包括：活性层，所述活性层被注入电流而能产生光；第一覆层和第二覆层，所述活性层夹在所述第一覆层与所述第二覆层之间；以及第一电极和第二电极，向所述活性层注入电流，所述活性层构成引导光的光波导路，所述光波导路具有：射出光的第一光出射面和第二光出射面；包括至所述第一光出射面和所述第二光出射面的距离相等的中心位置的第一区域；包括所述第一光出射面的第二区域；以及包括所述第二光出射面的第三区域，所述第二覆层具有未与所述第二电极电连接的多个非接触区域，从所述活性层与所述第一覆层的层叠方向观察，所述多个非接触区域与所述光波导路交叉，从所述层叠方向观察，所述多个非接触区域和所述第一区域相重叠的面积与所述第一区域的面积之比大于所述多个非接触区域和所述第二区域相重叠的面积与所述第二区域的面积之比、且大于所述多个非接触区域和所述第三区域相重叠的面积与所述第三区域的面积之比。
【技术特征摘要】
2014.12.24 JP 2014-2609431.一种发光装置，其特征在于，包括：
活性层，所述活性层被注入电流而能产生光；
第一覆层和第二覆层，所述活性层夹在所述第一覆层与所述第
二覆层之间；以及
第一电极和第二电极，向所述活性层注入电流，
所述活性层构成引导光的光波导路，
所述光波导路具有：
射出光的第一光出射面和第二光出射面；
包括至所述第一光出射面和所述第二光出射面的距离相等的中
心位置的第一区域；
包括所述第一光出射面的第二区域；以及
包括所述第二光出射面的第三区域，
所述第二覆层具有未与所述第二电极电连接的多个非接触区
域，
从所述活性层与所述第一覆层的层叠方向观察，所述多个非接
触区域与所述光波导路交叉，
从所述层叠方向观察，所述多个非接触区域和所述第一区域相
重叠的面积与所述第一区域的面积之比大于所述多个非接触区域和
所述第二区域相重叠的面积与所述第二区域的面积之比、且大于所
述多个非接触区域和所述第三区域相重叠的面积与所述第三区域的
面积之比。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述发光装置还包括设于所述第二覆层与所述第二电极之间的
接触层，并且，在所述多个非接触区域未设有所述接触层。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员：西冈大毅，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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