透明导电体及透明导电体的制造方法技术

提供具备具有各向同性导电性的使用了金属纳米线的透明导电膜的透明导电体。第一透明导电体为具备基材和设置在该基材上的透明导电膜的透明导电体，所述基材含有光学各向同性材料，所述透明导电膜含有金属纳米线，且TD方向与MD方向上的表面电阻值的比(TD/MD)为0.6以上且小于1.5。第二透明导电体为具备基材、设置在该基材上的中间层和设置在该中间层上的透明导电膜的透明导电体，所述中间层含有光学各向同性材料，所述透明导电膜含有金属纳米线，且TD方向与MD方向上的表面电阻值的比(TD/MD)为0.6以上且小于1.5。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】对关联申请的交叉引用本申请主张日本专利申请2013-240134号(2013年11月20日申请)的优先权，并将该申请的公开全部内容引用于此。
本专利技术涉及一种透明导电体及透明导电体的制造方法。
技术介绍
在设置于显示面板的显示面的透明导电体，进一步地，配置于显示面板的显示面侧的信息输入装置的透明导电体等要求透光性的透明导电体中，在表面的透明导电膜中使用有铟锡氧化物(ITO)那样的金属氧化物。然而，使用了金属氧化物的透明导电膜，由于在真空环境下进行溅射成膜所以制造成本较高，并且由于弯曲或翘曲等变形而容易发生破裂或剥离。因此，正在研究作为可进行涂布成膜或印刷成膜，且对弯曲或翘曲的承受能力也高的透明导电膜的配置有金属纳米线的透明导电膜来代替使用金属氧化物的透明导电膜。这样的透明导电膜也作为不使用作为稀有金属的铟的下一代的透明导电膜而受到关注(例如，参照专利文献1和2以及非专利文献1)。用于制造上述那样的使用了金属纳米线的透明导电膜的适当方法公开于专利文献3中。该专利文献3所记载的方法为在基材上投入多个金属纳米线(金属纳米线分散于液体中)，并将该液体干燥，由此在基体上形成金属纳米线网层(多个金属纳米线连接成网状而成的层)。此外，在该专利文献3中，在基体上投入多个金属纳米线，并使金属纳米线分散于液体中，通过将该液体干燥，从而在基体上形成金属纳米线网层，并且通过在该金属纳米线网层上投入基质(matrix)材料，使该基质材料固化形成基质，从而形成含有上述基质与被埋入该基质的金属纳米线的导电层。此外，在专利文献3中记载有利用卷对卷(rolltoroll)工序来进行。在此情况下，基体被旋转卷轴沿搬运路径进行搬运，金属纳米线的投入在第一投入部中沿移动路径进行，基质材料的投入在第二投入部中沿移动路径进行。然而，在专利文献3所记载的通过使金属纳米线分散于液体中，并使该液体干燥而形成透明导电膜的制造方法中，留有如下问题，即所形成的膜的导电性具有各向异性变强的倾向，例如在图2所示的形状的透明导电体(基材与透明导电膜的层叠体)中，具有制造时的搬运方向(MD方向)和与搬运方向垂直的宽度方向(TD方向)的导电性不同的倾向。作为使用于触摸面板等的透明导电体，人们期望其表面在所有方向上都具有导电性，即具有各向同性导电性。因此，对于使用了金属纳米线的透明导电膜，期望在具备容易制造、耐弯曲性的同时，还具备各向同性导电性。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2010-507199号公报专利文献2：日本特表2010-525526号公报专利文献3：美国专利申请公开第2007/0074316号说明书非专利文献非专利文献1：“美国化学ACSNano”2010年，Vol.4，Iss.5，p.2955-2963
技术实现思路
技术问题本专利技术以解决以往的上述各问题，并实现以下目的为课题。即，其目的在于提供一种具备具有各向同性导电性的使用了金属纳米线的透明导电膜的透明导电体。技术方案本专利技术人为了实现上述目的而进行了专心研究，其结果发现：通过在透明导电体的制造中，在光学各向同性的透明基材上或者在设置于透明基材上的光学各向同性的中间层(基底)上形成透明导电膜，能够制造具备各向同性导电性的透明导电膜的透明导电体，从而完成本专利技术。本专利技术为基于本专利技术人的上述见解而完成，为了解决上述课题的手段如下。即，<1>一种透明导电体，为具备基材和设置在该基材上的透明导电膜的透明导电体，其特征在于，上述基材含有光学各向同性材料，上述透明导电膜含有金属纳米线，且宽度方向的表面电阻值与搬运方向的表面电阻值的比为0.6以上且小于1.5。该<1>所述的透明导电体通过在含有光学各向同性材料的基材上设置透明导电膜而得到，该透明导电膜在其表面电阻值上没有方向依赖性，且具有各向同性导电性。应予说明，如图2所示，在本专利技术中，“MD方向”表示透明导电体的制造时的基材的搬运方向，“TD方向”表示与基材的搬运方向垂直的方向(基材的宽度方向)。<2>一种透明导电体，为具备基材、设置在该基材上的中间层和设置在该中间层上的透明导电膜的透明导电体，其特征在于，上述中间层含有光学各向同性材料，上述透明导电膜含有金属纳米线，且宽度方向的表面电阻值与搬运方向的表面电阻值的比为0.6以上且小于1.5。该<2>所述的透明导电体通过在基材上设置含有光学各向同性材料的中间层，并在该中间层上设置透明导电膜而得到，该透明导电膜在其表面电阻值上没有方向依赖性，且具有各向同性导电性。<3>上述<1>或<2>所述的透明导电膜的制造方法中，上述光学各向同性材料在波长550nm下的延迟值为30nm以下。应予说明，在本专利技术中，“延迟值”是指通过利用旋转检偏镜法而得到的值。<4>上述<1>～<3>中任一项所述的透明导电体中，上述金属纳米线的长度为1μm～100μm。<5>一种透明导电体的制造方法，为制造上述<1>～<4>中任一项所述的透明导电体的透明导电体的制造方法，其特征在于，包括：制备含有金属纳米线和透明树脂材料的分散液的工序；将上述分散液施加到光学各向同性材料上形成分散膜的工序；使上述分散膜干燥和固化形成透明导电膜的工序。根据该<5>所述的透明导电体的制造方法，将含有金属纳米线的透明导电膜形成于光学各向同性材料上，由此，可制造具备各向同性导电性的透明导电膜的透明导电体。<6>上述<5>所述的透明导电体的制造方法中，上述分散液的粘度为1cP以上且50cP以下。技术效果根据本专利技术能够解决以往的上述各问题，实现上述目的，并能够提供具备具有各向同性导电性的使用了金属纳米线的透明导电膜的透明导电体。附图说明图1是示出本专利技术的透明导电体的第一实施方式(A)和第二实施方式(B)的例子的图。图2是示出本专利技术的透明导电体中的基材的搬运方向(MD方向)和与该搬运方向垂直的方向(基材的宽度方向)(TD方向)的示意图。符号说明10：透明导电体11：基材12：透明导电膜13：中间层具体实施方式(透明导电体)本专利技术的透明导电体为具备含有光学各向同性材料的基材、和设置在该基材上的透明导电膜的透明导电体，或者为具备基材、设置在该基材上的含有光学各向同性材料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种透明导电体，为具备基材和设置在该基材上的透明导电膜的透明导电体，其特征在于，所述基材含有光学各向同性材料，所述透明导电膜含有金属纳米线，且宽度方向的表面电阻值与搬运方向的表面电阻值的比为0.6以上且小于1.5。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.11.20 JP 2013-2401341.一种透明导电体，为具备基材和设置在该基材上的透明导电膜的透明导电体，其特
征在于，
所述基材含有光学各向同性材料，
所述透明导电膜含有金属纳米线，且宽度方向的表面电阻值与搬运方向的表面电阻值
的比为0.6以上且小于1.5。
2.一种透明导电体，为具备基材、设置在该基材上的中间层和设置在该中间层上的透
明导电膜的透明导电体，其特征在于，
所述中间层含有光学各向同性材料，
所述透明导电膜含有金属纳米线，且宽度方向的表面电阻值与搬运方向的表面电阻值
的比为0.6以上且小于1.5。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上纯一，
申请(专利权)人：迪睿合电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP