【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请案要求以下各项的权益：于2013年9月25日提交的美国临时申请案61/882,336、于2013年10月29日提交的美国临时申请案61/897,046、于2013年11月15日提交的美国临时申请案61/905,053、于2013年12月20日提交的EP申请案EP13199009.5、于2014年1月24日提交的EP申请案EP14152443.9、于2014年1月16日提交的EP申请案EP14151497.6、于2014年2月20日提交的EP申请案EP14155980.7、于2014年4月23日提交的EP申请案EP14165675.1、于2014年6月04日提交的EP申请案EP14171051.7、于2014年6月18日提交的EP申请案EP14172951.7、于2014年6月04日提交的EP申请案EP14171050.9、和于2014年6月23日提交的EP申请案EP14173446.7，并且所述申请案以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术涉及一种束传输设备。具体来说，但非排它地，本专利技术具有在包括一个或多个自由电子激光器的光刻系统内的应用。
技术介绍
光刻系统包括辐射源和至少一个光刻设备。光刻设备是被建构成施加所期望的图案到衬底上的机器。举例来说，可在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。举例来说，光刻设备可将图案从图案形成装置(例如，掩模)投影到提供于衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。由光刻...
【技术保护点】
一种在光刻系统内使用的束分裂设备，包括：多个静态反射镜，每个所述多个静态反射镜被布置成接收来自辐射源的第一辐射束的不同部分并且沿着多个方向中的一个方向反射辐射的相应部分以形成用于供给到多个工具的多个分支辐射束。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.20 EP 13199009.5;2014.01.16 EP 14151497.6;1.一种在光刻系统内使用的束分裂设备，包括：
多个静态反射镜，每个所述多个静态反射镜被布置成接收来自辐射源的第一辐射束的
不同部分并且沿着多个方向中的一个方向反射辐射的相应部分以形成用于供给到多个工
具的多个分支辐射束。
2.根据权利要求1所述的束分裂设备，其中所述多个方向中的每一个方向提供相应的
分支光学路径，每一分支光学路径与所述多个工具中的相应一个相关联。
3.根据权利要求2所述的束分裂设备，其中至少一个分支光学路径与多个所述静态反
射镜相关联以使得至少一个分支辐射束包括多个所述反射部分。
4.根据权利要求2或3所述的束分裂设备，其中所述分支光学路径中的每一个与相应的
多个所述静态反射镜相关联以使得每一分支辐射束包括多个所述反射部分。
5.根据权利要求1到4中的任一个所述的束分裂设备，其中每一静态反射镜被布置成部
分地跨越所述第一辐射束延伸。
6.根据权利要求1到5中的任一个所述的束分裂设备，其中所述多个静态反射镜中的至
少一些被配置成反射所述第一辐射束的实心区域。
7.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述多个静态反射镜中的至少一些
由反射性光栅提供，所述光栅的多个面中的每一个面提供所述多个静态反射镜中的相应一
个静态反射镜。
8.根据权利要求7所述的束分裂设备，其中与所述多个方向中的同一个方向相关联的
所述光栅的每一反射面实质上平行于单个硅晶体平面延伸。
9.根据权利要求7或8所述的束分裂设备，其中所述光栅是宏观尺度光栅。
10.根据从属于权利要求2的权利要求9所述的束分裂设备，其中所述反射面被布置成
使得每一反射部分的扩展在与所述一个分支光学路径相关联的所述多个工具中的所述一
个工具处导致与一个分支光学路径相关联的至少两个反射部分的部分重叠。
11.根据权利要求10所述的束分裂设备，其中所述反射面被布置成使得重叠的反射部
分提供具有实质上与所述第一辐射束的强度轮廓相同的强度轮廓的分支辐射束。
12.根据从属于权利要求2的权利要求7到11中的任一个所述的束分裂设备，其中所述
光栅包括与用以提供第一分支辐射束的第一分支光学路径相关联的第一多个面；
其中所述第一多个面中的每一个被布置成反射所述第一辐射束的相应部分以形成所
述第一分支辐射束的相应子束；并且
其中所述第一多个面被布置成使得如果所述第一辐射束的位置在垂直于所述第一辐
射束的传播方向的平面中改变，那么由所述第一多个面中的至少一个接收的功率增加并且
由所述第一多个面中的至少一个接收的功率降低。
13.根据权利要求7或8所述的束分裂设备，其中所述光栅是微观尺度光栅。
14.根据权利要求13所述的束分裂设备，其中所述光栅的所述反射面被布置成使得从
所述光栅反射的辐射的部分衍射以提供所述多个分支辐射束。
15.根据权利要求14所述的束分裂设备，其中所述光栅的所述反射面被布置成使得每
一分支辐射束具有实质上类似于所述第一辐射束的强度轮廓的强度轮廓。
16.根据权利要求7到15中的任一个所述的束分裂设备，其中所述光栅的所述面在垂直
于所述第一辐射束的传播方向的至少一个方向上具有平移对称性。
17.根据权利要求7到16中的任一个所述的束分裂设备，其中所述束分裂设备包括扩展
和/或平顶形成光学装置，并且其中所述反射性光栅设置于所述扩展和/或平顶形成光学装
置的上游。
18.根据权利要求7到17中的任一个所述的束分裂设备，其中所述反射性光栅被布置成
从设置于所述辐射源与所述反射性光栅之间的平面反射镜接收所述辐射束。
19.根据权利要求7到18中的任一个所述的束分裂设备，其中所述光栅由蚀刻后的硅形
成。
20.根据权利要求19所述的束分裂设备，其中所述光栅包括反射性涂层，所述反射性涂
层包括针对所期望的波长的掠入射反射率而选择的材料或成分。
21.根据权利要求7到20中的任一个所述的束分裂设备，进一步包括又一反射性光栅，
所述又一反射性光栅被布置成进一步分裂由所述光栅提供的所述分支辐射束中的至少一
个。
22.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述静态反射镜中的至少一个设
置有一个或多个孔，所述一个或多个孔被布置成允许未由所述至少一个静态反射镜反射的
所述第一辐射束的一部分穿过所述孔朝向所述多个静态反射镜中的又一个静态反射镜。
23.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述静态反射镜中的至少一个包
括环形反射性表面，所述环形反射性表面被布置成沿着相关联的分支光学路径反射辐射的
一部分并且允许所述第一辐射束的一部分穿过由所述环界定的孔朝向所述多个静态反射
镜中的又一个静态反射镜。
24.根据权利要求23所述的束分裂设备，其中所述环形反射性表面被布置成使得如果
所述第一辐射束的位置在垂直于所述第一辐射束的传播方向的平面中改变，那么由所述基
于环的反射性表面的至少一个部分接收的功率增加并且由所述基于环的反射性表面的至
少又一部分接收的功率降低。
25.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述静态反射镜中的至少一个包
括沿着边缘结合的第一反射性表面和第二反射性表面，其中所述边缘被布置成位于辐射束
内。
26.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述静态反射镜中的至少一个设
置有主动冷却。
27.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，进一步包括至少一个发散光学元件，所
述至少一个发散光学元件被布置成增加辐射束的发散。
28.根据权利要求27所述的束分裂设备，包括多个发散光学元件，每个所述多个发散光
学元件被布置成增加所述分支辐射束中的相应一个分支辐射束的发散。
29.根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，其中所述辐射源包括一个或多个自由
电子激光器。
30.一种系统，包括：
辐射源，所述辐射源能够操作以产生第一辐射束；
多个工具，所述多个工具被布置成接收相应的分支辐射束；和
根据任一前述权利要求所述的束分裂设备，所述束分裂设备被布置成将所述第一辐射
束分裂成多个分支辐射束并且将相应的分支辐射束提供到所述多个工具中的每一个工具。
31.根据权利要求30所述的系统，进一步包括用于所述多个工具中的每一个工具的相
应的发散光学元件。
32.根据权利要求31所述的系统，其中所述束分裂设备根据权利要求7到20中的任一个
来布置，并且其中每一相应的发散光学元件在所述光栅的下游。
33.根据权利要求30、31或32所述的系统，其中所述发散光学元件包括凸面、凹面和/或
马鞍形的掠入射反射镜。
34.根据权利要求30到33中的任一个所述的系统，进一步包括光学装置，所述光学装置
被配置成修改分支辐射束的横截面形状。
35.根据权利要求34所述的系统，其中所述光学装置包括反射镜阵列，所述反射镜阵列
被布置成将所述分支辐射束分裂成多个子束并且将所述子束组合在一起。
36.根据权利要求30到35中的任一个所述的系统，其中所述第一辐射束包括EUV辐射。
37.根据权利要求30到36中的任一个所述的系统，其中所述多个工具包括光刻设备和
掩模检查设备，所述光刻设备和掩模检查设备中每个被布置成接收所述分支辐射束中的不
同的一个。
38.根据权利要求30到37中的任一个所述的系统，其中所述辐射源包括一个或多个自
由电子激光器。
39.一种方法，包括：
在辐射源中产生第一辐射束；和
将所述第一辐射束引导到根据权利要求1到29中的任一个所述的束分裂设备以产生多
个分支辐射束。
40.根据权利要求39所述的方法，进一步包括：将每一分支辐射束引导到相应的工具。
41.一种包括能够操作以产生EUV辐射束的自由电子激光器和被布置成接收所述EUV辐
射束的掩模检查设备的系统。
42.一种包括使用自由电子激光器产生EUV辐射束、将所述EUV辐射束引导到掩模检查
设备和使用所述EUV辐射束来检查掩模的方法。
43.一种在光刻系统中使用的束分裂设备，所述束分裂设备能够操作以接收主辐射束
并且输出至少一个分支辐射束，所述束分裂设备包括：
第一提取光学装置，所述第一提取光学装置被布置成沿着分支光学路径引导所述主辐
射束的第一部分以提供第一分支辐射束；
其中所述第一提取光学装置包括第一多个部分，所述第一多个部分中的每一个被布置
成反射所述主辐射束的相应部分以形成所述第一分支辐射束的相应的子束；并且
其中所述第一多个部分被布置成使得如果所述主辐射束的位置在垂直于所述主辐射
束的传播方向的平面中改变，那么由所述第一多个部分中的至少一个接收的功率增加并且
由所述第一多个部分中的至少一个接收的功率降低。
44.根据权利要求43所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分被布置成使得所述第
一分支辐射束的功率对于所述主辐射束的位置在垂直于所述主辐射束的所述传播方向的
平面中的改变实质上不变。
45.根据权利要求43或44所述的束分裂设备，其中所述第一提取光学装置被成形为使
得不管所述主辐射束的位置在垂直于其传播方向的所述平面中的所述改变的方向如何，由
所述第一多个部分中的至少一个接收的所述功率将增加并且由所述多个部分中的至少一
个接收的所述功率将降低。
46.根据权利要求43、44或45所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分中的每一个在
垂直于所述主辐射束的所述传播方向的平面上的投影通常围绕所述主辐射束的中心均匀
地分布。
47.根据权利要求43到46中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分中的
每一个被布置成使得所述第一多个部分中的每一个在垂直于所述主辐射束的所述传播方
向的平面上的投影实质上具有所述相同大小和形状。
48.根据权利要求43到47中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分中的
每一个被布置成使得所述第一多个部分中的每一个在垂直于所述主辐射束的所述传播方
向的平面上的投影是正方形、三角形、矩形或六边形横截面区域。
49.根据权利要求43到48中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分中的
每一个被布置成使得所述第一多个部分中的一个部分在垂直于所述主辐射束的所述传播
方向的平面上的投影与所述第一多个部分中的任何其它部分在垂直于所述主辐射束的所
述传播方向的所述平面上的投影实质上不重叠。
50.根据权利要求43到49中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分中的
每一个的方向使得所述相应子束实质上毗邻。
51.根据权利要求43到50中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分被布
置成使得相应的子束实质上不重叠并且使得其之间的任何间隙最小。
52.根据权利要求43到50中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一多个部分被布
置成使得所述相应的子束实质上完全地重叠。
53.根据权利要求43到52中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一分支光学路径
包括被布置成调节沿着其传播的分支辐射束的波纹板。
54.根据权利要求43到53中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一分支光学路径
包括用于调整沿着其传播的分支辐射束的所述强度的机构。
55.根据权利要求43到54中的任一个所述的束分裂设备，其中所述第一分支辐射束在
实质上垂直于所述主辐射束的方向上传播。
56.根据权利要求43到55中的任一个所述的束分裂设备，进一步包括一个或多个额外
的提取光学装置，每个所述额外的提取光学装置被布置成沿着相应的分支光学路径引导所
述主辐射束的相应部分以提供相应的分支辐射束；
其中每一额外的提取光学装置包括相应的多个部分，每相应的多个部分中的每一个被
布置成反射所述主辐射束的相应部分以形成所述相应的分支辐射束的相应的子束；并且
其中每多个部分被布置成使得如果所述主辐射束的位置在垂直于所述主辐射束的所
述传播方向的平面中改变，那么由所述额外的提取光学装置的所述部分中的至少一个接收
的功率将增加并且由所述额外的提取光学装置的所述多个部分中的至少一个接收的功率
将降低。
57.根据权利要求56所述的束分裂设备，其中所述第一提取光学装置的所述部分和所
述额外的提取光学装置中的每一个额外的提取光学装置的所述部分被布置成使得所述第
一提取光学装置和所述额外的提取光学装置的所有所述部分在垂直于所述主辐射束的所
述传播方向的平面上的投影与所述主辐射束的横截面区域实质上重合。
58.一种光刻系统，包括：
辐射源，所述辐射源能够操作以产生主辐射束；
根据权利要求1到57中的任一个所述的束分裂设备；和
至少一个光刻设备，所述至少一个光刻设备被布置到来自所述束分裂设备的分支辐射
束。
59.根据权利要求58所述的光刻系统，其中所述主辐射束具有围绕其中心旋转对称的
强度分布。
60.根据权利要求59所述的光刻系统，其中所述主辐射束具有类高斯强度分布。
61.根据权利要求58到60中的任一个所述的光刻系统，其中所述辐射源包括一个或多
个自由电子激光器。
62.根据权利要求61所述的光刻系统，其中所述辐射源包括光学装置，所述光学装置被
布置成更改从所述一个或多个自由电子激光器接收的所述辐射束的所述横截面的大小和/
或形状。
63.根据权利要求58到62中的任一个所述的光刻系统，其中所述至少一个光刻设备包
括一个或多个掩模检查设备。
64.根据权利要求58到63中的任一个所述的光刻系统，其中所述主辐射束包括EUV辐
射。
65.一种束分裂设备，包括：
束斑区域，所述束斑区域用于接收辐射束；
周期性阵列，所述周期性阵列由多个离散的反射性元件形成；和
机构，所述机构用于移动所述周期性阵列以使得所述多个反射性元件移动穿过所述束
斑区域，
其中所述反射性元件被布置成使得所述辐射束的第一部分形成第一分支辐射束并且
所述辐射束的第二部分形成第二分支辐射束。
66.根据权利要求65所述的束分裂设备，其中所述束分裂设备包括大体圆盘形状的主
体，并且用于移动所述周期性阵列的所述机构能够操作以围绕旋转轴线旋转所述主体。
67.根据权利要求66所述的束分裂设备，其中所述多个离散反射性元件中的每一个包
括大体径向地延伸的辐条的表面。
68.根据权利要求65到68中的任一个所述的束分裂设备，其中所述反射性元件被布置
成使得所述辐射束的所述第一部分入射于所述反射性元件上并且被所述反射性元件反射
以便形成所述第一分支辐射束，并且所述辐射束的所述第二部分通过所述反射性元件之间
的一个或多个间隙以便形成所述第二分支辐射束。
69.根据权利要求68所述的束分裂设备，其中所述反射性元件之间的所述一个或多个
间隙每个延伸到所述束分裂设备的主体的边缘。
70.根据权利要求68或权利要求69所述的束分裂设备，进一步包括在所述一个或多个
间隙中的至少一个中的倾斜坡面。
71.根据权利要求66到70中的任一个所述的束分裂设备，其中所述束斑区域设置于所
述主体的面向轴向的表面上。
72.根据权利要求71所述的束分裂设备，其中所述多个离散的反射性元件在增加半径
的方向上向内成锥度。
73.根据权利要求71或权利要求72所述的束分裂设备，其中所述多个离散的反射性元
件在远离所述反射性元件的面向轴向的上表面的轴向方向上向内成锥度。
74.根据权利要求71到73中的任一个所述的束分裂设备，其中所述多个反射性元件中
的每一个在处于与径向方向成倾斜角的方向上延伸。
75.根据权利要求66到70中的任一个所述的束分裂设备，其中所述束斑区域设置于所
述主体的面向径向的表面上。
76.根据权利要求75所述的束分裂设备，其中所述多个反射性元件中的每一个的面向
径向的表面是弯曲的。
77.根据权利要求75所述的束分裂设备，其中所述多个反射性元件中的每一个的面向
径向的表面是平坦的。
78.根据权利要求75到77中的任一个所述的束分裂设备，其中所述多个离散的反射性
元件在增加半径的方向上向外成锥度。
79.根据权利要求65到78中的任一个所述的束分裂设备，进一步包括冷却器件和用于
将热量从所述反射性元件传递到所述冷却器件的机构，其中所述多个反射性元件相对于所
述冷却器件移动。
80.根据权利要求79所述的束分裂设备，其中所述冷却器件接近于所述束分裂设备的
主体的表面而设置，通过间隙与其分离开。
81.根据权利要求80所述的束分裂设备，其中所述主体和所述冷却器件的相反表面设
置有高发射率材料的涂层以促进所述主体的辐射和所述冷却器件对所述发射的辐射的吸
收。
82.根据权利要求80所述的束分裂设备，其中在所述主体与所述冷却器件之间设置的
所述间隙填充有通过毛细力保持于适当位置的液态金属层。
83.根据权利要求82所述的束分裂设备，其中所述金属包括易熔合金。
84.一种包括根据权利要求65到83中的任一个所述的束分裂设备的光刻系统。
85.一种包括根据权利要求65到83中的任一个所述的多个束分裂设备的复合束分裂设
备。
86.根据权利要求85所述的复合束分裂设备，其中所述多个束分裂设备中的至少两个
串行地布置以使得由所述束分裂设备中的第一个产生的所述分支辐射束中的一个由所述
束分裂设备中的第二个接收。
87.根据权利要求86所述的复合束分裂设备，进一步包括调整机构，所述调整机构能够
操作以控制所述多个束分裂设备中的所述至少两个的所述周期性阵列的移动的相对相位。
88.一种光刻系统，包括：
两个辐射源，每个所述辐射源能够操作以输出辐射束；
多个光刻设备；
两个束传输系统，每一束传输系统被布置成接收辐射束并且将这分布到所述多个光刻
设备的不同组；和
至少一个根据权利要求65到83中的任一个所述的束分裂设备，所述至少一个束分裂设
备能够在非活动位置与至少一个所部署位置之间移动，在所述非活动位置，其在由所述两
个辐射源输出的两个所述辐射束中的所述路径之外，在所部署位置，其设置于来自所述辐
射束中的一个的所述辐射束的所述路径中，
其中当所述至少一个束分裂设备设置于其非活动位置时，所述两个束传输系统中的每
一个接收来自所述两个辐射源中的不同一个的辐射束，并且当所述至少一个束分裂设备设
置于其所部署位置时，其被布置成将由所述辐射源中的一个输出的所述辐射束分裂成两个
分支辐射束，并且所述两个束传输系统中的每一个接收所述分支辐射束中的不同一个。
89.一种光刻系统，包括：
第一和第二辐射源，所述第一和第二辐射源中每个能够操作以输出辐射束；
多个光刻设备；
两个束传输系统，每一束传输系统被布置成接收辐射束并且将这分布到所述多个光刻
设备的不同组；和
第一和第二束分裂设备，所述第一和第二束分裂设备是根据当直接地或间接地从属于
权利要求75时的任一前述权利要求所述的束分裂设备，所述第一和第二束分裂设备被布置
成使得：
由所述第一辐射源输出的所述辐射束由所述第一束分裂设备接收，由所述第一辐射源
输出的所述辐射束的第一部分入射于所述第一束分裂设备的所述反射性元件上并且被所
述第一束分裂设备的所述反射性元件反射以便形成第一分支辐射束，并且由所述第一辐射
源输出的所述辐射束的第二部分通过在所述第一束分裂设备的所述反射性元件之间的间
隙以便以形成第二分支辐射束；并且
由所述第二辐射源输出的所述辐射束由所述第二束分裂设备接收，由所述第二辐射源
输出的所述辐射束的第一部分入射于所述第二束分裂设备的所述反射性元件上并且被所
述第二束分裂设备的所述反射性元件反射以便形成第三分支辐射束，并且由所述第二辐射
源输出的所述辐射束的第二部分通过在所述第二束分裂设备的所述反射性元件之间的间
隙以便形成第四分支辐射束；
其中所述第一和第四分支辐射束通常毗邻且共线并且被朝向所述两个束传输系统中
的第一个引导，并且其中所述第二和第三分支辐射束通常毗邻且共线并且被朝向所述两个
束传输系统中的第二个引导。
90.根据权利要求88或权利要求89所述的光刻系统，其中由所述两个辐射源中的任一
者或两者输出的所述辐射束包括EUV或x射线辐射。
91.一种用于自由电子激光器的波荡器，包括：
至少一个波荡器模块，所述至少一个波荡器模块能够操作以产生周期性磁场并且被布
置成以便沿着周期性路径引导电子束以使得所述电子束内的电子与所述波荡器中的辐射
互相作用以激励相干辐射的发射而提供辐射束；
转向单元，所述转向单元被布置成更改所述至少一个波荡器模块内所述电子束的轨
道；和
控制单元，所述控制单元被布置成控制所述转向单元。
92.根据权利要求91所述的波荡器，其中所述转向单元相对于所述电子束的所述传播
方向定位于在所述波荡器内与所述波荡器的入口相比更靠近于所述波荡器的出口的位置
处。
93.根据权利要求91所述的波荡器，其中所述转向单元相对于所述电子束的传播方向
定位于所述波荡器的最后一个模块与倒数第二个模块之间。
94.根据权利要求91、92或93所述的波荡器，进一步包括用于将指示所述电子束的轨道
的信号提供到所述控制单元的传感器布置。
95.根据权利要求91到94中的任一个所述的波荡器，其中所述传感器布置包括多个波
荡器模块和定位于所述多个波荡器模块中的第一个之后的第一传感器和定位于所述多个
波荡器模块中的第二个之后的第二传感器。
96.根据权利要求95所述的波荡器，其中所述第一传感器定位于倒数第二个模块之后，
并且所述第二传感器定位于最后一个模块之后。
97.根据权利要求94、95或96所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成确定所述电子
束的所述轨道与理想轨道的偏差。
98.根据权利要求97所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制所述转向单元以
减小所述电子束的所述轨道与所述理想轨道之间的差异，或实质上将所述电子束与平行于
所述理想轨道的轨道对准。
99.根据任一前述权利要求所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成接收预定位置
处所述辐射束内的强度分布的指示。
100.根据权利要求99所述的波荡器，其中所述波荡器被布置成确定所述预定位置处所
述辐射束内的所述强度分布与所述预定位置处所述辐射束内的理想强度分布之间的差异；
并且
控制所述转向单元以减小在所述预定位置处所述辐射束内的所述强度分布与在所述
预定位置处所述辐射束内的理想强度分布之间的差异。
101.根据权利要求91到100中的任一个所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控
制所述转向单元以使所述电子束的所述轨道以预定量周期性地变化。
102.根据权利要求101所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制转向单元以相
对于所述波荡器的纵向轴线以多个离散的角度顺序地引导所述电子束。
103.根据权利要求102所述的波荡器，其中所述多个离散的角度被选择以便提供多个
在空间上分离的辐射束。
104.根据权利要求101所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制所述转向单元
以相对于所述波荡器的纵向轴线通过预定角范围掠扫所述电子束。
105.根据权利要求102或104所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制所述转向
单元以便提供多个在空间上重叠的辐射束。
106.根据权利要求104或105所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控制所述转向
单元以通过所述预定角范围以实质上恒定角速度掠扫所述电子束。
107.根据权利要求101到106中的任一个所述的波荡器，其中所述控制单元被布置成控
制所述转向单元以在垂直于所述波荡器的纵向轴线的方向上使所述轨道变化达1000μrad
的角度。
108.根据权利要求91到107中的任一个所述的波荡器，包括多个转向单元，所述多个转
向单元由所述控制单元控制来更改所述电子束的方向。
109.一种被布置成产生至少一个辐射束的自由电子激光器，包括根据权利要求91到
108中的任一个所述的波荡器。
110.一种光刻系统，包括：
根据权利要求109所述的自由电子激光器，所述自由电子激光器被布置成产生至少一
个辐射束；和
至少一个光刻设备，所述至少一个光刻设备中的每一个被布置成接收所述至少一个辐
射束中的至少一个。
111.根据权利要求110所述的光刻系统，进一步包括光学装置，所述光学装置被布置成
更改从所述自由电子激光器接收的所述至少一个辐射束的所述横截面的大小和/或形状。
112.根据权利要求110或111所述的光刻系统，进一步包括强度分布传感器，所述强度
分布传感器被布置成将指示所述至少一个辐射束内的强度分布的信号提供到所述波荡器
的所述控制单元。
113.根据权利要求108到112中的任一个所述的光刻系统，其中所述至少一个光刻设备
包括一个或多个掩模检查设备。
114.根据权利要求108到113中的任一个所述的光刻系统，其中所述至少一个辐射束包
括EUV辐射。
115.一种用于改变波荡器内的电子束的方向的计算机实施的方法，所述波荡器能够操
作以产生周期性磁场并且被布置以便沿着周期性路径引导所述电子束以使得所述电子束
内的电子与所述波荡器中的辐射互相作用以激励相干辐射的发射而提供辐射束，所述方法
包括：
接收指示所述电子束的轨道的信号和/或接收指示预定位置处所述辐射束内的强度分
布的信号；
确定所述电子束的所述轨道与理想轨道的偏差和/或确定所述预定位置处所述辐射束
内的所述强度分布与所述预定位置处所述辐射束内的理想强度分布之间的差异；和
控制所述波荡器内的转向单元以使所述波荡器的模块内的所述电子束转向以便减小
所确定的偏差和/或以便减小所确定的差异。
116.一种用于自由电子激光器的波荡器，包括：
第一波荡器区段和第二波荡器区段，所述第一波荡器区段被布置成提供第一辐射束并
且第二波荡器区段被布置成提供第二辐射束，每一波荡器区段包括至少一个波荡器模块，
所述至少一个波荡器模块被布置成沿着周期性路径引导电子束以使得所述电子束与所述
第一和第二区段内的辐射互相作用以便激励相干辐射的发射并且分别提供所述第一和第
二辐射束；和
第一转向单元，所述第一转向单元设置于所述第一波荡器区段与所述第二波荡器区段
之间并且被布置成更改所述电子束的轨道以使得所述电子束至少部分地与所述第一辐射
束分离以使得在所述电子束传播穿过所述第二波荡器区段时所述第一辐射束的至少第一
部分从所述电子束解耦。
117.根据权利要求116所述的波荡器，包括多于两个的波荡器区段和多于一个的转向
单元，每一转向单元设置于不同对的毗邻波荡器区段之间。
118.根据权利要求116或117所述的波荡器，其中所述第一转向单元相对于所述第一波
荡器区段的中心轴线以一角度弯曲所述电子束。
119.根据权利要求118所述的波荡器，其中所述电子束由所述第一转向单元弯曲所经
过的所述角超过所述第一辐射束的发散。
120.根据权利要求118或权利要求119所述的波荡器，其中所述电子束通过所述波荡器
内的束线管，并且其中所述电子束由所述第一转向单元弯曲所经过的所述角足够小，以使
得所述第一和第二辐射束均适配于电子束线内。
121.根据权利要求116到120中的任一个所述的波荡器，其中所述第二波荡器区段被布
置成使得仅如果所述电子束具有在可接受的初始轨道的范围内的初始轨道那么所述第二
波荡器区段内相干辐射的显著激励的发射将发生，并且所述第一转向单元被布置成使得在
初始轨道在可接受的初始轨道的所述范围内的情况下所述电子束进入所述第二波荡器区
段。
122.根据权利要求116到121中的任一个所述的波荡器，其中所述第一和/或第二波荡
器区段包括螺旋波荡器模块。
123.根据权利要求116到122中的任一个所述的波荡器，其中所述第二波荡器区段的中
心轴线与所述第一波荡器区段的中心轴线不对准。
124.根据权利要求123所述的波荡器区段，其中在所述第一波荡器区段的中心轴线和
第二波荡器区段的中心轴线之间的角度实质上与所述电子束由所述第一转向单元弯曲所
经过的角度匹配。
125.根据权利要求116到124中的任一个所述的波荡器，其中所述第一转向单元被布置
成在实质上垂直于所述第一波荡器区段的中心轴线的方向上分离所述电子束与所述第一
辐射束。
126.根据权利要求116到125中的任一个所述的波荡器，其中所述第一转向单元被布置
成完全地分离所述电子束与所述第一辐射束。
127.根据权利要求116到126中的任一个所述的波荡器，其中所述或每一转向单元包含
磁体，所述磁体被布置成降低由于在其移动穿过所述波荡器时在所述电子束内展开的所述
能量散布所致的像差。
128.根据权利要求116到127中的任一个所述的波荡器，其中所述波荡器被布置成将所
述第一辐射束的第二部分引导到所述第二波荡器区段以在所述第二波荡器区段中提供种
子辐射。
129.根据权利要求116到128中的任一个所述的波荡器，其中波荡器被布置成提供所述
第一或第二辐射束的一部分作为种子辐射源。
130.根据权利要求116到129中的任一个所述的波荡器，进一步包括处于所述第一与第
二波荡器区段之间的相位调整单元，所述相位调整单元被布置成提供种子辐射与所述电子
束之间的光学匹配。
131.根据权利要求116到130中的任一个所述的波荡器，其中所述第一和第二波荡器区
段是带锥度的，所述第一和第二波荡器区段的锥度可独立控制。
132.根据权利要求116到131中的任一个所述的波荡器，进一步包括在所述第一转向单
元之前的束扩展器和在所述第一转向单元之后的束压缩器。
133.根据权利要求116到132中的任一个所述的波荡器，进一步包括处于所述第一波荡
器区段与第二波荡器区段之间的一个或多个电子束移位元件，所述一个或多个电子束移位
元件能够操作以在实质上垂直于其传播方向的方向上将所述电子束移位。
134.一种包括根据权利要求116到133所述的波荡器的自由电子激光器。
135.一种光刻系统，包括：
根据权利要求134所述的自由电子激光器；和
至少一个光刻设备，所述至少一个光刻设备中的每一个被布置成接收由所述自由电子
激光器产生的至少一个辐射束的至少一部分。
136.根据权利要求135所述的光刻系统，进一步包括光学装置，所述光学装置被布置成
更改由所述自由电子激光器产生的所述至少一个辐射束的横截面的大小和/或形状。
137.根据权利要求135或权利要求136所述的光刻系统，其中所述至少一个光刻设备包
括一个或多个掩模检查设备。
138.根据权利要求135到137中的任一个所述的光刻系统，其中所述至少一个辐射束包
括EUV辐射。
139.一种产生辐射的方法，包括：
产生相对论性聚束的电子束；
引导所述电子束穿过包括至少一个波荡器模块的第一波荡器区段，该至少一个波荡器
模块被布置成沿着周期性路径引导所述电子束以使得其与所述波荡器模块中的辐射互相
作用从而激励相干辐射的发射并且产生第一辐射束；
在其离开所述第一波荡器区段时更改电子束的轨道以使得所述电子束至少部分地与
所述第一辐射束分离；和
引导所述电子束穿过包括至少一个波荡器模块的第二波荡器区段，该至少一个波荡器
模块被布置成沿着周期性路径引导所述电子束以使得其与所述波荡器模块中的辐射互相
作用从而激励相干辐射的发射并且产生第二辐射束，
其中所述电子束与所述第一辐射束之间的至少部分分离使得在其传播穿过所述第二
波荡器区段时所述第一辐射束的至少第一部分从所述电子束解耦。
140.一种光学元件，包括：
主体；
反射性表面，所述反射性表面设置于所述主体上以用于接收辐射束以便形成束斑区域
和反射的辐射束；和
移动机构，所述移动机构能够操作以移动所述主体使得所述束斑区域遵循周期性路径
在所述反射性表面上移动，并且所述反射的辐射束的方向实质上保持不变。
141.根据权利要求140所述的光学元件，其中所述主体是大体圆盘形状的并且所述移
动机构能够操作以围绕旋转轴线旋转所述主体。
142.根据权利要求140或权利要求141所述的光学元件，进一步包括用于更改所述反射
性表面的曲率的变形机构，其中所述变形机构被布置成更改所述反射性表面的所述曲率以
便至少部分地校正由入射于所述反射性表面上的所述辐射束所致的所述反射性表面的曲
率。
143.根据权利要求142所述的光学元件，其中所述反射性表面设置于所述主体的面向
轴向的表面上。
144.根据权利要求143所述的光学元件，其中所述变形机构能够操作以更改所述反射
性表面的径向曲率。
145.根据权利要求143或权利要求144所述的光学元件，其中所述变形机构能够操作以
施加大体轴向力到所述主体的径向外部边缘。
146.根据权利要求145所述的光学元件，其中所述变形机构包括远离所述大体圆盘形
状的主体延伸的一个或多个构件，所述构件由磁性材料和一个或多个电线圈形成，其中所
述大体轴向力通过来自对所述一个或多个构件作用的所述一个或多个电线圈的磁力施加
到所述主体的所述径向外部边缘。
147.根据权利要求143或权利要求144所述的光学元件，其中所述变形机构包括远离所
述大体圆盘形状的主体轴向地延伸的一个或多个质量体，并且其中所述主体的旋转致使离
心力在向外的径向方向上对所述多个质量体产生作用，所述离心力产生对所述主体的径向
外部边缘作用的力矩，从而更改所述反射性表面的径向曲率。
148.根据权利要求143到147中的任一个所述的光学元件，其中所述主体的轴向厚度在
径向方向上变化。
149.根据权利要求148所述的光学元件，其中所述主体的所述轴向厚度大体与由辐射
束施加到所述束斑区域的所述热负荷匹配以使得由所述变形机构施加到接收相对高热负
荷的所述反射性表面的径向位置的曲率量大体高于由所述变形机构施加到接收相对低热
负荷的所述反射性表面的径向位置的曲率量。
150.根据权利要求142到149中的任一个所述的光学元件，其中所述变形机构包括一个
或多个加热元件，所述一个或多个加热元件被布置成施加热负荷到在所述束斑区域附近
的、与所述反射性表面相反的所述主体的表面。
151.根据权利要求150所述的光学元件，其中所述热负荷大体与由所述辐射束施加到
所述束斑区域的所述热负荷互补。
152.根据权利要求150所述的光学元件，其中所述热负荷大体类似于由所述辐射束施
加到所述束斑区域的所述热负荷。
153.根据权利要求140到152中的任一个所述的光学元件，进一步包括在所述光学元件
的所述主体中用于冷却流体流的一个或多个通道，其中所述一个或多个通道至少部分地设
置于所述反射性表面设置所在的所述主体的一部分中。
154.根据权利要求140到153中的任一个所述的光学元件，其中所述主体成形于所述反
射性表面下方以便至少部分地减小由入射于所述反射性表面上的辐射束所致的所述反射
性表面的温度的变化。
155.根据当直接地或间接地从属于权利要求141时的权利要求154所述的光学元件，其
中所述反射性表面设置于所述主体的面向径向的表面上。
156.一种辐射系统，包括：
辐射源，所述辐射源能够操作以产生辐射束；和
根据任一前述权利要求所述的光学元件，所述光学元件被布置成使得所述辐射束入射
于所述反射性表面的束斑区域上。
157.根据权利要求156所述的辐射系统，进一步包括辐射仓，所述辐射源和所述光学元
件设置于所述辐射仓中。
158.根据权利要求156或权利要求157所述的辐射系统，其中所述辐射源包括自由电子
激光器。
159.一种包括根据权利要求156到158中的任一个所述的辐射源的光刻系统。
160.一种设备，所述设备用于接收来自辐射源的辐射并且将所述辐射传输到所述设备
的输出孔以供随后传输到至少一个光刻设备，所述设备包括：
输入孔，所述输入孔用于接收所述辐射；
所述输出孔；
通道，所述通道处于所述输入孔与所述输出孔之间，所述通道包括多个室，其中，
所述室中的至少一些中的每一个包含用于连接到至少一个真空泵的相应的抽吸端口，
并且，
所述设备进一步包括电子或其它电离粒子或电离辐射的源，用于对在所述输入孔与所
述输出孔之间的所述通道中的气体原子或分子进行电离。
161.根据权利要求160所述的设备，进一步包括至少一个电场源和/或磁场源，所述至
少一个电场源和/或磁场源用于更改所述电子或其它电离粒子的轨道以增加所述电子和/
或其它电离粒子与所述气体原子或分子之间的碰撞的可能性。
162.根据权利要求161所述的设备，其中用于更改所述电子或其它电离粒子的轨道的
所述至少一个电场源和/或磁场源被配置成增加所述电子或其它电离粒子的路径长度。
163.根据权利要求161或162所述的设备，其中用于更改所述电子或其它电离粒子的轨
道的所述至少一个电场源和/或磁场源被配置成致使所述电子或其它电离粒子中的至少一
些至少部分地遵循螺旋轨道。
164.根据权利要求161到163中的任一个所述的设备，其中所述至少一个电场源和/或
磁场源被配置成将电...
【专利技术属性】
技术研发人员：V·班尼恩，P·巴特瑞，R·范格尔库姆，L·阿门特，彼得·德亚格尔，G·德维里斯，R·栋克尔，W·恩格尔伦，O·弗里基恩斯，L·格瑞米克，A·卡塔伦尼克，E·鲁普斯特拉，HK·尼恩惠斯，A·尼基帕罗夫，M·瑞肯斯，F·詹森，B·克鲁兹卡，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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