一种快速测量半导体薄膜面向导热系数的方法技术

本发明专利技术涉及一种快速测量半导体薄膜面向导热系数的方法，所述方法为给溅射金薄膜的基础材料上溅射n次厚度为δ2的半导体薄膜形成n个样品，在同等环境条件下对所述n个样品分别通过瞬态电热技术计算其热扩散系数αeff，n，对n组αeff，n进行线性拟合得到slope，根据slope＝4δmax[kc‑αw(ρcp)c]/πD(ρcp)w求解厚度为δ2的半导体薄膜的导热系数kc。本发明专利技术方法其测量装置简单，测量信号强，测量周期短，可为目前电子产品热设计和热管理中各种超薄半导体薄膜热物性的设置提供可靠的参数数据。

【技术实现步骤摘要】
201610066501

【技术保护点】
一种快速测量半导体薄膜面向导热系数的方法，该方法为给低维、低导热系数的基础材料表面真空溅射厚度为δ1的金薄膜，并通过瞬态电热技术计算其热扩散系数αw，其特征在于：给所述溅射金薄膜的基础材料上溅射n次厚度为δ2的半导体薄膜形成n个样品，在同等环境条件下对所述n个样品分别通过瞬态电热技术计算其热扩散系数αeff，n，对n组αeff，n进行线性拟合得到slope，所述slope＝4δmax[kc‑αw(ρcp)c]/πD(ρcp)w    (1)其中，δmax＝n×δ2，k是导热系数，ρ是密度，cp是比热容，D是基础材料的直径，下标c代表半导体薄膜层，下标w代表镀金膜的基础材料，根据公式(1)即可求解厚度为δ2的半导体薄膜的导热系数kc。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林欢，董华，王永春，王洪伟，张文婵，
申请(专利权)人：青岛理工大学，
类型：发明
国别省市：山东;37